Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Напряжение изоляции | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFN170N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn170n65x2-datasheets-2222.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 19 недель | совместимый | 650В | 1170 Вт Тс | N-канал | 27000пФ при 25В | 13 мОм при 85 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 170А Тс | 434 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP24P085T | ИКСИС | $2,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp24p085t-datasheets-3497.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 24А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 85В | 85В | 83 Вт Тс | ТО-220АБ | 80А | 0,065 Ом | 200 мДж | P-канал | 2090пФ при 25В | 65 мОм при 12 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 41 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP100N15X4 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp100n15x4-datasheets-5520.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | 150 В | 375 Вт Тс | N-канал | 3970пФ при 25В | 11,5 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 100А Тс | 74 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKR25N80C | ИКСИС | 0,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkr25n80c-datasheets-5620.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 28 недель | Нет СВХК | 125МОм | 3 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 2,5 кВ | 15 нс | 6 нс | 72 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 670 мДж | 800В | N-канал | 150 мОм при 18 А, 10 В | 4 В @ 2 мА | 25А Тс | 355 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFN50N120SK | ИКСИС | $69,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | -40°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn50n120sk-datasheets-5709.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 20 недель | 1200В | N-канал | 1895пФ при 1000В | 52 мОм при 40 А, 20 В | 2,8 В @ 10 мА | 48А ТЦ | 115 нК при 20 В | 20 В | +20В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR170P10P | ИКСИС | $18,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr170p10p-datasheets-9247.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 28 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 108А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 312 Вт Тс | 510А | 0,013Ом | 3500 мДж | P-канал | 12600пФ при 25В | 13 мОм при 85 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 108А Тк | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ40N50L2 | ИКСИС | $18,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt40n50l2-datasheets-2083.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | Нет СВХК | 170мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | 40А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 2,5 В | 540 Вт Тс | 80А | 2000 мДж | N-канал | 10400пФ при 25В | 2,5 В | 170 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 40А Тс | 320 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFN70N120SK | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | -40°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | SiCFET (карбид кремния) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn70n120sk-datasheets-7216.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 28 недель | 1200В | N-канал | 2790пФ при 1000В | 34 мОм при 50 А, 20 В | 4 В при 15 мА | 68А Тк | 161 нК при 20 В | 20 В | +20В, -5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH76N07-12 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh76n0712-datasheets-1335.pdf | 70В | 76А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 12МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 70нс | 55 нс | 130 нс | 76А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 2000 мДж | 70В | N-канал | 4400пФ при 25В | 12 мОм при 40 А, 10 В | 3,4 В @ 4 мА | 76А Тк | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ50N60P3 | ИКСИС | $8,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60p3-datasheets-1666.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,3 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1,04 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 31 нс | 20нс | 17 нс | 62 нс | 50А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1040 Вт Тс | 125А | 0,145 Ом | 1000 мДж | 600В | N-канал | 6300пФ при 25 В | 145 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 50А Тс | 94 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA32P05T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 50В | 83 Вт Тс | P-канал | 1975 пФ при 25 В | 39 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 46 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY24N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24А | 150 В | N-канал | 24А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP450P2 | ИКСИС | $14,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth450p2-datasheets-0479.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 750 мДж | 500В | N-канал | 2530пФ при 25В | 330 мОм при 8 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 43 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT440N055T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt440n055t2-datasheets-3581.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 440А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 1000 Вт Тс | 1200А | 0,0018Ом | 1500 мДж | N-канал | 25000пФ при 25В | 1,8 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 440А Тс | 405 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK80N50Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk80n50q3-datasheets-3668.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 3 | 30 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1,25 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 30 нс | 250 нс | 43 нс | 80А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1250 Вт Тс | 240А | 0,065 Ом | 500В | N-канал | 10000пФ при 25В | 65 мОм при 40 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 80А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK32N80Q3 | ИКСИС | $22,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n80q3-datasheets-3738.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 3 | 30 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 38 нс | 300 нс | 45 нс | 32А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000 Вт Тс | 80А | 0,27 Ом | 800В | N-канал | 6940пФ при 25 В | 270 мОм при 16 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 32А Тк | 140 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА90N20X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | совместимый | 200В | 390 Вт Тс | N-канал | 5420пФ при 25В | 12 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 90А Тс | 78 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH110N15T2 | ИКСИС | 2,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh110n15t2-datasheets-3838.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 16 нс | 18 нс | 33 нс | 110А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 480 Вт Тс | ТО-247АД | 300А | 0,013Ом | 800 мДж | N-канал | 8600пФ при 25В | 13 м Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 110А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXKC20N60C | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkc20n60c-datasheets-3872.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 75 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 5нс | 4,5 нс | 67 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 14А | 0,19 Ом | 690 мДж | 600В | N-канал | 2400пФ при 25В | 190 мОм при 16 А, 10 В | 3,9 В при 1 мА | 15А Тс | 114 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ30N60P | ИКСИС | $4,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n60p-datasheets-1373.pdf | 600В | 30А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 25 нс | 80 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 5050пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXTT16P20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 16А | 200В | P-канал | 16А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT170N10P-TR | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | 100В | 715 Вт Тс | N-канал | 6000пФ при 25В | 9 мОм при 85 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 170А Тс | 198 нК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ21N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 21А | 500В | N-канал | 21А Тц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTJ4N150 | ИКСИС | $9,10 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtj4n150-datasheets-4084.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | ОДИНОКИЙ | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 1500В | 110 Вт Тс | 12А | 6Ом | 350 мДж | N-канал | 1576пФ при 25 В | 6 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 44,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFJ20N85X | ИКСИС | 10,60 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfj20n85x-datasheets-4143.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 850В | 110 Вт Тс | N-канал | 1660пФ при 25В | 360 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 9,5 А Тс | 63 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK24N80P | ИКСИС | $60,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n80p-datasheets-4174.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 30 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 650 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 27нс | 24 нс | 75 нс | 24А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650 Вт Тс | 55А | 0,4 Ом | 1500 мДж | 800В | N-канал | 7200пФ при 25В | 400 мОм при 12 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 24А Тк | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX360N10T | ИКСИС | $11,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk360n10t-datasheets-7419.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 360А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 1250 Вт Тс | 900А | 0,0029Ом | 3000 мДж | N-канал | 33000пФ при 25В | 2,9 мОм при 100 А, 10 В | 5 В при 3 мА | 360А Тк | 525 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT18N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh18n90p-datasheets-7103.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 18А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 36А | 0,6 Ом | 800 мДж | 900В | N-канал | 5230пФ при 25 В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 18А Тк | 97 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH150N15P | ИКСИС | $7,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk150n15p-datasheets-4247.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 20 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 714 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 33нс | 28 нс | 100 нс | 150А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 714 Вт Тс | ТО-247АД | 340А | 0,013Ом | 2500 мДж | 150 В | N-канал | 5800пФ при 25 В | 13 м Ом при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 150А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFT24N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh24n50-datasheets-4823.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 33нс | 30 нс | 65 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 96А | 0,23 Ом | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 24А Тк | 160 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
