ИКСИС

ИКСИ(5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Обратное время восстановления Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXFR10N100Q IXFR10N100Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr12n100q-datasheets-0945.pdf ISOPLUS247™ 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 250 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 23нс 15 нс 40 нс 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 250 Вт Тс 40А 1кВ N-канал 2900пФ при 25В 1,2 Ом при 5 А, 10 В 5,5 В @ 4 мА 9А Тц 90 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFX30N100Q2 IXFX30N100Q2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx30n100q2-datasheets-1046.pdf ТО-247-3 16,13 мм 21,34 мм 5,21 мм Без свинца 3 400МОм 247 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 735 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 22 нс 14 нс 10 нс 60 нс 30А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 735 Вт Тс 120А 4000 мДж 1кВ N-канал 8200пФ при 25 В 400 мОм при 15 А, 10 В 5 В @ 8 мА 30А Тс 186 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFN38N80Q2 IXFN38N80Q2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx38n80q2-datasheets-0998.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК Без свинца 4 220МОм 4 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL Нет Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 Одинокий 735 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 16 нс 12 нс 60 нс 38А 30 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 735 Вт Тс 800В N-канал 8340пФ при 25 В 220 мОм при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 8 мА 38А Тц 190 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFK44N55Q IXFK44N55Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk44n55q-datasheets-1116.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 19,96 мм 26,16 мм 5,13 мм 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован 30 нс 20нс 10 нс 75 нс 44А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс 176А 0,12 Ом 2500 мДж 550В N-канал 6400пФ при 25В 120 мОм при 22 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 44А Тк 190 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFN30N110P IXFN30N110P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Полар™ Крепление на шасси Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn30n110p-datasheets-1160.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК 4 4 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 695 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 48нс 52 нс 83 нс 25А 30 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1100В 695 Вт Тс 75А 0,36 Ом 1500 мДж 1,1 кВ N-канал 13600пФ при 25В 360 мОм при 15 А, 10 В 6,5 В при 1 мА 25А Тс 235 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTB30N100L IXTB30N100L ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtb30n100l-datasheets-1299.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 800 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 70нс 78 нс 100 нс 30А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 800 Вт Тс 70А 0,45 Ом 2000 мДж 1кВ N-канал 13200пФ при 25В 450 мОм при 500 мА, 20 В 5 В @ 250 мкА 30А Тс 545 нК при 20 В 20 В ±30 В
IXTA140N055T2 ИКСТА140N055T2 ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж 2 (1 год) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 28 недель да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55В 55В 250 Вт Та 140А 350А 0,0054Ом 600 мДж N-канал 4760пФ при 25В 5,4 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 140А Тс 82 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTP230N04T4M IXTP230N04T4M ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчT4™ Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp230n04t4m-datasheets-1706.pdf TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка 24 недели совместимый 40В 40 Вт Тс N-канал 7400пФ при 25В 2,9 мОм при 115 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 230А Тс 140 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTA2N100P ИКСТА2Н100П ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Полар™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp2n100p-datasheets-1987.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 86 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 29нс 27 нс 80 нс 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 86 Вт Тс 1кВ N-канал 655пФ при 25В 7,5 Ом при 500 мА, 10 В 4,5 В @ 100 мкА 2А Тк 24,3 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXFA22N65X2-TRL IXFA22N65X2-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 19 недель 650В 390 Вт Тс N-канал 2190пФ при 25 В 145 мОм при 11 А, 10 В 5 В при 1,5 мА 22А Тк 37 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTP36N30T IXTP36N30T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PolarHT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-220-3 300 Вт 36А 300В N-канал 2250пФ при 25В 110 мОм при 500 мА, 10 В 36А Тк 70 нК при 10 В
IXTA56N15T ИКСТА56Н15Т ИКСИС $10,63
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчHV™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp56n15t-datasheets-9402.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 21 неделя 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е3 ЧИСТОЕ ОЛОВО ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 56А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 150 В 150 В 300 Вт Тс 140А 500 мДж N-канал 2250пФ при 25В 36 мОм при 28 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 56А Тс 34 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA12N50P ИКСТА12Н50П ИКСИС 3,40 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Полар™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp12n50p-datasheets-2268.pdf 500В 12А ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 28 недель 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 200 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 27нс 20 нс 55 нс 12А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 200 Вт Тс 0,5 Ом 600 мДж 500В N-канал 1830пФ при 25В 500 мОм при 6 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 12А Тс 29 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA180N10T7-TRL ИКСТА180Н10Т7-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) 24 недели 100В 480 Вт Тс N-канал 6900пФ при 25 В 6,4 мОм при 25 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 180А Тс 151 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA08N100D2HV-TRL IXTA08N100D2HV-TRL ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 24 недели 1000В 60 Вт Тс N-канал 325пФ при 25В 21 Ом при 400 мА, 0 В 4 В при 25 мкА 800 мА Тдж 14,6 нК при 5 В Режим истощения 0 В ±20 В
IXTA42N15T-TRL IXTA42N15T-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 30 недель 150 В 200 Вт Тс N-канал 1880пФ при 25В 45 мОм при 21 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 42А Тк 21 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA48P05T-TRL IXTA48P05T-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 28 недель 50В 150 Вт Тс P-канал 3660пФ при 25 В 30 мОм при 24 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 48А ТЦ 53 нК при 10 В 10 В ±15 В
IXTY4N65X2-TRL IXTY4N65X2-ТРЛ ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 15 недель 650В 80 Вт Тс N-канал 455пФ при 25В 850 мОм при 2 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 4А Тк 8,3 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTA6N50P ИКСТА6Н50П ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta6n50p-datasheets-5823.pdf 500В ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 2 8 недель да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 100 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 28нс 26 нс 65 нс 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 100 Вт Тс 15А 250 мДж 500В N-канал 740пФ при 25В 1,1 Ом при 3 А, 10 В 5 В @ 50 мкА 6А Тс 14,6 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV36N50PS IXFV36N50PS ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarP2™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) СМД/СМТ МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh36n50p-datasheets-4795.pdf 500В 36А ПЛЮС-220СМД Без свинца 2 Нет СВХК 220 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 540 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 27нс 21 нс 75 нс 36А 30 В 500В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 540 Вт Тс 200 нс 90А 0,17 Ом 1500 мДж 500В N-канал 5500пФ при 25В 5 В 170 мОм при 500 мА, 10 В 5 В при 4 мА 36А Тк 93 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTP2R4N50P IXTP2R4N50P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty2r4n50p-datasheets-5764.pdf 500В ТО-220-3 Без свинца 3 7 недель да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 55 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 29нс 28 нс 65 нс 2,4А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 55 Вт Тс ТО-220АБ 4,5 А 100 мДж 500В N-канал 240пФ при 25В 3,75 Ом при 500 мА, 10 В 5,5 В @ 25 мкА 2,4 А Тс 6,1 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXTV26N50P IXTV26N50P ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПоларХВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt26n50p-datasheets-3884.pdf 500В 26А ТО-220-3, короткая вкладка Без свинца 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Не квалифицирован 25нс 20 нс 58 нс 26А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 460 Вт Тс 78А 1000 мДж 500В N-канал 3600пФ при 25В 230 мОм при 13 А, 10 В 5,5 В @ 250 мкА 26А Тк 65 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFV20N80PS IXFV20N80PS ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™, PolarHT™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh20n80p-datasheets-5587.pdf ПЛЮС-220СМД 2 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 500 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 24 нс 24 нс 85 нс 20А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500 Вт Тс 0,52 Ом 1000 мДж 800В N-канал 4685пФ при 25 В 520 мОм при 10 А, 10 В 5 В при 4 мА 20А Тс 86 нК при 10 В 10 В ±30 В
IXFX26N60Q IXFX26N60Q ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx26n60q-datasheets-7450.pdf ТО-247-3 3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 360 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицирован 32нс 16 нс 80 нс 26А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 360 Вт Тс 104А 0,25 Ом 1500 мДж 600В N-канал 5100пФ при 25 В 250 мОм при 13 А, 10 В 4,5 В при 4 мА 26А Тк 200 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTA220N075T ИКСТА220N075T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 480 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 65нс 47 нс 55 нс 220А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 480 Вт Тс 130А 350А 0,0085Ом 750 мДж 75В N-канал 7700пФ при 25 В 4,5 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 220А Тс 165 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH220N055T IXTH220N055T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth220n055t-datasheets-7530.pdf ТО-247-3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 62нс 53 нс 53 нс 220А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 430 Вт Тс ТО-247АД 600А 0,004 Ом 1000 мДж 55В N-канал 7200пФ при 25В 4 м Ом при 25 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 220А Тс 158 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH230N085T IXTH230N085T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth230n085t-datasheets-7564.pdf ТО-247-3 3 да EAR99 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 550 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 49нс 39 нс 56 нс 230А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 550 Вт Тс ТО-247АД 520А 0,0044Ом 1000 мДж 85В N-канал 9900пФ при 25 В 4,4 мОм при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 230А Тс 187 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH250N075T IXTH250N075T ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth250n075t-datasheets-7601.pdf ТО-247-3 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 550 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 50 нс 45 нс 58 нс 250А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 550 Вт Тс ТО-247АД 560А 0,004 Ом 1500 мДж 75В N-канал 9900пФ при 25 В 4 м Ом при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 250А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTH200N075T IXTH200N075T ИКСИС 4,60 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth200n075t-datasheets-7639.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 5МОм да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 57нс 52 нс 54 нс 200А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 430 Вт Тс ТО-247АД 540А 750 мДж 75В N-канал 6800пФ при 25В 5 м Ом при 25 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 200А Тс 160 нК при 10 В 10 В ±20 В
IXTV250N075TS IXTV250N075TS ИКСИС
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчМВ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv250n075ts-datasheets-7668.pdf ПЛЮС-220СМД 2 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 550 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 50 нс 45 нс 58 нс 250А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 550 Вт Тс 560А 0,004 Ом 1500 мДж 75В N-канал 9900пФ при 25 В 4 м Ом при 50 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 250А Тс 200 нК при 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.