Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Напряжение изоляции | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFX250N10P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx250n10p-datasheets-0776.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 250А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 1250 Вт Тс | 700А | 0,0065Ом | 3000 мДж | N-канал | 16000пФ при 25В | 6,5 мОм при 50 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 250А Тс | 205 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK20N120 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx20n120-datasheets-0789.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 780 Вт | 1 | Не квалифицирован | 25 нс | 45нс | 20 нс | 75 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 780 Вт Тс | 80А | 0,75 Ом | 2000 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 7400пФ при 25В | 750 м Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 20А Тс | 160 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМ47-06КС5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™, HiPerDyn™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fmd4706kc5-datasheets-0824.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | да | ПРИЗНАН UL, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т5 | 47А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 0,045 Ом | 1950 мДж | N-канал | 6800пФ при 100В | 45 мОм при 44 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 47А ТЦ | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFL44N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl44n100p-datasheets-0904.pdf | ISOPLUS264™ | 3 | 26 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 357 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 68нс | 54 нс | 90 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 357 Вт Тс | 110А | 0,24 Ом | 2000 мДж | 1кВ | N-канал | 19000пФ при 25В | 240 мОм при 22 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 22А Тк | 305 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN100N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk90n20-datasheets-2052.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 23МОм | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 520 Вт | 1 | Не квалифицирован | 80нс | 30 нс | 75 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 520 Вт Тс | 200В | N-канал | 9000пФ при 25 В | 23 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 100А Тс | 380 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE50N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe50n50-datasheets-0976.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 60нс | 45 нс | 120 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 53А | 220А | 0,1 Ом | 500В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 100 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 47А ТЦ | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN27N80Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Винт | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn27n80q-datasheets-1015.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 30 недель | 40 г | Нет СВХК | 320мОм | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 520 Вт | 1 | Не квалифицирован | 2,5 кВ | 28нс | 13 нс | 50 нс | 27А | 20 В | 800В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 520 Вт Тс | 108А | 2500 мДж | 800В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 4,5 В | 320 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 27А ТЦ | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFN21N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn21n100q-datasheets-1049.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 30 недель | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 520 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 18нс | 12 нс | 60 нс | 21А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 520 Вт Тс | 0,5 Ом | 2500 мДж | 1кВ | N-канал | 5900пФ при 25В | 500 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 21А Тц | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK46N50L | ИКСИС | $36,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtx46n50l-datasheets-9312.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | Без свинца | 3 | 160МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 700 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 40 нс | 50 нс | 42 нс | 80 нс | 46А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700 Вт Тс | 100А | 1500 мДж | 500В | N-канал | 7000пФ при 25В | 160 м Ом при 500 мА, 20 В | 6 В при 250 мкА | 46А Тц | 260 нК при 15 В | 20 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFN32N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n60-datasheets-0809.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 520 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 45нс | 60 нс | 100 нс | 32А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 520AW ТК | 128А | 0,25 Ом | 600В | N-канал | 9000пФ при 25 В | 250 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 32А Тк | 325 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН120П20Т | ИКСИС | $51,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn120p20t-datasheets-1162.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПУФМ-X4 | 106А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 830 Вт Тс | 400А | 0,03 Ом | 3000 мДж | P-канал | 73000пФ при 25В | 30 мОм при 60 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 106А Тк | 740 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP7N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp7n60p3-datasheets-1330.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 7А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 180 Вт Тс | ТО-220АБ | 7А | 16А | 400 мДж | N-канал | 705пФ при 25В | 1,15 Ом при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 7А Тк | 13,3 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU4N70X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | TO-251-3 Заглушки, IPak | 15 недель | совместимый | 700В | 80 Вт Тс | N-канал | 386пФ при 25 В | 850 мОм при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 11,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA42N25P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 250 В | 300 Вт Тс | N-канал | 2300пФ при 25В | 84 мОм при 21 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 42А Тк | 70 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP08N120P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp08n120p-datasheets-2050.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 800мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 1200В | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,8А | 1,8 А | 80 мДж | N-канал | 333пФ при 25 В | 25 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 800 мА Тс | 14 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY48P05T | ИКСИС | 3,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty48p05t-datasheets-2147.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 17 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 48А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 150 Вт Тс | ТО-252АА | 150А | P-канал | 3660пФ при 25 В | 30 мОм при 24 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 53 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP12N50P | ИКСИС | $15,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp12n50p-datasheets-2268.pdf | 500В | 12А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 27нс | 20 нс | 55 нс | 12А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,5 Ом | 600 мДж | 500В | N-канал | 1830пФ при 25В | 500 мОм при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXTP90N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth90n15t-datasheets-0089.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 22нс | 19 нс | 44 нс | 90А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 455 Вт Тс | ТО-220АБ | 250А | 0,02 Ом | 0,75 мДж | 150 В | N-канал | 4100пФ при 25В | 20 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 90А Тс | 80 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA5N100P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 1000В | 250 Вт Тс | N-канал | 1830пФ при 25В | 2,8 Ом при 2,5 А, 10 В | 6 В при 250 мкА | 5А Тс | 33,4 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА270N04T4 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчT4™ | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta270n04t47-datasheets-2635.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | неизвестный | 40В | 375 Вт Тс | N-канал | 9140пФ при 25 В | 2,2 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 270А Тс | 182 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY01N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty01n80-datasheets-3285.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | да | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 12нс | 28 нс | 28 нс | 100 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 Вт Тс | ТО-252АА | 0,1 А | 0,4 А | 800В | N-канал | 60пФ при 25В | 50 Ом при 100 мА, 10 В | 4,5 В @ 25 мкА | 100 мА Тс | 8 нК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA220N04T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 40В | 360 Вт Тс | N-канал | 6820пФ при 25 В | 3,5 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 220А Тс | 112 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP1N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1n80p-datasheets-3869.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 42 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 42 Вт Тс | ТО-220АБ | 1А | 2А | 75 мДж | 800В | N-канал | 250пФ при 25В | 14 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 50 мкА | 1А Тк | 9 нК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY01N100-ТРЛ | ИКСИС | 2,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1 недели | 1000В | 25 Вт Тс | N-канал | 54пФ при 25В | 80 Ом при 50 мА, 10 В | 4,5 В @ 25 мкА | 100 мА Тс | 6,9 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA8PN50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 500В | 8А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 8А | N-канал | 8А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV26N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n60p-datasheets-1292.pdf | 600В | 26А | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27нс | 21 нс | 75 нс | 26А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 65А | 0,27 Ом | 1200 мДж | 600В | N-канал | 4150пФ при 25В | 270 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 26А Тк | 72 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV18N60PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh18n60p-datasheets-2073.pdf | 600В | 18А | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 220 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 22нс | 22 нс | 62 нс | 18А | 30 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,5 В | 360 Вт Тс | 200 нс | 45А | 0,4 Ом | 1000 мДж | 600В | N-канал | 2500пФ при 25В | 5,5 В | 400 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 18А Тк | 50 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||
| ИКСТА4N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp4n60p-datasheets-5863.pdf | 600В | 4А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 89 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 20 нс | 50 нс | 4А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 89 Вт Тс | 4А | 10А | 2Ом | 150 мДж | 600В | N-канал | 635пФ при 25 В | 2 Ом при 2 А, 10 В | 5,5 В @ 100 мкА | 4А Тк | 13 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFV12N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq12n80p-datasheets-0104.pdf | ТО-220-3, короткая вкладка | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | 26нс | 25 нс | 70 нс | 12А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 0,85 Ом | 800 мДж | 800В | N-канал | 2800пФ при 25В | 850 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 12А Тс | 51 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT26N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n50q-datasheets-4238.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 8 недель | 200мОм | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 16 нс | 55 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 104А | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3900пФ при 25В | 200 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 26А Тк | 95 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
