Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTV98N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3, короткая вкладка | 98А | 200В | N-канал | 98А Тц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA18N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp18n60x-datasheets-3822.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 18А | 600В | 320 Вт Тс | N-канал | 1440пФ при 25В | 230 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 18А Тк | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP34N65X2M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 19 недель | совместимый | 650В | 40 Вт Тс | N-канал | 3230пФ при 25В | 100 мОм при 17 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 34А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT4N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft4n100q-datasheets-3940.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 18 нс | 32 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 150 Вт Тс | 4А | 16А | 3Ом | 700 мДж | 1кВ | N-канал | 1050пФ при 25В | 3 Ом при 2 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 4А Тк | 39 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| IXTQ88N15 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 88А | 150 В | N-канал | 88А Тк | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA15N50L2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 500В | 300 Вт Тс | N-канал | 4080пФ при 25В | 480 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 15А Тс | 123 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH26N65X2 | ИКСИС | $9,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 23 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT50N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60x-datasheets-4003.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 50А | 600В | 660 Вт Тс | N-канал | 4660пФ при 25В | 73 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 50А Тс | 116 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ26N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 26А | 500В | N-канал | 26А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK120N20P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n20p-datasheets-4160.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 714 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35 нс | 31 нс | 100 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 714 Вт Тс | 300А | 0,022 Ом | 2000 мДж | 200В | N-канал | 6000пФ при 25В | 22 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 120А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFH120N25T | ИКСИС | $65,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, TrenchT2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n25t-datasheets-4267.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПСФМ-Т3 | 120А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 890 Вт Тс | ТО-247АД | 300А | 0,023Ом | 500 мДж | N-канал | 11300пФ при 25В | 23 мОм при 60 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 120А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH72N20 | ИКСИС | $2,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth72n20-datasheets-4294.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 30 нс | 20 нс | 80 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | ТО-247АД | 288А | 1500 мДж | 200В | N-канал | 4400пФ при 25В | 33 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 72А Тк | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH11N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n80-datasheets-2163.pdf | 800В | 11А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 950мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 33нс | 32 нс | 63 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 44А | 800В | N-канал | 4200пФ при 25В | 950 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 11А Тк | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH10N100D | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d-datasheets-4365.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 85нс | 75 нс | 110 нс | 10А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 400 Вт Тс | 20А | 1кВ | N-канал | 2500пФ при 25В | 1,4 Ом при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 130 нК при 10 В | Режим истощения | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ23N60Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 23А | 600В | N-канал | 23А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXUV170N075S | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ПЛЮС-220СМД | 220 | 300 Вт | Одинокий | 300 Вт | 175А | 5,3 мОм | 75В | N-канал | 175А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT16N120P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 26 недель | 1200В | 660 Вт Тс | N-канал | 6900пФ при 25 В | 950 мОм при 8 А, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 16А Тс | 120 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR80N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n60p3-datasheets-4547.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 30 недель | 247 | Одинокий | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 48 нс | 87 нс | 48А | 30В | 600В | 540 Вт Тс | N-канал | 13100пФ при 25В | 76 мОм при 40 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 48А ТЦ | 190 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK44N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk44n50-datasheets-7596.pdf | 500В | 44А | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 60нс | 30 нс | 100 нс | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 176А | 0,12 Ом | 500В | N-канал | 8400пФ при 25В | 120 мОм при 22 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 44А Тк | 270 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА102N15T | ИКСИС | $4,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta102n15t-datasheets-9411.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 22 нс | 25 нс | 102А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 455 Вт Тс | 300А | 0,018 Ом | 750 мДж | 150 В | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXTH74N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 74А | 150 В | N-канал | 74А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA16N50P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp16n50p3-datasheets-3145.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 30 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 330 Вт Тс | ТО-220АБ | 40А | 0,36 Ом | 300 мДж | N-канал | 1515пФ при 25В | 360 мОм при 8 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 16А Тс | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA34N65X2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 650В | 540 Вт Тс | N-канал | 3230пФ при 25В | 100 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 34А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA76N15T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, TrenchT2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp76n15t2-datasheets-5436.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 76А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 350 Вт Тс | ТО-263АА | 200А | 0,02 Ом | 500 мДж | N-канал | 5800пФ при 25 В | 20 мОм при 38 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 76А Тк | 97 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFA44N25X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | совместимый | 250 В | 240 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 25В | 40 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 44А Тк | 33 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH14N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n60p3-datasheets-0202.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 24 недели | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 21 нс | 43 нс | 14А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 327 Вт Тс | ТО-247АД | 0,54 Ом | 700 мДж | N-канал | 1480пФ при 25В | 540 мОм при 7 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 14А Тс | 25 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP102N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixfa102n15t-datasheets-0109.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 102А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 455 Вт Тс | ТО-220АБ | 300А | 0,018Ом | 750 мДж | N-канал | 5220пФ при 25В | 18 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 102А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA72N30X3-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 300В | 390 Вт Тс | N-канал | 5400пФ при 25В | 19 мОм при 36 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 72А Тк | 82 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP30N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp30n60x-datasheets-0441.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 30А | 600В | 500 Вт Тс | N-канал | 2270пФ при 25В | 155 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 30А Тс | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ26P20P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp26p20p-datasheets-1592.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 33нс | 21 нс | 46 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 300 Вт Тс | 70А | 0,17 Ом | 1500 мДж | -200В | P-канал | 2740пФ при 25В | 170 мОм при 13 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 26А Тк | 56 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
