Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С32160Ф-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 8 недель | 86 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128Б-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 10 недель | 96 | 2 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-75ЭБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF25636B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 3,135 В~3,465 В | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46LR32160B-6BLA1-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 14 недель | 90 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 12нс | 536870912 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР82560С-3ДБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,9 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Ф-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Ф-6БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 3,3 В | 12 недель | 100 | 9 Мб | 2 | 280 мА | 3,135 В~3,465 В | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 18б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128БЛ-15ХБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128А-125КБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 330 мА | 1,575 В | 1,425 В | 96 | Параллельно | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 96-TWBGA (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ЛВ25616АЛ-12ТЛА3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 125°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is64lv25616al12tla3tr-datasheets-3670.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 12 недель | 3,63 В | 3,135 В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | 120 мА | 3,135 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 44 | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46TR16128C-125KBLA2-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 10 недель | 1,425 В~1,575 В | 96-TWBGA (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32800Э-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~3 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 3В | 2,3 В | 2,5 В | 0,14 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС65ВВ25616БЛЛ-70ТЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 40 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 70нс | 0,00006А | 16б | 70 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Ф-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 6 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32640A-5BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ЛФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 14 недель | 90 | 2 ГБ | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256АЛ-125КБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,35 В | 261 мА | 6 недель | 96 | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 90 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV6416BLL-12BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61wv6416bll12bli-datasheets-8017.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 12нс | 0,05 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV1288FBLL-45QLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 8 недель | 2,2 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV1288BLL-55QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 3 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv1288bll55tli-datasheets-9320.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,445 мм | 3,3 В | 32 | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 8мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 32 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,000005А | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Ф-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 86 | 8 недель | 86 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Д-5ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | Без свинца | 66 | 8 недель | 66 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 330 мА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16TCLL-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 33554432 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR16320C-25DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM-DDR2 | 400 МГц | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 84 | Параллельно | 400 МГц | 1,7 В~1,9 В | 84-TWBGA (8x12,5) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64К6416АЛ-15ТЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 44 | 10 недель | 44 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 50 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | 40 | 5В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 15 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32200Л-7ТЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 86 | 8 недель | 86 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,3 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 |
