Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С32800Д-75ЭБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 180 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16400К-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 54 | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,06 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16160Е-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 54 | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32400Г-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМОБНОВЛЕНИЕ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 2,5 В, 1,8 В. | 8542.32.00.02 | 1 | 70 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 2,7 В | 1,8 В | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Б-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 150 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128А-15ХБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 286 мА | 96 | 96 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | РЕЖИМ АВТОМАТИЧЕСКОГО ОБНОВЛЕНИЯ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,35 В. | 8542.32.00.36 | 1 | 140 мА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 96 | 1,575 В | 1,425 В | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 667 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 0,02 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR16200C-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 166 МГц | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 1,95 В | 1,7 В | 60 | Параллельно | 166 МГц | 1,7 В~1,95 В | 60-ТФБГА (8х10) | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640АЛ-125ДЖБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 310 мА | 96 | 96 | 1 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128АЛ-15ХБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 96 | 96 | 2 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 140 мА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 667 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 0,02 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32800F-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 90 | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Е-7ТЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 86 | 3В~3,6В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640А-15ГБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 290 мА | 96 | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | РЕЖИМ АВТОМАТИЧЕСКОГО ОБНОВЛЕНИЯ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,35 В. | 8542.32.00.32 | 1 | 195 мА | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 96 | 1,575 В | 1,425 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 667 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК18320-33БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160А-25ЭБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr16160a3dblitr-datasheets-1989.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 84 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 385 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 84 | 1,9 В | 1,7 В | 40 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 нс | 400 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 0,005А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18160-33БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 288Мб 16М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX18 | 18 | 301989888 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36800-33БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,914 мА | Не квалифицирован | 288Мб 8М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 8MX36 | 36 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС25636А-200Б2И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 22 мм | 3,3 В | 119 | 119 | 9 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 275 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,105А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416ALL-20MI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 1,8 В | 48 | 48 | 16 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | 60 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | 0,75 мм | 48 | 2,2 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 20 нс | 0,02 А | 16б | 20 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК93200-33БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 288Мб 32М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX9 | 9 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б2И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 2,41 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 22 мм | 14 мм | 119 | 119 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05 А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ6416ДБЛЛ-45Б2ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 48 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | 1 | 8мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 45нс | 0,000004А | 16б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВ1М16ДБЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 48 | 16 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | Другие микросхемы памяти | 0,028 мА | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВ51216ДБЛЛ-70ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 44 | 44 | 8 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,5 В | Другие микросхемы памяти | 0,028 мА | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 70нс | 70 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128ДБЛЛ-45БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dbll45tlitr-datasheets-2461.pdf | 36-ТФБГА | 8 мм | 36 | 48 | 4 Мб | 1 | Нет | 1 | 20 мА | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 36 | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | Р-ПБГА-Б36 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 45нс | 0,000007А | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ4М16БЛЛ-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 48 | да | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 225 | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Другие микросхемы памяти | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | ПСРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 70нс | 67108864 бит | 0,00001А | 70 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК96400-25Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,97 мА | Не квалифицирован | 576Мб 64М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 64MX9 | 9 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ025B-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 256КХ1 | 1 | 800 мкс | 262144 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3В | 15 мА | 8 | 10,886217мг | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | 1 | 12 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | Не квалифицирован | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 21б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 2 мс | 0,00003А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LD020-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3,3 В | 15 мА | 8 | 10,886217мг | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 2,7 В | 100 МГц | 18б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 5 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100С-50ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16100c50tli-datasheets-9984.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 мА | 44 | 44 | 16 Мб | 1 | EAR99 | CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 90 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 |
