Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LF51236B-6.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $24,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 1 | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512А-15ХБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,5 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,333 ГГц | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416ALL-35MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 1,8 В | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 30 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,75 мм | 48 | 2,2 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 35 нс | 16б | 35 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416ALL-20TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 1,8 В | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 60 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,5 мм | 48 | 2,2 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 20 нс | 0,02 А | 16б | 20 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ22М18К-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC96400A-33WBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 576Мб 64М х 9 | Неустойчивый | 20 нс | 300 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX9 | 9 | 603979776 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДПБ41М36А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ24М18А-300М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 300 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF204818B-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 2,5/3,33,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП204818Б-250Б3Л-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 2,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДП2Б24М18А-333М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1,15 мА | Не квалифицирован | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 333 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | 0,29 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А1-500М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1,2 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 500 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А2-500Б4ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1,2 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 500 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VPS204836B-250TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,625 В | 2,375 В | 10 | 2,5 В | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Ф-7ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛР32160Б-6БЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 14 недель | 90 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 12нс | 536870912 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ25636А-7.5ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 117 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 117 МГц | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VPS51236B-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | да | 1 | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВП51236Б-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256А-125КБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 290 мА | 96 | 10 недель | 96 | 4ГБ | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 230 мА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 800 МГц | 18б | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | 0,018А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Д-6БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VPS25636A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 2,5 В | 100 | 12 недель | 100 | 9 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 275 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,625 В | 2,375 В | 40 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,105А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP512M-RHLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 8 недель | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,3 В | 10 | Р-ПБГА-Б24 | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 64MX8 | 8 | 1,6 мс | 536870912 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32160C-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 60 мА | 90 | 14 недель | 90 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 130 мА | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 12нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Е-6ТЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 66 | 512 Мб | 166 МГц | 2,3 В~2,7 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД16640С-18БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 14 недель | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б134 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128БЛ-15ХБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП12836Б-200ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 100 | 3,135 В~3,465 В | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Д-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | 60 | 8 недель | 60 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | 370 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 60 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| IS46TR16128CL-15HBLA2-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит |
