Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT48LC16M16A2TG-6A:ГТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc16m16a2tg6aitgtr-datasheets-8457.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc2m32b2tg6aitjtr-datasheets-8484.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛА-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bcn-datasheets-5157.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3LA-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bcn-datasheets-5157.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3LA-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12bcn-datasheets-1891.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛА-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bin-datasheets-5234.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (9x13) | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М32МД2-18БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md218bcn-datasheets-5851.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 11,5 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б134 | 4Гб 128М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX32 | 32 | 15 нс | 4294967296 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M32MS-6BINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильная SDRAM | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 90-ВФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М32МД2-18БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m32md218bin-datasheets-3495.pdf | 134-ВФБГА | 1,2 В 1,8 В | 134-ФБГА (11,5х11,5) | 8Гб 256М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1008-55ПИН | Альянс Память, Инк. | $3,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | 3,937 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf | 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 3В | 32 | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | НЕТ | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К316098А-10БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf | 48-ЛФБГА | 6,05 мм | 1,05 мм | 8,05 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 3В~3,6В | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4008-55СТИН | Альянс Память, Инк. | $4,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c400855stin-datasheets-3230.pdf | 32-LFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 3В | Без свинца | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 18 МГц | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,00003А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д1А-6ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d1a6tin-datasheets-4260.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г66 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К8016А-55БИН | Альянс Память, Инк. | $5,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c8016a55bin-datasheets-6981.pdf | 48-ВФБГА | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4008-55ПКН | Альянс Память, Инк. | $11,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c400855stin-datasheets-3230.pdf | 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 41,91 мм | 5,588 мм | 13,818 мм | 3В | Без свинца | 60 мА | 32 | 8 недель | 2,214806г | Нет СВХК | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 30 мА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 2,54 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 70°С | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 0,00003А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СБ-7ТЦН | Альянс Память, Инк. | $11,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sb7tin-datasheets-7280.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | Без свинца | 54 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 14нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М8Д1-5БИН | Альянс Память, Инк. | $4,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d15bcn-datasheets-5382.pdf | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД2А-25БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md2a25bin-datasheets-5754.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M32S-7BCN | Альянс Память, Инк. | $4,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s6bin-datasheets-3672.pdf | 90-ТФБГА | 8,1 мм | 790 мкм | 13,1 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 | 8 недель | 90 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС1К1М16ПЛ-70БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as1c1m16pl70bin-datasheets-1811.pdf | 48-ВФБГА | 7 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 70нс | 16777216 бит | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC64M8A2P-75IT:C ТР | Альянс Память, Инк. | $16,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16SA-6TCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16sa6tin-datasheets-2524.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | Без свинца | 54 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C3256A-10JCN | Альянс Память, Инк. | 2,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | Нет | 3В~3,6В | 28-СОЮ | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 10 нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C316098A-10ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 12,1 мм | 3,3 В | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | 3В~3,6В | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС1К512К16ПЛ-70БИН | Альянс Память, Инк. | 3,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as1c512k16pl70bin-datasheets-5870.pdf | 48-ВФБГА | 7 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б48 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 70нс | 8388608 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К1М16С-6ТЦН | Альянс Память, Инк. | $2,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1m16s6tin-datasheets-6158.pdf | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 50 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г50 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 2нс | 16777216 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16D1A-5TANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 5 (48 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16d1a5tantr-datasheets-6040.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1025B-12JCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7084 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 12нс | 1048576 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К62256А-70СКНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c62256a70sintr-datasheets-6081.pdf | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 6 недель | 28 | да | неизвестный | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 70нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31025B-15JCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025b12jintr-datasheets-6044.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 15 нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 15 нс |
