| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Форма | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Дополнительная функция | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Максимальный ток | Поверхностный монтаж | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Максимальная температура перехода (Tj) | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Пакет устройств поставщика | Прямой ток | Прямое напряжение | Общая высота | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Обратное напряжение | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Термическое сопротивление упаковки | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Поток при 85°C, ток — испытание | Поток при 25°C, ток — испытание | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDNK25YZT3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 4000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 129 лм/Вт | 85°С | 4750 лм тип. | 1,05А | 1,61А | Плоский | 80 | Диаметр 11,50 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNA25YHV31D | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 660 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 145 лм/Вт | 25°С | 1850 лм 1750 лм~1950 лм | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWH2HDNA08YHW3C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 81 лм/Вт | 85°С | 780 лм тип. | 270 мА | 405 мА | Плоский | 92 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNA27YHW31F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2014 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | да | 660 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К | 101 лм/Вт | 25°С | 1290 лм 1060 лм~1520 лм | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWH2HDNA07YHT2C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 99 лм/Вт | 85°С | 920 лм тип. | 270 мА | 405 мА | Плоский | 90 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZQ3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 160 лм/Вт | 85°С | 3983lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG23YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 85°С | 4063lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 70 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG27YZW3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 130 лм/Вт | 85°С | 3190 лм тип. | 720 мА | 1,84А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZW3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 152 лм/Вт | 85°С | 3727lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHCW1HDNE25YHR34J | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Холодный | 6 недель | да | 1,9 А | Квадрат | 35,5 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | 5440 лм Тип | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE25YHW34G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2016 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | 5450лм 5100лм~5800лм | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE27YHT34K | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2016 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 127 лм/Вт | 25°С | 4866лм 4462~5269лм | 1,08А | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 52В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 161 лм/Вт | 85°С | 9039lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWH2HDNA08YHW2C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 81 лм/Вт | 85°С | 780 лм тип. | 270 мА | 405 мА | Плоский | 92 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 85°С | 3781lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZR3N2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 2,76А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 85°С | 5561lm Тип | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB27YHT32J | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 17 мм | 1,50 мм | 17 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 980 мА | 35,5 В | 115° | Плоский | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 113 лм/Вт | 25°С | 2165 лм 1894 лм~2435 лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | да | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 85°С | 4916lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZQ3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 85°С | 4916lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHCW1HDNB25YHRT1G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 148 лм/Вт | 25°С | 2831лм 2646лм~3016лм | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM271ZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 52В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 85°С | 11004lm Тип | 1,62А | 4.14А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM271ZU3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 52В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 85°С | 11004lm Тип | 1,62А | 4.14А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPMWHD32AMD3XAR0S0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM301B | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 85°С | -40°С | 0,033 0,85 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1212 (3030 метрических единиц) | 850 мкм | Белый, Холодный | 6 недель | SPMWHD32AMD3XAR0S0 | 110°С | 85°С | 65 мА | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 1,2 В | 2,75 В | 5000К | 7,5°С/Вт | 218 лм/Вт | 180 мА | 70 | 39 лм 36 лм~42 лм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM271ZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 85°С | 11766lm Тип | 1,62А | 4.14А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPMWHT541MP5WAW0S4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM561B Плюс | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,197Дx0,118Вт 5,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,031 0,80 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | 4-SMD, плоские выводы | Белый, Теплый | 4 недели | да | 8541.40.20.00 | 180 мА | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,95 В | 2700К | 15°С/Вт | 162 лм/Вт | 65 мА | 80 | 31лм 30лм~32лм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM231ZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 51В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 177 лм/Вт | 85°С | 14637lm Тип | 1,62А | 4.14А | Плоский | 70 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHTL3D50EE4RTNF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH351C | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм | 2А (4 недели) | 0,097 2,46 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1414 (3535 Метрическая единица) | Белый, Холодный | КРУГЛЫЙ | 3 | 4 недели | UL ПРИЗНАЛ | 8541.40.20.00 | ТР, 7 ДЮЙМОВ | 1 | ДА | 105°С | -40°С | 2,33 мм | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 2А | 128° | ОДИНОКИЙ | 2,9 В | 5000К | 3°С/Вт | 148 лм/Вт | 700 мА | 2А | 80 | 300лм 270лм~330лм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SL-B8T4N90L1WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | inFlux_L06 | 560,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-slb8v4n90l1ww-datasheets-0837.pdf | 5,90 мм | Белый, Нейтральный | 120° | Линейная световая полоса | 4000К | 140 лм/Вт | 6060лм | 950 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCP8RTF1HEL1RKN34E | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH181B | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,093Дx0,093Ш 2,36x2,36 мм | 2А (4 недели) | 0,019 0,48 мм | Соответствует RoHS | 2017 год | 2-SMD, без свинца | Белый, Холодный | 4 недели | СМД | 110° | 2,9 В | 5000К | 2°С/Вт | 163 лм/Вт | 350 мА | 1,4 А | 80 | 165лм 150лм~180лм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE25YHU24H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 25°С | 5670лм 5480лм~5860лм | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.