Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDNA27YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 85°С | 384 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZT3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 130 лм/Вт | 85°С | 404 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 453 лм тип. | 90 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZV3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 428 лм тип. | 90 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZP3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | Тип: 964 лм | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZU3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 85°С | 1311lm Тип | 300 мА | 380 мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZW2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | Тип: 874 лм | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 870 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZW2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | Тип 946lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZR3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | 2765 лм Тип. | 600 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 166 лм/Вт | 85°С | 2036lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHU3KG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdn945yhu3kg-datasheets-0350.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 25°С | 1221лм 1141лм~1300лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHV2CG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 25°С | 839 лм 770 лм~907 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZR3H8 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 85°С | 1989lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZT3H4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 85°С | 1505 лм тип. | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZU3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 85°С | 1547lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZR3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 85°С | 1584lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHCW1HDN825YHR3EE | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 25°С | 949 лм 887 лм~1011 лм | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 1670 лм тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| СИ-Б8Т341Б2001 | Самсунг Полупроводник, Инк. | $16,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-МБ22С | 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Линейная световая полоса | 24В | 4000К | 158 лм/Вт | 5310лм | 1,4 А | 2.16А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||
| СИ-B8R111560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562А | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Холодный | 450 мА | С разъемом | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 50°С | 1580 лм тип. | 450 мА | 450 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZT2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 150 лм/Вт | 85°С | 2795лм 2726лм~2863лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZV3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 85°С | 3956 лм Тип | 900 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 11,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZW2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | Тип 2428lm | 540 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 85°С | 1273 лм Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH28YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 111 лм/Вт | 85°С | 3447lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 5547lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDNC25YHU32G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 152 лм/Вт | 25°С | 3880лм 3660лм~4100лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHCW1HDN945YHQTKH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 5700К | 150 лм/Вт | 25°С | 1310лм 1268лм~1351лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND28YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 112 лм/Вт | 85°С | 1390 лм тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 9,80 мм |
