Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Напряжение пробоя | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время подъема/спада (типичное) | Тип канала | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Снижение сопротивления до источника | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR9310TR | Вишай Силиконикс | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9310pbf-datasheets-8583.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д-Пак | 270пФ | 11 нс | 10 нс | 24 нс | 25 нс | 1,8 А | 20 В | 400В | 50 Вт Тс | 7Ом | P-канал | 270пФ при 25В | 7 Ом @ 1,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,8 А Тс | 13 нК при 10 В | 7 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФУ9110 | Вишай Силиконикс | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9110trpbf-datasheets-7143.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,38 мм | 329,988449мг | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-251АА | 200пФ | 10 нс | 27нс | 17 нс | 15 нс | 3.1А | 20 В | 100В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 1,2 Ом | P-канал | 200пФ при 25В | 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,1 А Тс | 8,7 нК при 10 В | 1,2 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛИ530Г | Вишай Силиконикс | $6,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irli530gpbf-datasheets-3553.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | 6.000006г | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 930пФ | 4,7 нс | 100 нс | 48 нс | 22 нс | 9,7А | 10 В | 100В | 42 Вт Тс | 160мОм | N-канал | 930пФ при 25В | 160 мОм при 5,8 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 9,7 А Тс | 28 нК при 5 В | 160 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ620 | Вишай Силиконикс | 1,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl620pbf-datasheets-2361.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220АБ | 360пФ | 4,2 нс | 31 нс | 17 нс | 18 нс | 5.2А | 10 В | 200В | 50 Вт Тс | 800мОм | 200В | N-канал | 360пФ при 25В | 800 мОм при 3,1 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 5,2 А Тс | 16 нК при 5 В | 800 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛИЗ34Г | Вишай Силиконикс | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irliz34gpbf-datasheets-3432.pdf | 60В | 20А | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Содержит свинец | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 1,6 нФ | 14 нс | 170 нс | 56 нс | 30 нс | 20А | 10 В | 60В | 42 Вт Тс | 50мОм | N-канал | 1600пФ при 25В | 50 мОм при 12 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 20А Тс | 35 нК при 5 В | 50 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF840LCL | Вишай Силиконикс | 1,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf840lclpbf-datasheets-5874.pdf | 500В | 8А | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,41 мм | 9,65 мм | 4,7 мм | Содержит свинец | 2.387001г | 1 | Одинокий | И2ПАК | 1,1 нФ | 12 нс | 25нс | 19 нс | 27 нс | 8А | 30В | 500В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | 850мОм | 500В | N-канал | 1100пФ при 25В | 850 мОм при 4,8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А Тк | 39 нК при 10 В | 850 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF634L | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf634pbf-datasheets-1281.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3,1 Вт | И2ПАК | 770пФ | 8.1А | 250В | N-канал | 770пФ при 25 В | 450 мОм при 5,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8.1А Тс | 41 нК при 10 В | 450 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF737LCL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 74 Вт | 6.1А | 300В | N-канал | 430пФ при 25В | 750 мОм при 3,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6.1А Тс | 17 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF740LCSTRL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf740lcpbf-datasheets-3932.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 125 Вт | Д2ПАК | 1,1 нФ | 10А | 400В | N-канал | 1100пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10А Тс | 39 нК при 10 В | 550 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ820Л | Вишай Силиконикс | $5,40 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 500В | 2,5 А | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Содержит свинец | И2ПАК | 360пФ | 8,6 нс | 2,5 А | 500В | 3,1 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 360пФ при 25В | 3 Ом при 1,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 24 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9610L | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9610pbf-datasheets-1546.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 Вт | И2ПАК | 170пФ | 1,8 А | 200В | P-канал | 170пФ при 25В | 3 Ом при 900 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,8 А Тс | 11 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9630STRR | Вишай Силиконикс | $11,29 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | -200В | -6,5А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 3 | Д2ПАК | 700пФ | 27нс | 6,5 А | 200В | 3 Вт Та 74 Вт Тс | P-канал | 700пФ при 25В | 800 мОм при 3,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,5 А Тс | 29 нК при 10 В | 800 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF710L | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf710pbf-datasheets-8514.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3,1 Вт | И2ПАК | 170пФ | 2А | 400В | N-канал | 170пФ при 25В | 3,6 Ом @ 1,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2А Тк | 17 нК при 10 В | 3,6 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6433BDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6433bdqt1ge3-datasheets-2867.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 40МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,05 Вт | 1 | Другие транзисторы | 45 нс | 60нс | 60 нс | 70 нс | -4,8А | 8В | КРЕМНИЙ | -1,5 В | 1,05 Вт Та | 4А | 12 В | P-канал | -1,5 В | 40 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А Та | 15 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBE20STRL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbe20pbf-datasheets-1770.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 54 Вт | 1,8 А | 800В | N-канал | 530пФ при 25В | 6,5 Ом при 1,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,8 А Тс | 38 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI9Z14G | Вишай Силиконикс | $6,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi9z14gpbf-datasheets-5098.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 270пФ | 11 нс | 63нс | 31 нс | 9,6 нс | 5.3А | 20 В | 60В | 27 Вт Тс | 500мОм | P-канал | 270пФ при 25В | 500 мОм при 3,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,3 А Тс | 12 нК при 10 В | 500 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФР1Н60АТРР | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihfr1n60age3-datasheets-4566.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 229пФ | 1,4 А | 600В | 36 Вт Тс | N-канал | 229пФ при 25В | 7 Ом при 840 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,4 А Тс | 14 нК @ 10 В | 7 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9014NTRL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9014trpbf-datasheets-0184.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 270пФ | 5.1А | 60В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | P-канал | 270пФ при 25В | 500 мОм при 3,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5.1А Тс | 12 нК при 10 В | 500 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9110TRR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9110trpbf-datasheets-7143.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 200пФ | 3.1А | 100В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | P-канал | 200пФ при 25В | 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,1 А Тс | 8,7 нК при 10 В | 1,2 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9014NTR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9014trpbf-datasheets-0184.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 5.1А | 60В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | P-канал | 270пФ при 25В | 500 мОм при 3,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5.1А Тс | 12 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9910DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 500 мкА | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si9910dje3-datasheets-5265.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 500 мкА | 16,5 В | 10,8 В | 8 | 1 | Нет | 700мВт | 10,8 В~16,5 В | СИ9910 | 700мВт | 8-СОИК | 1А | 135 нс | 50 нс | 35 нс | 135 нс | 1 | 50 нс 35 нс | Одинокий | Хайсайд | N-канальный МОП-транзистор | 1А 1А | 500В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ48С | Вишай Силиконикс | 1,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz48spbf-datasheets-5795.pdf | 60В | 50А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,54 мм | 4,69 мм | 8,81 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 2,4 нФ | 8,1 нс | 250 нс | 250 нс | 210 нс | 50А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Ta 190 Вт Tc | 18мОм | N-канал | 2400пФ при 25В | 18 мОм при 43 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Тс | 110 нК при 10 В | 18 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4338 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Неизвестный | 3 | Нет | 300мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 7пФ | -50В | 50В | -50В | 300мВт | 2,5 кОм | N-канал | 7пФ при 15В | 300 мВ при 100 нА | 50В | 200 мкА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ620СТРЛ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl620spbf-datasheets-5093.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | 360пФ | 5.2А | 200В | 3,1 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 360пФ при 25В | 800 мОм при 3,1 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 5,2 А Тс | 16 нК при 5 В | 800 мОм | 4В 10В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4391-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | Неизвестный | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 14пФ | 50 мА | -40В | -55В | 1,8 Вт | 30Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 40В | 50 мА при 20 В | 30 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛЗ14СТРР | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlz14spbf-datasheets-8912.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 400пФ | 9,3 нс | 110 нс | 26 нс | 17 нс | 10А | 10 В | 60В | 3,7 Вт Та 43 Вт Тс | 200мОм | N-канал | 400пФ при 25В | 200 мОм при 6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 10А Тс | 8,4 нК при 5 В | 200 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4416A-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | Без свинца | 4 | Неизвестный | 4 | да | Олово | Нет | е3 | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 8 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10 В | СОЕДИНЕНИЕ | -36В | 150Ом | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В при 1 нА | 35В | 5 мА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛЗ34С | Вишай Силиконикс | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlz34spbf-datasheets-5430.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,54 мм | 4,69 мм | 8,81 мм | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 1,6 нФ | 14 нс | 170 нс | 56 нс | 30 нс | 30А | 10 В | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | 50мОм | N-канал | 1600пФ при 25В | 50 мОм при 18 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 30А Тс | 35 нК при 5 В | 50 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5545JTXV01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-71-6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФПС40Н50Л | Вишай Силиконикс | $9,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfps40n50l-datasheets-5766.pdf | ТО-274АА | 16,1 мм | 20,8 мм | 5,3 мм | 38.000013г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | СУПЕР-247™ (ТО-274АА) | 8.11нФ | 27 нс | 170 нс | 69 нс | 50 нс | 46А | 30В | 500В | 540 Вт Тс | 100мОм | 500В | N-канал | 8110пФ при 25 В | 100 мОм при 28 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 46А Тц | 380 нК при 10 В | 100 мОм | 10 В | ±30 В |
