Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Тип входа | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Номинальное входное напряжение | Текущий | Достичь кода соответствия | Количество функций | Напряжение — вход (макс.) | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Выходная мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Тип выхода | Выбросить конфигурацию | Напряжение – нагрузка | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тип поставки | Функция | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Максимальная выходная мощность | Выходной ток высокого уровня | Пороговое напряжение | Тип переключателя | Конфигурация выхода | Защита от неисправностей | Ток-выход (макс.) | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Рассеиваемая мощность-Макс. | Встроенная защита | Число бит драйвера | Топология | Синхронный выпрямитель | Макс. рабочий цикл | Синхронизация часов | Количество входов | Выход | Эффективность | Режим управления | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Напряжение - Выход (Макс.) | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Напряжение — вход (мин.) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Функции управления | Ток – Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | RDS включен (тип.) | Соотношение – Вход:Выход | Частота — переключение | Максимальный ток сигнала | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Переключатель цепи | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIRC16DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 2,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sirc16dpt1ge3-datasheets-6826.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25В | 54,3 Вт Тс | N-канал | 5150пФ при 10 В | 0,96 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 60А Тс | 48 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1406DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1406dht1ge3-datasheets-1976.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 65мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 155пФ | 27 нс | 47нс | 29 нс | 54 нс | 3.1А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450 мВ | 1 Вт Та | 20 В | N-канал | 450 мВ | 65 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3.1А Та | 7,5 нК @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7818DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si7818dnt1e3-datasheets-8452.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 135 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 4В | 1,5 Вт Та | 2.2А | 4 мДж | N-канал | 135 мОм при 3,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,2А Та | 30 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-12П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0312pge3-datasheets-2078.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | Олово | 1 | Одинокий | ТО-252 | 1,6 нФ | 9 нс | 15нс | 12 нс | 20 нс | 17,5А | 20 В | 30В | 39 Вт Тс | 12мОм | 30В | N-канал | 1600пФ при 25В | 17 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,8А Та | 42 нК при 10 В | 17 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ431EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sqj431ept1ge3-datasheets-9445.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 12 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 200В | 83 Вт Тс | 178мОм | P-канал | 4355пФ при 25 В | 213 мОм при 1 А, 4 В | 3,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 160 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1428EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 25,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1428edht1ge3-datasheets-3524.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | EAR99 | неизвестный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1,56 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 2,8 Вт Тс | 4А | 0,045 Ом | N-канал | 45 мОм при 3,7 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4А Тк | 13,5 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS410DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sis410dnt1ge3-datasheets-2517.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 4,8 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 8 | Одинокий | 5,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-С5 | 25 нс | 15нс | 15 нс | 30 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 22А | 60А | N-канал | 1600пФ при 10В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 35А Тс | 41 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7794DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7794dpt1ge3-datasheets-5030.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 30 | 5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XDSO-C5 | 10 нс | 10 нс | 30 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 5 Вт Та 48 Вт Тс | 0,0034Ом | N-канал | 2,52 нФ при 15 В | 3,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 28,6 А Та 60 А Тс | 72 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1012crt1ge3-datasheets-5114.pdf | СК-75, СОТ-416 | 1,68 мм | 800 мкм | 860 мкм | Без свинца | 3 | 14 недель | 2,012816мг | Нет СВХК | 396мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Одинокий | 240мВт | 1 | 150°С | 11 нс | 16 нс | 11 нс | 26 нс | 630 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400мВ | 240мВт Та | 20 В | N-канал | 43пФ при 10 В | 396 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2 нК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32416DNP-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sip32416dnpt1ge4-datasheets-6370.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 8 | 14 недель | 50,008559мг | Неизвестный | 76мОм | 8 | Вкл/Выкл | EAR99 | 5,5 В | 1 | Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения | 580мВт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 0,5 мм | СИП32416 | 8 | КОНТРОЛЛЕР ДВОЙНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | НЕ УКАЗАН | 580мВт | 2,4А | 5В | 2А | N-канал | 1,1 В~5,5 В | 3,8 мс | 1 мкс | 2 | Общего назначения | Высокая сторона | Обратный ток | 5В | Не требуется | 62 м Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si2312bdst1e3-datasheets-6507.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1,397 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Неизвестный | 31мОм | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 750 мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 30 нс | 10 нс | 35 нс | 5А | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 850 мВ | 750мВт Та | 20 В | N-канал | 450 мВ | 31 мОм при 5 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 3,9А Та | 12 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32441DNP-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-sip32441dnpt1ge4-datasheets-4020.pdf | 4-UDFN Открытая площадка | 16 недель | Вкл/Выкл | EAR99 | неизвестный | е4 | Контролируемая скорость нарастания | Палладий/Золото (Pd/Au) | 260 | 30 | N-канал | 1,7 В~5,5 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | Обратный ток, УВЛО | 3А | Не требуется | 38 м Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TP0610K-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-tp0610kt1e3-datasheets-5432.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,02 мм | 1,4 мм | Без свинца | 1,437803г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 350 мВт | 1 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 155пФ | 20 нс | 35 нс | -185 мА | 20 В | 60В | -2В | 350мВт Та | 10Ом | -60В | P-канал | 23пФ при 25В | -1 В | 6 Ом при 500 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 185 мА Та | 1,7 нК при 15 В | 190 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32431DNP3-T1GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sip32431dr3t1ge3-datasheets-2669.pdf | 4-UFDFN Открытая площадка | 600 мкм | Без свинца | 4 | 16 недель | 50,008559мг | 520мОм | 4 | Вкл/Выкл | EAR99 | Нет | 5,5 В | 1 | Контролируемая скорость нарастания | 324 МВт | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | СИП32431 | 4 | 324 МВт | Драйверы периферийных устройств | 2/5 В | 125°С | 1,4 А | 1А | P-канал | 1,5 В~5,5 В | 20 мкс | 140 мкс | 4 мкс | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | Обратный ток | ПЕРЕХОДНЫЙ; ТЕРМАЛЬНЫЙ | 1 | Не требуется | 105 м Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISF04DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sisf04dnt1ge3-datasheets-1910.pdf | PowerPAK® 1212-8SCD | PowerPAK® 1212-8SCD | 30В | 5,2 Вт Ta 69,4 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2600пФ при 15В | 4 мОм при 7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 30А Та 108А Тс | 60 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3865CDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3865cdvt1ge3-datasheets-0081.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 15 недель | Неизвестный | 6 | Вкл/Выкл | Нет | Контролируемая скорость нарастания | 830мВт | СИ3865 | Двойной | 830мВт | 6-ЦОП | 1А | P-канал | 1,8 В~12 В | 2,8А | 12 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | 2,8А | 60мОм | 8В | 50мОм | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1026xt1ge3-datasheets-4252.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 32,006612мг | 3Ом | 6 | 250 мВт | СИ1026 | 2 | Двойной | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 30пФ | 500 мА | 20 В | 60В | 250 мВт | 3Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 30пФ при 25В | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 305 мА | 0,6 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 1,4 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32413DNP-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sip32416dnpt1ge4-datasheets-6370.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 8 | 14 недель | 50,008559мг | Неизвестный | 76мОм | 8 | Вкл/Выкл | да | EAR99 | Нет | 5,5 В | 1 | е4 | Контролируемая скорость нарастания | ПАЛЛАДИЕВОЕ ЗОЛОТО ПО НИКЕЛЮ | 580мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,5 мм | SIP32413 | 8 | КОНТРОЛЛЕР ДВОЙНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | 30 | 580мВт | 2,4А | 5В | 2А | N-канал | 1,1 В~5,5 В | 210 мкс | 1 мкс | 2 | Общего назначения | Высокая сторона | Обратный ток | 5В | Не требуется | 62 м Ом | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ1905DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1905dlt1e3-datasheets-4352.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 600мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1905 | 6 | Двойной | 20 | 270мВт | 2 | 6 нс | 25нс | 25 нс | 10 нс | 570 мА | 8В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,57 А | 8В | 2 P-канала (двойной) | -450 мВ | 600 мОм при 570 мА, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 2,3 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC472ED-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | микроБАК® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sic473edt1ge3-datasheets-5997.pdf | PowerPAK® MLP55-27 | 16 недель | 55В | PowerPAK® MLP55-27 | 50,6 В | Регулируемый | Понижение | 1 | Позитивный | Бак | Да | 50,6 В | 4,5 В | 8А | 0,8 В | 20 кГц~2 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4563DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si4563dyt1e3-datasheets-4444.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 25мОм | 8 | EAR99 | Олово | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4563 | 8 | 2 | 40 | 2 Вт | 2 | Не квалифицирован | 33 нс | 93нс | 69 нс | 80 нс | 8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 3,25 Вт | 8А | N и P-канал | 2390пФ при 20 В | 16 мОм при 5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 85 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP12110DMP-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sip12110dmpt1ge4-datasheets-9107.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 16 недель | EAR99 | неизвестный | 15 В | НЕ УКАЗАН | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | НЕ УКАЗАН | Регулируемый | Понижение | 1 | Позитивный | Бак | Да | 5,5 В | 4,5 В | 6А | 0,6 В | 400 кГц~1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4953ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si4953adyt1e3-datasheets-4570.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 53мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | 37А | е3 | Матовый олово (Sn) | 30В | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4953 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7 нс | 10 нс | 20 нс | 40 нс | -4,9А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 30В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 53 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,7А | 25 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9102DN02-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | BCDMOS | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si9102dn02t1e3-datasheets-5233.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 13,5 В | 20 | 722,005655мг | 20 | да | EAR99 | 120 В | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 250 | СИ9102 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | 40 | Импульсный регулятор или контроллеры | 3 Вт | 4В | 150 мкА | Зафиксированный | Повышение/понижение | 1 | 3 Вт | Положительный, возможность изоляции | 10 В | Обратный ход, прямой преобразователь | Нет | 80 % | ТЕКУЩИЙ РЕЖИМ | ОДИНОКИЙ | 10 В | 40 кГц~1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5938DU-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5938dut1e3-datasheets-4638.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 2,3 Вт | СИ5938 | 2 | Двойной | PowerPAK® ChipFet двойной | 520пФ | 20 нс | 65нс | 10 нс | 40 нс | 6А | 8В | 20 В | 8,3 Вт | 39мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 10В | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А | 16 нК при 8 В | Ворота логического уровня | 39 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9114ADY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | BCDMOS | 3мА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si9114adyt1e3-datasheets-9826.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 14 | 240,999296мг | 14 | да | EAR99 | 2 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ9114 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | 40 | Импульсный регулятор или контроллеры | 10 В | 700 мА | Транзисторный драйвер | 60нс | 40 нс | Повышение/понижение | 1 | Положительный, возможность изоляции | 48В | 200В | Обратный ход, прямой преобразователь | Нет | 50 % | Да | ТЕКУЩИЙ РЕЖИМ | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | ОДИНОКИЙ | Включить, плавный пуск | 9,5 В~16,5 В | 20 кГц~2 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6969BDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6969bdqt1e3-datasheets-4682.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 830мВт | СИ6969 | 2 | Двойной | 8-ЦСОП | 20 нс | 35 нс | 35 нс | 110 нс | 4А | 8В | 12 В | 830мВт | 30мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 30 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 4А | 25 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG408DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-dg408dye3-datasheets-7678.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,75 мм | 4 мм | 36В | Без свинца | 500 мкА | 16 | 13 недель | 665,986997мг | Неизвестный | 44В | 13В | 100Ом | 16 | да | Олово | Нет | 1 | 30 мА | е3 | 32В | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | ДГ408 | 16 | 8 | 30 | 600мВт | 1 | 150 нс | 150 нс | 20 В | 15 В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 5В | -15В | 30 мА | 100Ом | 100Ом | 75 дБ | 15Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 0,02 А | 8:1 | 500пА | 3пФ 26пФ | 150 нс, 150 нс | 20 шт. | 15 Ом (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7946DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si7946dpt1e3-datasheets-4796.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 150МОм | 8 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7946 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 11 нс | 15нс | 20 нс | 30 нс | 3,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10А | 4 мДж | 150 В | 2 N-канала (двойной) | 4 В | 150 мОм при 3,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2.1А | 20 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ303BDY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 230 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg303bdye3-datasheets-5523.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,75 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | Без свинца | 1 мА | 14 | 12 недель | 338,011364мг | Неизвестный | 36В | 13В | 50Ом | 14 | да | 2 | 230 нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | ДГ303 | 14 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | ДПСТ, СПДТ | 150 нс | 130 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 50Ом | 30Ом | 62 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | ДПСТ - НО/НЗ | ±15 В | 1нА | 14пФ 14пФ | 300 нс, 250 нс | 8 шт. | -74 дБ при 500 кГц |
