Вишай Силиконикс

Вишай Силиконикс(12746)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество каналов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Максимальная температура перехода (Tj) Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Время восстановления Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -50°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год /files/vishaysiliconix-si7655dnt1ge3-datasheets-8919.pdf PowerPAK® 1212-8S 3,3 мм 780 мкм 3,3 мм 5 14 недель Нет СВХК 8 EAR99 Олово Нет е3 С ИЗГИБ 2 Двойной 4,8 Вт 1 С-ПДСО-С5 45 нс 110 нс -40А 12 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В -500мВ 4,8 Вт Та 57 Вт Тс 0,0036Ом -20В P-канал 6600пФ при 10 В 3,6 мОм при 20 А, 10 В 1,1 В @ 250 мкА 40А Тс 225 нК при 10 В 2,5 В 10 В ±12 В
IRFIB6N60APBF ИРФИБ6Н60АПБФ Вишай Силиконикс 0,65 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfib6n60a-datasheets-8555.pdf TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка 10,63 мм 9,8 мм 4,83 мм Без свинца 8 недель 6.000006г Неизвестный 750мОм 3 Нет 1 Одинокий 60 Вт 1 ТО-220-3 1,4 нФ 13 нс 25нс 22 нс 30 нс 5,5 А 30В 600В 60 Вт Тс 750мОм 600В N-канал 1400пФ при 25В 4 В 750 мОм при 3,3 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 5,5 А Тс 49 нК при 10 В 750 мОм 10 В ±30 В
SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/vishaysiliconix-si7636dpt1e3-datasheets-9141.pdf ПауэрПАК® СО-8 4,9 мм 1,04 мм 5,89 мм Без свинца 5 14 недель 506,605978мг Неизвестный 4мОм 8 да EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 8 1 Одинокий 30 1,9 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-XDSO-C5 24 нс 16 нс 32 нс 90 нс 28А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,9 Вт Та 60А 30В N-канал 5600пФ при 15 В 1 В 4 м Ом при 25 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 17А Та 50 нК при 4,5 В 4,5 В 10 В ±20 В
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год /files/vishaysiliconix-sihd7n60et5ge3-datasheets-2905.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 2 18 недель 1,437803г Неизвестный 3 Олово Нет КРЫЛО ЧАЙКИ 1 Одинокий 78 Вт 1 Р-ПССО-Г2 26 нс 26нс 28 нс 48 нс 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 609В 78 Вт Тс ТО-252АА 0,6 Ом N-канал 680пФ при 100В 600 мОм при 3,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 7А Тк 40 нК при 10 В 10 В ±30 В
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF Вишай Силиконикс 0,28 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж, сквозное отверстие Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc40spbf-datasheets-1879.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 10,67 мм 4,83 мм 9,65 мм Без свинца 11 недель 1,437803г 1,2 Ом 3 Олово Нет 1 Одинокий 3,1 Вт 1 Д2ПАК 1,3 нФ 13 нс 18нс 20 нс 55 нс 6.2А 20 В 600В 3,1 Вт Ta 130 Вт Tc 1,2 Ом 600В N-канал 1300пФ при 25В 1,2 Ом @ 3,7 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 6,2 А Тс 60 нК при 10 В 1,2 Ом 10 В ±20 В
SIHA6N80E-GE3 SIHA6N80E-GE3 Вишай Силиконикс 1,06 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Э Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2018 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siha6n80ege3-datasheets-3351.pdf ТО-220-3 Полный пакет 18 недель ТО-220 Полный пакет 800В 31 Вт Тс 820мОм N-канал 827пФ при 100 В 940 мОм при 3 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 5,4 А Тс 44 нК при 10 В 10 В ±30 В
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/vishaysiliconix-sisa10dnt1ge3-datasheets-2152.pdf PowerPAK® 1212-8 3,4 мм 1,12 мм 3,4 мм 5 14 недель Неизвестный 8 EAR99 Нет ПЛОСКИЙ 240 1 Двойной 40 3,6 Вт 1 Полномочия общего назначения FET С-ПДСО-Ф5 20 нс 20 нс 27 нс 30А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,1 В 3,6 Вт Та 39 Вт Тс 0,0037Ом 20 мДж 30В N-канал 2425пФ при 15В 3,7 мОм при 10 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 30А Тс 51 нК при 10 В 4,5 В 10 В +20В, -16В
SQM50034EL_GE3 SQM50034EL_GE3 Вишай Силиконикс $2,66
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm50034elge3-datasheets-4101.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 14 недель ТО-263 (Д2Пак) 60В 150 Вт Тс N-канал 6100пФ при 25В 3,9 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 100А Тс 90 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SQJ433EP-T1_GE3 SQJ433EP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj433ept1ge3-datasheets-3220.pdf ПауэрПАК® СО-8 12 недель ПауэрПАК® СО-8 30В 83 Вт Тс P-канал 4877пФ при 15 В 8,1 мОм при 16 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 75А Тс 108 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Вишай Силиконикс 0,56 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq1440eht1ge3-datasheets-7915.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 6 12 недель EAR99 неизвестный ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Г6 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 60В 60В 3,3 Вт Тс 1,7 А 0,12 Ом 17 пФ N-канал 344пФ при 15В 120 мОм при 3,8 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 1,7 А Тс 5,5 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SI7810DN-T1-GE3 SI7810DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс 1,18 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7810dnt1e3-datasheets-3656.pdf PowerPAK® 1212-8 5 14 недель 8 EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 8 1 Одинокий 1,5 Вт 1 Полномочия общего назначения FET С-ПДСО-С5 10 нс 15нс 15 нс 20 нс 3,4А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,5 Вт Та 20А 0,062Ом 100В N-канал 62 мОм при 5,4 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 3,4А Та 17 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2018 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqja20ept1ge3-datasheets-8593.pdf ПауэрПАК® СО-8 1,267 мм 12 недель 1 68 Вт 175°С ПауэрПАК® СО-8 14 нс 27 нс 22,5А 20 В 200В 68 Вт Тс 41мОм 200В N-канал 1300пФ при 25В 50 мОм при 10 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 22,5 А Тс 27 нК при 10 В 7,5 В 10 В ±20 В
SUD50N06-09L-E3 СУД50Н06-09Л-Е3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysiliconix-sud50n0609le3-datasheets-5807.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,73 мм 2,507 мм 6,22 мм Без свинца 2 14 недель 1,437803г Нет СВХК 9,3 мОм 3 да EAR99 Нет е3 Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером КРЫЛО ЧАЙКИ 4 1 Одинокий 100 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 175°С Р-ПССО-Г2 10 нс 15нс 20 нс 35 нс 50А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 3 Вт Та 136 Вт Тс ТО-252АА 60В N-канал 2650пФ при 25В 2 В 9,3 мОм при 20 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 50А Тс 70 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SIJA58DP-T1-GE3 SIJA58DP-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sija58dpt1ge3-datasheets-0836.pdf ПауэрПАК® СО-8 1,267 мм 14 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН 1 НЕ УКАЗАН 4,1 Вт 175°С 10 нс 28 нс 29,3А 27,7 Вт Тс 40В N-канал 3750пФ при 20В 2,65 мОм при 15 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 60А Тс 75 нК при 10 В 4,5 В 10 В +20В, -16В
SQM120N03-1M5L_GE3 SQM120N03-1M5L_GE3 Вишай Силиконикс 1,24 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm120n031m5lge3-datasheets-6370.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 12 недель 1,946308 г Неизвестный 3 Нет 1 Одинокий 375 Вт 1 ТО-263 15,605 нФ 18 нс 11нс 11 нс 64 нс 120А 20 В 30В 375 Вт Тс 1,5 мОм 30В N-канал 15605пФ при 15В 1,5 мОм при 30 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 120А Тс 270 нК при 10 В 1,5 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
SI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/vishaysiliconix-si4848dyt1e3-datasheets-7754.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 8 14 недель 506,605978мг Неизвестный 85мОм 8 да EAR99 Нет е4 Серебро (Ag) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 8 1 Одинокий 30 1,5 Вт 1 Полномочия общего назначения FET 9 нс 10 нс 17 нс 24 нс 2,7А 20 В КРЕМНИЙ 1,5 Вт Та 150 В N-канал 85 мОм при 3,5 А, 10 В 2 В @ 250 мкА (мин) 2,7А Та 21 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Вишай Силиконикс 2,65 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbe30lpbf-datasheets-7866.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Без свинца 8 недель 3 Нет 125 Вт 1 Д2ПАК 1,3 нФ 12 нс 33нс 30 нс 82 нс 4.1А 20 В 800В 125 Вт Тс 3Ом N-канал 1300пФ при 25В 3 Ом при 2,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 4.1А Тс 78 нК при 10 В 3 Ом 10 В ±20 В
SQ2348ES-T1_GE3 SQ2348ES-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sq2348est1ge3-datasheets-0805.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 12 недель EAR99 неизвестный ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 1 Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 30В 30В 3 Вт Тк ТО-236АБ 0,024 Ом 50 пФ N-канал 540пФ при 15В 24 мОм при 12 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 8А Тк 14,5 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SQA410EJ-T1_GE3 SQA410EJ-T1_GE3 Вишай Силиконикс 0,54 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqa410ejt1ge3-datasheets-2530.pdf PowerPAK® SC-70-6 12 недель PowerPAK® SC-70-6 Одиночный 20 В 13,6 Вт Тс N-канал 485пФ при 10 В 28 мОм при 5 А, 4,5 В 1,1 В @ 250 мкА 7,8 А Тс 8 нК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/vishaysiliconix-sir640adpt1ge3-datasheets-3002.pdf ПауэрПАК® СО-8 6,15 мм 1,04 мм 5,15 мм Без свинца 5 14 недель 506,605978мг Нет СВХК 8 EAR99 Нет ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 1 Одинокий 30 6,25 Вт 1 Р-ПДСО-Ф5 38 нс 70нс 12 нс 42 нс 60А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 6,25 Вт Та 104 Вт Тс 350А 0,0025Ом 40В N-канал 4240пФ при 20 В 2 м Ом при 20 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 41,6 А Та 100 А Тс 90 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysiliconix-si7858adpt1ge3-datasheets-0758.pdf ПауэрПАК® СО-8 4,9 мм 1,04 мм 5,89 мм Без свинца 5 14 недель 506,605978мг 2,6 мОм 8 да EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 8 1 Одинокий 30 1,9 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПДСО-С5 40 нс 40 нс 70 нс 140 нс 29А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,9 Вт Та 20А 60А 12 В N-канал 5700пФ при 6В 2,6 мОм при 29 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 20А Та 80 нК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В ±8 В
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -50°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2005 г. /files/vishaysiliconix-si7611dnt1ge3-datasheets-7908.pdf PowerPAK® 1212-8 3,05 мм 1,17 мм 3,05 мм Без свинца 5 14 недель Неизвестный 25мОм 8 да EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ 260 8 1 40 3,7 Вт 1 Другие транзисторы 150°С S-XDSO-C5 10 нс 11нс 9 нс 30 нс -18А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В -1В 3,7 Вт Та 39 Вт Тс 9.3А 20А 26 мДж -40В P-канал 1980пФ при 20В -3 В 25 мОм при 9,3 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 18А Тк 62 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SISA96DN-T1-GE3 SISA96DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sisa96dnt1ge3-datasheets-9179.pdf PowerPAK® 1212-8 1,17 мм 14 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН 1 НЕ УКАЗАН 3,5 Вт 150°С 8 нс 13 нс 14,8А 26,5 Вт Тс 30В N-канал 1385пФ при 15В 8,8 мОм при 10 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 16А Тс 15 нК при 4,5 В 4,5 В 10 В +20В, -16В
SI8439DB-T1-E1 SI8439DB-T1-E1 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Диги-Рил® 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8439dbt1e1-datasheets-9962.pdf 4-УФБГА 4 13 недель Нет СВХК 4 EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) НИЖНИЙ МЯЧ 1 Одинокий 1 30 нс 25нс 210 нс 330 нс -9,2А -800мВ КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ -400мВ 1,1 Вт Ta 2,7 Вт Tc 0,025 Ом -8В P-канал 25 мОм при 1,5 А, 4,5 В 800 мВ при 250 мкА 50 нК при 4,5 В 1,2 В 4,5 В ±5 В
IRF644PBF ИРФ644ПБФ Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2008 год /files/vishaysiliconix-irf644pbf-datasheets-1274.pdf 250В 14А ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм Без свинца 8 недель 6.000006г Неизвестный 280мОм 3 Олово Нет 1 Одинокий 125 Вт 1 ТО-220АБ 1,3 нФ 11 нс 24 нс 49 нс 53 нс 14А 20 В 250В 125 Вт Тс 500 нс 280мОм 250В N-канал 1300пФ при 25В 4 В 280 мОм при 8,4 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 14А Тс 68 нК при 10 В 280 мОм 10 В ±20 В
IRFB11N50APBF ИРФБ11Н50АПБФ Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysiliconix-irfb11n50apbf-datasheets-1825.pdf 500В 11А ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм Без свинца 11 недель 6.000006г Неизвестный 520мОм 3 Нет 1 Одинокий 170 Вт 1 ТО-220АБ 1,423 нФ 14 нс 35 нс 28 нс 32 нс 11А 30В 500В 170 Вт Тс 520мОм 500В N-канал 1423 пФ при 25 В 4 В 520 мОм при 6,6 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 11А Тк 52 нК при 10 В 520 мОм 10 В ±30 В
IRLR014PBF IRLR014PBF Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2005 г. /files/vishaysiliconix-irlu014pbf-datasheets-7963.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,73 мм 2,39 мм 6,22 мм Без свинца 2 8 недель 1,437803г Неизвестный 200мОм 3 да EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ Нет е3 МАТОВАЯ ТУНКА КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 1 Одинокий 40 2,5 Вт 1 Р-ПССО-Г2 9,3 нс 110 нс 26 нс 17 нс 7,7А 10 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2,5 Вт Та 25 Вт Тс 27,4 мДж 60В N-канал 400пФ при 25В 2 В 200 мОм при 4,6 А, 5 В 2 В @ 250 мкА 7,7 А Тс 8,4 нК при 5 В 4В 5В ±10 В
IRF630SPBF ИРФ630СПБФ Вишай Силиконикс 1,41 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf630spbf-datasheets-3326.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 10,67 мм 4,83 мм 9,65 мм Без свинца 8 недель 1,437803г Неизвестный 400МОм 3 Нет 1 Одинокий 3 Вт 1 Д2ПАК (ТО-263) 800пФ 9,4 нс 28нс 20 нс 39 нс 20 В 200В 3 Вт Та 74 Вт Тс 400мОм N-канал 800пФ при 25В 4 В 400 мОм при 5,4 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 9А Тц 43 нК при 10 В 400 мОм 10 В ±20 В
IRFI510GPBF IRFI510GPBF Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2017 год /files/vishaysiliconix-irfi510gpbf-datasheets-3853.pdf TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка 10,63 мм 9,8 мм 4,83 мм 8 недель 6.000006г Нет СВХК 3 Нет 1 Одинокий 27 Вт 1 ТО-220-3 180пФ 6,9 нс 16 нс 9,4 нс 15 нс 4,5 А 20 В 100В 27 Вт Тс 540мОм N-канал 180пФ при 25В 4 В 540 мОм при 2,7 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 4,5 А Тс 8,3 нК при 10 В 540 мОм 10 В ±20 В
SQM40016EM_GE3 SQM40016EM_GE3 Вишай Силиконикс 2,62 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm40016emge3-datasheets-4412.pdf ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) 14 недель ТО-263-7 40В 300 Вт Тс N-канал 15000пФ при 25В 1 мОм при 40 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 250А Тс 245 нК при 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.