Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7655DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7655dnt1ge3-datasheets-8919.pdf | PowerPAK® 1212-8S | 3,3 мм | 780 мкм | 3,3 мм | 5 | 14 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | С ИЗГИБ | 2 | Двойной | 4,8 Вт | 1 | С-ПДСО-С5 | 45 нс | 110 нс | -40А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -500мВ | 4,8 Вт Та 57 Вт Тс | 0,0036Ом | -20В | P-канал | 6600пФ при 10 В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 40А Тс | 225 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФИБ6Н60АПБФ | Вишай Силиконикс | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfib6n60a-datasheets-8555.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 750мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 60 Вт | 1 | ТО-220-3 | 1,4 нФ | 13 нс | 25нс | 22 нс | 30 нс | 5,5 А | 30В | 600В | 4В | 60 Вт Тс | 750мОм | 600В | N-канал | 1400пФ при 25В | 4 В | 750 мОм при 3,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,5 А Тс | 49 нК при 10 В | 750 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7636DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si7636dpt1e3-datasheets-9141.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 4мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,9 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 24 нс | 16 нс | 32 нс | 90 нс | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 60А | 30В | N-канал | 5600пФ при 15 В | 1 В | 4 м Ом при 25 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17А Та | 50 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SIHD7N60E-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sihd7n60et5ge3-datasheets-2905.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 18 недель | 1,437803г | Неизвестный | 3 | Олово | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 78 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 26 нс | 26нс | 28 нс | 48 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 609В | 2В | 78 Вт Тс | ТО-252АА | 7А | 0,6 Ом | N-канал | 680пФ при 100В | 600 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7А Тк | 40 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC40STRLPBF | Вишай Силиконикс | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc40spbf-datasheets-1879.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 11 недель | 1,437803г | 1,2 Ом | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Д2ПАК | 1,3 нФ | 13 нс | 18нс | 20 нс | 55 нс | 6.2А | 20 В | 600В | 3,1 Вт Ta 130 Вт Tc | 1,2 Ом | 600В | N-канал | 1300пФ при 25В | 1,2 Ом @ 3,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,2 А Тс | 60 нК при 10 В | 1,2 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHA6N80E-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siha6n80ege3-datasheets-3351.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | ТО-220 Полный пакет | 800В | 31 Вт Тс | 820мОм | N-канал | 827пФ при 100 В | 940 мОм при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,4 А Тс | 44 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISA10DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sisa10dnt1ge3-datasheets-2152.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,4 мм | 1,12 мм | 3,4 мм | 5 | 14 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | ПЛОСКИЙ | 240 | 1 | Двойной | 40 | 3,6 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-Ф5 | 20 нс | 20 нс | 27 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,1 В | 3,6 Вт Та 39 Вт Тс | 0,0037Ом | 20 мДж | 30В | N-канал | 2425пФ при 15В | 3,7 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 30А Тс | 51 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM50034EL_GE3 | Вишай Силиконикс | $2,66 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm50034elge3-datasheets-4101.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 14 недель | ТО-263 (Д2Пак) | 60В | 150 Вт Тс | N-канал | 6100пФ при 25В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 100А Тс | 90 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ433EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj433ept1ge3-datasheets-3220.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 12 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 30В | 83 Вт Тс | P-канал | 4877пФ при 15 В | 8,1 мОм при 16 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 75А Тс | 108 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ1440EH-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq1440eht1ge3-datasheets-7915.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 60В | 60В | 3,3 Вт Тс | 1,7 А | 0,12 Ом | 17 пФ | N-канал | 344пФ при 15В | 120 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,7 А Тс | 5,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7810DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7810dnt1e3-datasheets-3656.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 14 недель | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 8 | 1 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-С5 | 10 нс | 15нс | 15 нс | 20 нс | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 20А | 0,062Ом | 100В | N-канал | 62 мОм при 5,4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 3,4А Та | 17 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJA20EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqja20ept1ge3-datasheets-8593.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,267 мм | 12 недель | 1 | 68 Вт | 175°С | ПауэрПАК® СО-8 | 14 нс | 27 нс | 22,5А | 20 В | 200В | 68 Вт Тс | 41мОм | 200В | N-канал | 1300пФ при 25В | 50 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 22,5 А Тс | 27 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н06-09Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sud50n0609le3-datasheets-5807.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,507 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 14 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 9,3 мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 175°С | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 15нс | 20 нс | 35 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 3 Вт Та 136 Вт Тс | ТО-252АА | 60В | N-канал | 2650пФ при 25В | 2 В | 9,3 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Тс | 70 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SIJA58DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sija58dpt1ge3-datasheets-0836.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,267 мм | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 4,1 Вт | 175°С | 10 нс | 28 нс | 29,3А | 27,7 Вт Тс | 40В | N-канал | 3750пФ при 20В | 2,65 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 60А Тс | 75 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM120N03-1M5L_GE3 | Вишай Силиконикс | 1,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm120n031m5lge3-datasheets-6370.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | 1,946308 г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 375 Вт | 1 | ТО-263 | 15,605 нФ | 18 нс | 11нс | 11 нс | 64 нс | 120А | 20 В | 30В | 2В | 375 Вт Тс | 1,5 мОм | 30В | N-канал | 15605пФ при 15В | 1,5 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 120А Тс | 270 нК при 10 В | 1,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4848DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4848dyt1e3-datasheets-7754.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 85мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е4 | Серебро (Ag) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 9 нс | 10 нс | 17 нс | 24 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | 2В | 1,5 Вт Та | 150 В | N-канал | 85 мОм при 3,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 2,7А Та | 21 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBE30STRLPBF | Вишай Силиконикс | 2,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbe30lpbf-datasheets-7866.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 8 недель | 3 | Нет | 125 Вт | 1 | Д2ПАК | 1,3 нФ | 12 нс | 33нс | 30 нс | 82 нс | 4.1А | 20 В | 800В | 125 Вт Тс | 3Ом | N-канал | 1300пФ при 25В | 3 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4.1А Тс | 78 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ2348ES-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sq2348est1ge3-datasheets-0805.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30В | 30В | 3 Вт Тк | ТО-236АБ | 8А | 0,024 Ом | 50 пФ | N-канал | 540пФ при 15В | 24 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 14,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQA410EJ-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqa410ejt1ge3-datasheets-2530.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 12 недель | PowerPAK® SC-70-6 Одиночный | 20 В | 13,6 Вт Тс | N-канал | 485пФ при 10 В | 28 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 7,8 А Тс | 8 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR640ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir640adpt1ge3-datasheets-3002.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 6,15 мм | 1,04 мм | 5,15 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 6,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 38 нс | 70нс | 12 нс | 42 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 6,25 Вт Та 104 Вт Тс | 350А | 0,0025Ом | 40В | N-канал | 4240пФ при 20 В | 2 м Ом при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 41,6 А Та 100 А Тс | 90 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7858ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7858adpt1ge3-datasheets-0758.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | 2,6 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,9 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 40 нс | 40 нс | 70 нс | 140 нс | 29А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 20А | 60А | 12 В | N-канал | 5700пФ при 6В | 2,6 мОм при 29 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 20А Та | 80 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI7611DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si7611dnt1ge3-datasheets-7908.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,17 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 25мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 3,7 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | S-XDSO-C5 | 10 нс | 11нс | 9 нс | 30 нс | -18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | -1В | 3,7 Вт Та 39 Вт Тс | 9.3А | 20А | 26 мДж | -40В | P-канал | 1980пФ при 20В | -3 В | 25 мОм при 9,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 18А Тк | 62 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| SISA96DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sisa96dnt1ge3-datasheets-9179.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 1,17 мм | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 3,5 Вт | 150°С | 8 нс | 13 нс | 14,8А | 26,5 Вт Тс | 30В | N-канал | 1385пФ при 15В | 8,8 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 16А Тс | 15 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8439DB-T1-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8439dbt1e1-datasheets-9962.pdf | 4-УФБГА | 4 | 13 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 | Одинокий | 1 | 30 нс | 25нс | 210 нс | 330 нс | -9,2А | -800мВ | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | -400мВ | 1,1 Вт Ta 2,7 Вт Tc | 0,025 Ом | -8В | P-канал | 25 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 50 нК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ644ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-irf644pbf-datasheets-1274.pdf | 250В | 14А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 280мОм | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 125 Вт | 1 | ТО-220АБ | 1,3 нФ | 11 нс | 24 нс | 49 нс | 53 нс | 14А | 20 В | 250В | 4В | 125 Вт Тс | 500 нс | 280мОм | 250В | N-канал | 1300пФ при 25В | 4 В | 280 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Тс | 68 нК при 10 В | 280 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФБ11Н50АПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-irfb11n50apbf-datasheets-1825.pdf | 500В | 11А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 11 недель | 6.000006г | Неизвестный | 520мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 170 Вт | 1 | ТО-220АБ | 1,423 нФ | 14 нс | 35 нс | 28 нс | 32 нс | 11А | 30В | 500В | 4В | 170 Вт Тс | 520мОм | 500В | N-канал | 1423 пФ при 25 В | 4 В | 520 мОм при 6,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 52 нК при 10 В | 520 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR014PBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-irlu014pbf-datasheets-7963.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 200мОм | 3 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 9,3 нс | 110 нс | 26 нс | 17 нс | 7,7А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 27,4 мДж | 60В | N-канал | 400пФ при 25В | 2 В | 200 мОм при 4,6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 8,4 нК при 5 В | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ630СПБФ | Вишай Силиконикс | 1,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf630spbf-datasheets-3326.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 400МОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3 Вт | 1 | Д2ПАК (ТО-263) | 800пФ | 9,4 нс | 28нс | 20 нс | 39 нс | 9А | 20 В | 200В | 4В | 3 Вт Та 74 Вт Тс | 400мОм | N-канал | 800пФ при 25В | 4 В | 400 мОм при 5,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 9А Тц | 43 нК при 10 В | 400 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-irfi510gpbf-datasheets-3853.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 27 Вт | 1 | ТО-220-3 | 180пФ | 6,9 нс | 16 нс | 9,4 нс | 15 нс | 4,5 А | 20 В | 100В | 4В | 27 Вт Тс | 540мОм | N-канал | 180пФ при 25В | 4 В | 540 мОм при 2,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 8,3 нК при 10 В | 540 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM40016EM_GE3 | Вишай Силиконикс | 2,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm40016emge3-datasheets-4412.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 14 недель | ТО-263-7 | 40В | 300 Вт Тс | N-канал | 15000пФ при 25В | 1 мОм при 40 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 250А Тс | 245 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
