Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Номинальное входное напряжение | Текущий | Достичь кода соответствия | Количество функций | Мощность | Напряжение — вход (макс.) | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Минимальное входное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Тип выхода | Выбросить конфигурацию | Напряжение – нагрузка | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тип поставки | Функция | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Максимальная выходная мощность | Выходной ток высокого уровня | Пороговое напряжение | Тип переключателя | Конфигурация выхода | Защита от неисправностей | Ток-выход (макс.) | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Рассеиваемая мощность-Макс. | Встроенная защита | Время выключения | Выходной ток на канал | Число бит драйвера | Топология | Синхронный выпрямитель | Макс. рабочий цикл | Синхронизация часов | Рабочий цикл | Количество входов | Эффективность | Режим управления | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Напряжение - Выход (Макс.) | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Напряжение — вход (мин.) | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Функции управления | Ток - Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | RDS включен (тип.) | Соотношение – Вход:Выход | Частота — переключение | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Схема переключателя | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIR774DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $6,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir774dpt1ge3-datasheets-2880.pdf | 5 | EAR99 | ДА | 62,5 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 62,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 10 нс | 10 нс | 33 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 80А | 2,1 мОм | 45 мДж | 30 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2337DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si2337dst1e3-datasheets-2246.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,12 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 270мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 760мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 20 нс | -2,2 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | -2В | 760 мВт Ta 2,5 Вт Tc | -80В | P-канал | 500пФ при 40В | 270 мОм при 1,2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,2 А Тс | 17 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ437ЕДКТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sib437edktt1ge3-datasheets-4889.pdf | PowerPAK® TSC-75-6 | 3 | 15 недель | 95,991485мг | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 6 | 1 | Одинокий | 2,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | С-ПДСО-Н3 | 90 нс | 170 нс | 630 нс | 690 нс | 7,5 А | 5В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | -350мВ | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 9А | 25А | 0,034Ом | -8В | P-канал | 34 мОм при 3 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 9А Тц | 16 нК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2301BDS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/vishaysiliconix-si2301bdst1e3-datasheets-4774.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,12 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Неизвестный | 100МОм | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 700мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 20 нс | 40 нс | 40 нс | 30 нс | -2,2 А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | -950мВ | 700мВт Та | -20В | P-канал | 375пФ при 6В | -950 мВ | 100 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 2,2А Та | 10 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32409DNP-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sip32409dnpt1ge4-datasheets-0144.pdf | 4-UFDFN Открытая площадка | 4 | 16 недель | 50,008559мг | 52мОм | 4 | Вкл/Выкл | да | Нет | 5,5 В | 1 | Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения | Палладий/золото (Pd/Au) – с барьером из никеля (Ni) | 735 МВт | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | 1 | СПСТ | 735 МВт | 3,5 А | 3,5 А | N-канал | 1,1 В~5,5 В | 1,8 мс | 1 мкс | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | Обратный ток | 3800000нс | Не требуется | 44 м Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1302DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1302dlt1e3-datasheets-6317.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 6,208546 мг | Нет СВХК | 480мОм | 3 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 310мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 5 нс | 8нс | 7 нс | 8 нс | 640 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | 1В | 280мВт Та | 0,6А | 30 В | N-канал | 3 В | 480 мОм при 600 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 600 мА Та | 1,4 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP4282DVP-3-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sip4282adnp3t1ge4-datasheets-7143.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | 6 | 14 недель | 95,991485мг | 105мОм | 6 | Вкл/Выкл | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения | МАТОВАЯ ТУНКА | 610мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | СИП4282 | 6 | 5,5 В | 40 | Драйверы периферийных устройств | 2/5 В | 3А | 1,2А | P-канал | 1,8 В~5,5 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | 1,4 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 40 мкс | 1,2А | 1 | Не требуется | 105 м Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2374DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si2374dst1ge3-datasheets-0206.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,12 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | 30 | 960мВт | 1 | 150°С | 10 нс | 22нс | 9 нс | 16 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 960 мВт Ta 1,7 Вт Tc | 5,9А | 20 В | N-канал | 735пФ при 10 В | 30 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А Та 5,9 А Тс | 20 нК при 10 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32454DB-T2-GE1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МИКРО ФУТ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sip32454dbt2ge1-datasheets-4013.pdf | 4-УФБГА, КСПБГА | 800 мкм | 545 мкм | 800 мкм | 20 недель | Неизвестный | 2,5 В | 800мВ | 35мОм | 4 | Вкл/Выкл | 2,5 В | 1,2А | 196мВт | Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения | 2,5 В | 196мВт | СИП32454 | 4-ВКСП (0,76x0,76) | 1,2А | N-канал | 0,8 В~2,5 В | 1,2 мс | 1 мкс | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | Обратный ток | 1,2А | Не требуется | 28мОм | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ208EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj208ept1ge3-datasheets-1883.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® SO-8 двойной асимметричный | 40В | 27 Вт Тк 48 Вт Тк | 2 N-канала (двойной) | 1700пФ 3900пФ при 25В | 9,4 мОм при 6 А, 10 В, 3,9 мОм при 10 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА, 2,4 В @ 250 мкА | 20А Тк 60А Тк | 33 нК, 75 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9706DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si9706dye3-datasheets-0073.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 142,994995мг | да | Нет | 1 | е3 | Контролируемая скорость нарастания | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | СИ9706 | 8 | 3,6 В | 3В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 40 | Схемы управления питанием | 3,3/5 В | Р-ПДСО-Г8 | 3,3 В 5 В | 1 | PCMCIA-переключатель | Высокая сторона | 2А | 70МОм | Не требуется | 2:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3951DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si3951dvt1ge3-datasheets-3040.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 21 неделя | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,14 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3951 | 6 | Двойной | 30 | 2 | Другие транзисторы | 9 нс | 30 нс | 16 нс | 32 нс | -2,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,5 В | 2 Вт | 10А | 0,115 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 250пФ при 10В | 115 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,7А | 5,1 нК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32401DNP-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-UFDFN Открытая площадка | 12 недель | 4 | Вкл/Выкл | Нет | Контролируемая скорость нарастания | 324 МВт | 4-ТДФН (1,2х1,6) | 2,4А | N-канал | 1,1 В~5,5 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | 2,4А | Не требуется | 62мОм | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3911DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3911dvt1e3-datasheets-4367.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 145 мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3911 | 6 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 12 нс | 29нс | 29 нс | 24 нс | -2,2 А | 8В | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 А | 2 P-канала (двойной) | 145 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 1,8 А | 7,5 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP12117DMP-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sip12117dmpt1ge4-datasheets-7345.pdf | 10-VFDFN Открытая площадка | Без свинца | 15 недель | EAR99 | 15 В | НЕ УКАЗАН | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | НЕ УКАЗАН | Регулируемый | Понижение | 1 | Позитивный | Бак | Да | 5,5 В | 4,5 В | 3А | 0,6 В | 600 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4388DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4388dyt1e3-datasheets-4448.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,5 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ4388 | 8 | 2 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 15 нс | 15 нс | 40 нс | 8.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3 Вт 3,5 Вт | 11,3А | 40А | 30 В | 2 N-канала (полумост) | 946пФ при 15 В | 16 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,7 А 11,3 А | 27 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC466ED-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 4,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | микроБАК® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sic469edt1ge3-datasheets-4516.pdf | PowerPAK® MLP55-27 | 16 недель | 60В | PowerPAK® MLP55-27 | Регулируемый | Понижение | 1 | Позитивный | Бак | Да | 55,2 В | 4,5 В | 10А | 0,8 В | 100 кГц~2 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si1025xt1ge3-datasheets-4065.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 32,006612мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | Нет | 250мВт | СИ1025 | 2 | Двойной | 250мВт | 2 | СК-89-6 | 23пФ | 500 мА | 20 В | 60В | -3В | 250мВт | 8Ом | -60В | 2 P-канала (двойной) | 23пФ при 25В | 4 Ом при 500 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 190 мА | 1,7 нК при 15 В | Ворота логического уровня | 4 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9104DW-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si9104dwt1e3-datasheets-5210.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 13,5 В | 473,692182мг | 16 | Нет | 120 В | 120 В | СИ9104 | 16-СОИК | 10 В | 4В | 150 мкА | Зафиксированный | Повышение/понижение | 1 | 3 Вт | Положительный, возможность изоляции | Обратный ход, прямой преобразователь | Нет | 80 % | 10 В | 40 кГц~1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5515DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5515dct1e3-datasheets-4608.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 84,99187мг | Неизвестный | 40мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ5515 | 2 | 1,1 Вт | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 18 нс | 32нс | 32 нс | 42 нс | 4,4А | 8В | 20 В | 400мВ | 1,1 Вт | 69мОм | N и P-канал | 400 мВ | 40 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,4 А 3 А | 7,5 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 40 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9114ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | BCDMOS | 3мА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si9114adyt1e3-datasheets-9826.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | Без свинца | 3мА | 14 | 240,999296мг | 14 | да | EAR99 | 2 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ9114 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | 40 | Импульсный регулятор или контроллеры | 10 В | 700 мА | Транзисторный драйвер | 60нс | 40 нс | Повышение/понижение | 1 | Положительный, возможность изоляции | 48В | 200В | Обратный ход, прямой преобразователь | Нет | 50 % | Да | ТЕКУЩИЙ РЕЖИМ | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | ОДИНОКИЙ | Включить, плавный пуск | 9,5 В~16,5 В | 20 кГц~2 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6993DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6993dqt1e3-datasheets-4694.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4958 мм | 1,0414 мм | 3,0988 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 31мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6993 | 8 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 13 нс | 14нс | 14 нс | 52 нс | -4,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 3,6А | 30 В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 31 мОм при 4,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,6А | 20 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9112DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | BCDMOS | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si9112dyt1e3-datasheets-9812.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | Без свинца | 14 | 338,011364мг | 14 | да | EAR99 | 3 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ9112 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | 40 | Импульсный регулятор или контроллеры | 150 мкА | 8,7 В | 10 мА | Транзисторный драйвер | 40 нс | 40 нс | Повышение/понижение | 1 | Позитивный | 12 В | 9В | 80В | Cuk, Flyback, Прямой преобразователь, Push-Pull | Нет | 50 % | 50 % | ТЕКУЩИЙ РЕЖИМ | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | ОДИНОКИЙ | Включить, Сбросить | 9 В~13,5 В | 40 кГц~1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4916DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4916dyt1e3-datasheets-4536.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 186,993455мг | 18мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,5 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ4916 | 8 | 2 | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 13нс | 13 нс | 27 нс | 7,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3 Вт 3,5 Вт | 10,5 А | 40А | 30 В | 2 N-канала (полумост) | 18 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А 10,5А | 10 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG333ADW-E3 | Вишай Силиконикс | $4,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 200 мкА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-dg333adwe3-datasheets-5131.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12,8 мм | 2,34 мм | 7,49 мм | Без свинца | 200 мкА | 20 | 12 недель | 800,987426мг | 40В | 5В | 75Ом | 20 | да | Нет | 4 | 200 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | 800мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | ДГ333 | 20 | 4 | 40 | 800мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | 175 нс | 145 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4В | -15В | 8 | 45Ом | 25Ом | 72 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 5В~40В ±4В~22В | 2:1 | SPDT | 250пА | 8пФ | 175 нс, 145 нс | 10 шт. | 2 Ом (макс.) | -80 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИФ902ЕДЗ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sif902edzt1e3-datasheets-4863.pdf | PowerPAK® 2x5 | 6 | 111 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,6 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИФ902Е | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 1,7 мкс | 2,3 мкс | 2,3 мкс | 1 мкс | 7А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 40А | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 22 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 14 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg413dqt1e3-datasheets-3810.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | Без свинца | 1 мкА | 16 | 13 недель | 665,986997мг | Неизвестный | 36В | 13В | 35Ом | 16 | да | Нет | 4 | 100пА | е3 | Матовый олово (Sn) | Инвертирование | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ411 | 16 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | СПСТ | 175 нс | 145 нс | 22В | 9В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 30 мА | 4 | 35Ом | 25Ом | 68 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 220 нс | Северная Каролина | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ914ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sib914dkt1ge3-datasheets-5475.pdf | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 1,6 мм | 750 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 95,991485мг | Неизвестный | 113 мОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | 3,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИБ914 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4 нс | 7нс | 7 нс | 22 нс | 1,5 А | 5В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 8В | 2 N-канала (двойной) | 125пФ при 4В | 800 мВ | 113 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,6 нК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG419LEDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg419ledqt1ge3-datasheets-7465.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 16 недель | 1 | 8-МСОП | 18Ом | 3В~16В ±3В~8В | 1:1 | SPDT | 10нА | 6пФ 20пФ | 40 нс, 35 нс | 26 шт. | -72 дБ при 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4670DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4670dyt1ge3-datasheets-9495.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4670 | 8 | 2 | 30 | 2 | 15 нс | 50 нс | 50 нс | 20 нс | 8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,8 Вт | 7А | 25В | 2 N-канала (двойной) | 680пФ при 13В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18 нК @ 10 В | Ворота логического уровня |
