Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Количество выходов | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Количество входов | Граничное сканирование | Режим низкого энергопотребления | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество эквивалентных ворот | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFSCM3GA40EP1-6FFN1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA40 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 562 | 497,5 КБ | 562 | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFX1200B-03FE680C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 680-ЛБГА | 40 мм | 40 мм | 2,5 В | 680 | 680 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | LFX1200 | 680 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 82,5 КБ | 496 | 51,8 КБ | 496 | 320 МГц | 1250000 | 15376 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3844 | 423936 | 1,07 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFX1200EC-03F900C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,8 В | 900 | 900 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,65 В~1,95 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFX1200 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 82,5 КБ | 496 | 51,8 КБ | 496 | 320 МГц | 1250000 | 15376 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3844 | 423936 | 1,07 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64EV-3F100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-ЛБГА | 11 мм | 11 мм | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 3,3 В | 1 мм | LX64 | 100 | 30 | 11 Гбит/с | 64 | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ DSP, ТРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОРТ42Г5-2БМ484И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 4 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ort42g52bm484i-datasheets-5579.pdf | 484-ББГА | 484 | 484 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,425 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | ОРТ42Г5 | 484 | Программируемые вентильные матрицы | 1,53/3,3 В | Не квалифицирован | 204 | 13,9 КБ | 1296 КЛБС, 333000 ВОРОТ | 643000 | 10368 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 333000 | 1296 | 113664 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OR3T557BA256-ДБ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 253 МГц | 2,32 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1993 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-or3t306s208db-datasheets-5513.pdf | 256-БГА | 27 мм | 27 мм | 256 | 256 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | OR3T557 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 3,3 В | Не квалифицирован | 223 | 5,3 КБ | 219 | 80000 | 2592 | 1024 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 324 | 43008 | 1,05 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-3F256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | нет | EAR99 | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | 4,9 нс | 159 | 159 | 388 МГц | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP15E-4F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕКП15 | 484 | 51,4 КБ | 352 | 43,8 КБ | 15400 | 1920 год | 358400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-6FC1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BCBGA, FCBGA | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA40 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 604 | 497,5 КБ | 604 | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-6FC1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BCBGA, FCBGA | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 1152 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-4T144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 97 | 6,9 КБ | 97 | 384 КЛБС | 3100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-6MG132IR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,49 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 2,5 В | 132 | 132 | EAR99 | 141,645 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 104 | 105 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-3TG144CR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 58 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 1,2 В | 144 | 144 | EAR99 | 140,315 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 107 | 108 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L04F-LCB132I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 26 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 132-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 132 | 132 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | 10 КБ | 95 | 10 КБ | 95 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,2 нс | 159 | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L08F-TCB284I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 54 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 284-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 284 | 284 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 16 КБ | 222 | 16 КБ | 222 | 7680 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 131072 | 960 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L08F-TCB284C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 54 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 284-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 284 | 284 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 16 КБ | 222 | 16 КБ | 222 | 7680 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 131072 | 960 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95E-6FN1156C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | 1156 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 576КБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 375 МГц | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70E-8FN672C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | 672 | 672 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 672 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 570,6кБ | 380 | 552,5 КБ | 380 | 500 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95E-8FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | 484 | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | 484 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 576КБ | 295 | 552,5 КБ | 295 | 500 МГц | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC15E-4F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕК15 | 484 | 51,4 КБ | 352 | 43,8 КБ | 15400 | 1920 год | 358400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC1E-5T144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК1 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 3КБ | 97 | 2,3 КБ | 97 | 1500 | 192 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 192 | 18432 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC6E-3FN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | 484 | EAR99 | 340 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК6 | 484 | 14,6 КБ | 224 | 11,5 КБ | 6100 | 768 | 94208 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-4TN100I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | да | EAR99 | 378 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 67 | 6,9 КБ | 67 | 384 КЛБС | 3100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-4FN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 378 МГц | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП10 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 195 | 34,5 КБ | 195 | 1280 КЛБС | 10200 | 1275 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1280 | 282624 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP15E-4FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | 378 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП15 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 51,4 КБ | 195 | 43,8 КБ | 195 | 15400 | 1920 год | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15300 | 358400 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP15E-3FN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | 340 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП15 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 51,4 КБ | 195 | 43,8 КБ | 195 | 1920 КЛБС | 15400 | 1925 год | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15300 | 1920 год | 358400 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA15E-6FN900C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA15 | 900 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 300 | 128,8 КБ | 300 | 15000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15200 | 56 | 1054720 | 3750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC33E-3FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 340 МГц | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕК33 | 484 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 78,6 КБ | 360 | 53КБ | 360 | 4096 КЛБС | 32800 | 4100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4096 | 434176 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-7FFN1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | Без свинца | 8 недель | 1152 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSC3GA80 | 660 | 693КБ | 80000 | 5816320 | 20000 |
