Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы изолированных затворов — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по производству электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Рабочий ток питания Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Глубина Максимальный ток питания Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса Утверждающее агентство ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree Толщина ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Максимальное входное напряжение Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Базовый номер детали Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Подкатегория Источники питания Статус квалификации Код JESD-30 Скорость передачи данных Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Минимальное входное напряжение Минимальное выходное напряжение Тип микросхемы интерфейса Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Максимальный входной ток Включить время задержки Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Время подъема Осень (тип.) Рабочее напряжение Конфигурация Задержка распространения Количество выходов Напряжение – изоляция Обратное напряжение проба Направление Ограничение пикового выходного тока. Встроенная защита Управление выходного тока Время включения Время выключения Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — выходной высокий, низкий Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Ток — пиковый выход Обратное напряжение (постоянный ток) Широтно-импульсное вмешательство (PWD) Выходной ток на канале Напряжение питания1-ном. Напряжение питания1-мин. Драйвер верхней стороны Напряжение питания1-Макс. Тип канала Изолированное питание Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения
ACPL-W314-000E ACPL-W314-000E Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 2009 год /files/broadcom-acplw314000e-datasheets-5195.pdf 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 12 мА Без свинца 22 недели ЦГА, УР Нет СВХК 30 В 10 В 6 EAR99 УЛ ПРИЗНАЛ е3 Матовый олово (Sn) 250мВт 30 В 1 7е-7 нс 1 Оптопара — выходы IC 600 мА 35В 30 В 600 мА 10 мА 12 мА 700 нс ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара 50 нс 50 нс ОДИНОКИЙ 700 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) Однонаправленный 1,5 В 400 мА 400 мА 50 нс 50 нс 25 мА 700 нс, 700 нс 25кВ/мкс 10 В~30 В
TLP5214(D4,E TLP5214(D4,E Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~110°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5214e-datasheets-9715.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 12 недель CQC, CSA, cUL, UL, VDE 16 да неизвестный 160 мВт 1 25 мА 150 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,7 В Макс. 3А 3А 32 нс 18 нс 150 нс, 150 нс 35кВ/мкс 15 В~30 В 50 нс
FOD3120V ФОД3120В ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-fod3120ts-datasheets-0293.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 16 мА 7 недель 891 мг МЭК, УЛ Нет СВХК 8 АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) 250мВт 1 1 Оптопара — транзисторные выходы 2,5 А 25 мА 400 нс ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА 0,025А 60нс 60 нс 275 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) Однонаправленный 1,5 В 2А 2А 60 нс 60 нс 400 нс, 400 нс 35кВ/мкс 100 нс 15 В~30 В 2,5 А
ICPL3120 ICPL3120 ООО «Изоком Компонентс 2004» 1,11 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~110°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/isocom-icpl3120-datasheets-5158.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 2 недели неизвестный 1 ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,37 В 2А 2А 100 нс 100 нс 25 мА 500 нс, 500 нс 25кВ/мкс 100 нс 15 В~30 В 2,5 А
SI8230BD-D-IS3 SI8230BD-D-IS3 Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 8 недель CQC, CSA, UR, VDE совместимый 2 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 5000 В (среднеквадратичное значение) 250 мА 500 мА 20 нс 20 нс 60 нс, 60 нс 45кВ/мкс 5,6 нс 6,5 В~24 В 500 мА
ADUM4224WCRWZ ADUM4224WCRWZ Аналоговые устройства Inc. $6,89
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 3 (168 часов) Магнитная муфта 1,6 мА Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 7,5 мм Содержит свинец 16 8 недель 473,692182мг 5,5 В 16 ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 1 5,5 В е3 Матовый олово (Sn) Однонаправленный 2,77 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В АДУМ4224 16 2 30 1 Мбит/с 18В 4,5 В ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР 54 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,059 мкс 0,059 мкс 12нс 12нс 54нс, 54нс 25кВ/мкс 4,5 В~18 В 12 В
ACPL-335J-000E ACPL-335J-000E Бродком Лимитед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~105°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 2015 год 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 16 17 недель CSA, МЭК/EN/DIN, UR EAR99 ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ВЫХОДА ОТ 0 ДО -8 В. 1 е3 Олово (Вс) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 12 В 1 30 2,5 А БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET 250 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) 0,25 мкс 0,25 мкс 1,55 В 60 нс 50 нс 20 мА 250 нс, 250 нс 50 кВ/мкс 12 В~20 В 100 нс 13В НЕТ 20 В
SI82394AD-IS SI82394AD-IS Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 3,8 мА 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В 2,5 В EAR99 2 1,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 40 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,055 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 6,5 В~24 В 5,6 нс 12 В
ACPL-P347-000E ACPL-P347-000E Бродком Лимитед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~105°К Масса 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 2015 год 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) 22 недели ЦГА, УР 6 УЛ ПРИЗНАЛ е3 Олово (Вс) 1 1 ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара 0,025А СЛОЖНЫЙ 110 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,55 В 800 мА 800 мА 8нс 8нс 25 мА 110 нс, 110 нс 50 кВ/мкс 15 В~30 В 40 нс
SI82397BD-IS СИ82397БД-ИС Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 2,1 мА 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В 2,5 В EAR99 2 1,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 40 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,04 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 10 В~24 В 5,6 нс 12 В
ISO5500DW ISO5500DW Техасские инструменты
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2 (1 год) Эмкостная связь 8,5 мА Соответствует ROHS3 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 2,65 мм 7,5 мм Без свинца 16 12 недель 547,485991мг CSA, UL, VDE Нет СВХК 5,5 В 16 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да 2,35 мм EAR99 Нет е4 Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) 592 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 ISO5500 Драйверы МОП-транзисторов 2,5 А И ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET НА ЗАТИТРЕ 2,5 А 200 нс 55нс 10 нс 680В 200 нс 1 4243 В (среднеквадратичное значение) 2,5 А 2,5 А 2,5 А 55 нс 10 нс 300 нс, 300 нс 25кВ/мкс 15 В~30 В
ADUM1233BRWZ ADUM1233BRWZ Аналоговые устройства Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Общего назначения iCoupler® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~105°К Трубка 1 (без блокировки) Магнитная муфта Соответствует ROHS3 /files/analogdevicesinc-adum1233brwzrl-datasheets-3962.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,5 мм 7,6 мм Содержит свинец 2,35 мм 16 12 недель УР, ВДЕ Нет СВХК 5,5 В 4,5 В 16 ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 Олово Нет 8543.70.99.60 2 е3 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 АДУМ1233 16 2 30 Драйверы МОП-транзисторов 515В 10 Мбит/с 100 мА 9мА 160 нс 25нс 160 нс 2500 В (среднеквадратичное значение) 25 нс 25 нс Макс. 160 нс, 160 нс 75 кВ/мкс 12 В~18 В 8 нс
ACPL-T350-000E ACPL-T350-000E Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 2010 год /files/broadcom-acplt350000e-datasheets-5147.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 16 мА 17 недель ЦГА, УР Нет СВХК 30 В 15 В 8 EAR99 ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE е3 Олово (Вс) 295мВт 30 В 1 5е-7 нс 1 Оптопара — выходы IC 2,5 А 35В 30 В 500 нс ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара 15нс 20 нс СЛОЖНЫЙ 500 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) Однонаправленный 1,5 В 2А 2А 15 нс 20 нс 25 мА 500 нс, 500 нс 15 кВ/мкс 15 В~30 В 300 нс
SI82394BD4-IS СИ82394БД4-ИС Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE EAR99 совместимый 2 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 5,5 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 5000 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,135 мкс 0,095 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 135 нс, 95 нс 35кВ/мкс 5,6 нс 10 В~24 В 12 В 6,5 В
SI82391BD-IS СИ82391БД-ИС Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 3,8 мА 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В 2,5 В EAR99 2 1,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 40 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,04 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 10 В~24 В 5,6 нс 12 В
SI82392BB-IS1 SI82392BB-IS1 Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь 1,75 мм Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 9,9 мм 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE да 2 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 5,5 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 2500 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,04 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 5,6 нс 10 В~24 В 12 В 6,5 В
ADUM4223BRWZ ADUM4223BRWZ Аналоговые устройства Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Общего назначения iCoupler® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 3 (168 часов) Магнитная муфта Соответствует ROHS3 /files/analogdevicesinc-adum3223brzrl7-datasheets-8837.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,5 мм 2,35 мм 7,6 мм Содержит свинец 16 8 недель CSA, UR, VDE Нет СВХК 3,3 В 16 ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 месяца назад) нет EAR99 ДРУГОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ = 4,5–18 В. Олово Нет 8543.70.99.60 2 1,4 мА е3 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В АДУМ4223 16 30 2,77 Вт 1,2 Мбит/с 38 нс 54 нс 2 5000 В (среднеквадратичное значение) ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ 12нс 12нс 54нс, 54нс 50 кВ/мкс 7,5 В~18 В
TLP5751(D4,E TLP5751(D4,E Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 2,14 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~110°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5751e-datasheets-4944.pdf 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 12 недель CQC, CSA, cUL, UL, VDE 6 неизвестный 450мВт 1 150 нс ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара 8 нс 150 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) Однонаправленный 1,55 В 1А 1А 15 нс 8 нс 20 мА 150 нс, 150 нс 35кВ/мкс 15 В~30 В 50 нс
SI82395CD-IS SI82395CD-IS Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 3,8 мА 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В 2,5 В EAR99 2 1,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 40 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,04 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 12,8 В~24 В 5,6 нс 12 В
SI82396CD-IS SI82396CD-IS Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 3,8 мА 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В 2,5 В EAR99 2 1,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 40 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,04 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 12,8 В~24 В 5,6 нс 12 В
SI82391CD-IS SI82391CD-IS Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 3,8 мА 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В 2,5 В EAR99 2 1,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 40 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,04 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 12,8 В~24 В 5,6 нс 12 В
SI82395CB-IS1 SI82395CB-IS1 Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь 1,75 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 9,9 мм 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE EAR99 совместимый 2 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 5,5 В 2 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 2500 В (среднеквадратичное значение) ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 0,04 мкс 0,04 мкс 2А 4А 12 нс 12 нс Макс. 40 нс, 40 нс 35кВ/мкс 5,6 нс 12,8 В~24 В 12 В 6,5 В
SI8261BAC-C-IP SI8261BAC-C-IP Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Общего назначения Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 3 (168 часов) Эмкостная связь Соответствует RoHS 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 9,9 мм 3,43 мм 6,6 мм 8 8 недель CQC, CSA, UR, VDE Неизвестный 30 В 8 EAR99 1 2мА ДА 300мВт ДВОЙНОЙ 15 В 1 60 нс 50 нс 2 3750 В (среднеквадратичное значение) 0,06 мкс 0,05 мкс 2,8 В Макс. 500 мА 1,2 А 5,5 нс 8,5 нс 30 мА 60 нс, 50 ​​нс 35кВ/мкс 28нс 6,5 В~30 В 10 нс НЕТ Однонаправленный Нет
FOD3180TSV ФОД3180ТСВ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-fod3180t-datasheets-9894.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 25 мА 7 недель 819мг cUL, UL, VDE 8 АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) 295мВт 1 1 Оптопара — транзисторные выходы 2,5 А 25 мА 25 мА ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА 75нс 55 нс 200 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,43 В 2А 2А 75 нс 55 нс 200 нс, 200 нс 15 кВ/мкс 10 В~20 В 65 нс
SI8261BCC-C-IP SI8261BCC-C-IP Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 3 (168 часов) Эмкостная связь Соответствует ROHS3 1997 год /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 9,9 мм 3,43 мм 6,6 мм 8 8 недель CQC, CSA, UR, VDE Неизвестный 30 В 8 EAR99 1 2мА ДА 300мВт ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 15 В 1 Одинокий НЕ УКАЗАН БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET 250 мВ 10 мА 60 нс 5,5 нс 8,5 нс 50 нс 2 3750 В (среднеквадратичное значение) 0,06 мкс 0,05 мкс 2,8 В Макс. 500 мА 1,2 А 5,5 нс 8,5 нс 30 мА 60 нс, 50 ​​нс 35кВ/мкс 28нс 13,5 В~30 В 10 нс НЕТ
FOD3150 ФОД3150 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) Оптическая связь Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-fod3150tsr2-datasheets-0215.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 16 мА Без свинца 6 недель 891 мг UL Нет СВХК 30 В 15 В 8 АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) 250мВт 1 250мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 1,5 А 35В 16 мА 25 мА 500 нс ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА 60нс 60 нс ОДИНОКИЙ 500 нс 5000 В (среднеквадратичное значение) Однонаправленный 1,5 В 1А 1А 60 нс 60 нс 500 нс, 500 нс 20 кВ/мкс 15 В~30 В 1,5 А 300 нс
SI8231BB-D-IS SI8231BB-D-IS Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2А (4 недели) Эмкостная связь Соответствует RoHS 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 16 8 недель CQC, CSA, UR, VDE Неизвестный 5,5 В 4,5 В 16 EAR99 1 1,2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 16 2 НЕ УКАЗАН Драйверы периферийных устройств Не квалифицированный 500 мА ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 60 нс 2500 В (среднеквадратичное значение) 0,5 А ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК 250 мА 500 мА 20 нс 20 нс Макс. 60 нс, 60 нс 20 кВ/мкс 9,4 В~24 В 5,6 нс 12 В
SI8261ACC-C-IS SI8261ACC-C-IS Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 3 (168 часов) Эмкостная связь Соответствует RoHS 1997 год /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 4,8 мм 1,5 мм 3,8 мм 8 8 недель CQC, CSA, UR, VDE Неизвестный 30 В 8 EAR99 1 2мА ДА 300мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 15 В 1 Одинокий НЕ УКАЗАН 600 мА БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET 400мВ 10 мА 60 нс 5,5 нс 8,5 нс 50 нс 2 3750 В (среднеквадратичное значение) 0,06 мкс 0,05 мкс 2,8 В Макс. 400 мА 600 мА 5,5 нс 8,5 нс 30 мА 60 нс, 50 ​​нс 35кВ/мкс 28нс 13,5 В~30 В 10 нс НЕТ
SI8233BB-D-IM1 SI8233BB-D-IM1 Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 2 (1 год) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 14-ВДФН 8 недель CQC, CSA, UR, VDE совместимый 2 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 2500 В (среднеквадратичное значение) 2А 4А 12нс 12нс 60 нс, 60 нс 45кВ/мкс 5,6 нс 6,5 В~24 В
SI8234BB-D-IM1 SI8234BB-D-IM1 Кремниевые лаборатории
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~125°К Трубка 6 (Время на этикетке) Эмкостная связь Соответствует RoHS 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 14-ВДФН 8 недель CQC, CSA, UR, VDE совместимый 2 ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА 2500 В (среднеквадратичное значение) 2А 4А 12нс 12нс 60 нс, 60 нс 45кВ/мкс 5,6 нс 6,5 В~24 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.