Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Рабочее напряжение | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Ширина импульса (PWD) | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Отрицательное напряжение питания-ном. | Изолированное питание | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8233AB-D-IM1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-ВДФН | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM5230WARWZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum5230arwzrl-datasheets-8229.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Содержит свинец | 8 недель | УР | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | 8543.70.99.60 | е3 | Олово (Вс) | 260 | АДУМ5230 | 16 | 2 | 30 | 150 мВт | 10 мА | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 100 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 25 нс 10 нс Макс. | 100 нс, 100 нс | 25кВ/мкс | 12 В~18,5 В | 8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82394АБ4-ИС1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,135 мкс | 0,095 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82391AD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82390AD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AD-D-IS3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W314-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/broadcom-acplw314000e-datasheets-5195.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 мА | Без свинца | 22 недели | ЦГА, УР | Нет СВХК | 30 В | 10 В | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 30 В | 1 | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 600мА | 35В | 30 В | 600мА | 10 мА | 12 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM4223BRWZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum3223brzrl7-datasheets-8837.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,5 мм | 2,35 мм | 7,6 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | CSA, UR, VDE | Нет СВХК | 5В | 3,3 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | нет | EAR99 | ДРУГОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ = 4,5–18 В. | Олово | Нет | 8543.70.99.60 | 2 | 1,4 мА | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ4223 | 16 | 30 | 2,77 Вт | 1,2 Мбит/с | 4А | 38 нс | 54 нс | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 50 кВ/мкс | 7,5 В~18 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5751(D4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 2,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5751e-datasheets-4944.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 6 | неизвестный | 450мВт | 1 | 1А | 150 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 8 нс | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 1А 1А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82394AD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P347-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Масса | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | ЦГА, УР | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | 1А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | СЛОЖНЫЙ | 110 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 110 нс, 110 нс | 50 кВ/мкс | 15 В~30 В | 40 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82397БД-ИС | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,1 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 10 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO5500DW | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 8,5 мА | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 7,5 мм | Без свинца | 16 | 12 недель | 547,485991мг | CSA, UL, VDE | Нет СВХК | 5,5 В | 3В | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 2,35 мм | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 592 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | ISO5500 | Драйверы МОП-транзисторов | 5В | 2,5 А | И ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET НА ЗАТВОРЕ | 2,5 А | 200 нс | 55нс | 10 нс | 680В | 200 нс | 1 | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | 2,5 А 2,5 А | 55 нс 10 нс | 300 нс, 300 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1233BRWZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum1233brwzrl-datasheets-3962.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,5 мм | 7,6 мм | Содержит свинец | 2,35 мм | 16 | 12 недель | УР, ВДЕ | Нет СВХК | 5,5 В | 4,5 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Олово | Нет | 8543.70.99.60 | 2 | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ1233 | 16 | 2 | 30 | Драйверы МОП-транзисторов | 515В | 10 Мбит/с | 100 мА | 9мА | 160 нс | 25нс | 160 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 25 нс 25 нс Макс. | 160 нс, 160 нс | 75 кВ/мкс | 12 В~18 В | 8 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-T350-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/broadcom-acplt350000e-datasheets-5147.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | 17 недель | ЦГА, УР | Нет СВХК | 30 В | 15 В | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 35В | 30 В | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 15нс | 20 нс | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 15 нс 20 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82394БД4-ИС | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,135 мкс | 0,095 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82391БД-ИС | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 10 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82392BB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | да | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82395CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 12,8 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82396CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 12,8 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI2010ASXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/infineontechnologies-1edi2010asxuma1-datasheets-4888.pdf | 36-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,6 мм | 36 | 20 недель | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 4,65 В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г36 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ТЕРМАЛЬНЫЙ | 0,255 мкс | 0,255 мкс | 120 нс 150 нс | 13 В~18 В | 15 В | -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274DB1-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G16 | 4А | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 9,6 В~30 В | 19 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 5 недель | 720мг | UL | Нет СВХК | 35В | 15 В | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 25 мА | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 295мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 30 В | 3А | 25 мА | 210 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 27нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82394БД-ИС | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 10 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82391CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 12,8 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82395CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BAC-C-IP | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,9 мм | 3,43 мм | 6,6 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 1 | 4А | 60 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 6,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | Однонаправленный | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3180ТСВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3180t-datasheets-9894.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 25 мА | 7 недель | 819мг | cUL, UL, VDE | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 2,5 А | 25 мА | 25 мА | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 75нс | 55 нс | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2А 2А | 75 нс 55 нс | 200 нс, 200 нс | 15 кВ/мкс | 10 В~20 В | 5В | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BCC-C-IP | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,9 мм | 3,43 мм | 6,6 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 250 мВ | 10 мА | 60 нс | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 13,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3150tsr2-datasheets-0215.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 6 недель | 891 мг | UL | Нет СВХК | 30 В | 15 В | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | 35В | 16 мА | 25 мА | 500 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 60нс | 60 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 1,5 А | 5В | 300 нс | 5В |
