Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Минимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Рабочее напряжение | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Ширина импульса (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Тип канала | Изолированное питание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8261ABC-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8 мм | 1,5 мм | 3,8 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1 | 600мА | 60 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 9,4 В~30 В | 10 нс | НЕТ | Однонаправленный | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8273BBD-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | да | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 60 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 8нс | 9,6 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BAA-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 30 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | СОИК | 5 мм | 1,55 мм | 5 мм | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | 300мВт | 1 | 4А | 50 нс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | Тип 10 нс. | 6,3 В~30 В | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82397AD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,1 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261AAC-C-IP | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,9 мм | 3,43 мм | 6,6 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 1 | Одинокий | 600мА | 400мВ | 10 мА | 60 нс | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 6,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | Однонаправленный | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3180СВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3180t-datasheets-9894.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 720мг | cUL, UL, VDE | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 200 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 75нс | 55 нс | ОДИНОКИЙ | 105 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,43 В | 2А 2А | 75 нс 55 нс | 25 мА | 200 нс, 200 нс | 15 кВ/мкс | 65нс | 10 В~20 В | 2,5 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX3120GSTR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 1,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ix3120gstr-datasheets-5217.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | УР | 30 В | 15 В | 8 | 1 | 8-СМД | 2,5 А | 1,24 В | 500 нс | 500 нс | 2А | 2А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,24 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82394CD4-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,135 мкс | 0,095 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232AB-D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231BB-D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 3,5 мА | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | 508,363649мг | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 6мА | 60 нс | 20нс | 20 нс | 60 нс | 60 нс | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8220DD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8220cddisr-datasheets-0864.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | 24В | 6,5 В | 1 | 2,5 А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,06 мкс | 0,04 мкс | 2,5 В Макс. | 1,5 А 2,5 А | 20 нс 20 нс Макс. | 30 мА | 60 нс, 40 нс | 30 кВ/мкс (тип.) | 14,8 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8220BD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8220cddisr-datasheets-0864.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | 24В | 6,5 В | 1 | 2,5 А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,06 мкс | 0,04 мкс | 2,5 В Макс. | 1,5 А 2,5 А | 20 нс 20 нс Макс. | 30 мА | 60 нс, 40 нс | 30 кВ/мкс (тип.) | 9,4 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120СВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3120ts-datasheets-0293.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | 720мг | МЭК, УЛ | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 2,5 А | 25 мА | 400 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 0,025А | 60нс | 60 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 3А | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8238AD-D-IS3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230AD-D-IS3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82396БД-ИС | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 10 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC23513DWYR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~130°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Оптическая связь | 3,55 мм | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6 | 6 недель | CQC, CSA, TUV, UL, VDE | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | UCC23513 | 1 | Р-ПДСО-Г6 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2В | 4,5 А 5,3 А | 28 нс 25 нс Макс. | 25 мА | 115нс, 115нс | 100 кВ/мкс | 35 нс | 13,2 В~33 В | 3А | 15 В | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC20520DW | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/texasinstruments-ucc20520dw-datasheets-5181.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 7,5 мм | 16 | 12 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 2,35 мм | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | UCC20520 | 18В | 3В | 2 | ПРАВДА И ПЕРЕВЕРНУТОЕ | И ДРАЙВЕР МОП-транзистора на базе затвора | 2121 кВ | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 6А | 0,03 мкс | 0,03 мкс | 4А 6А | 6нс 7нс | 30 нс, 30 нс | 100 В/нс | 5нс | 9,2 В~25 В | 12 В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233AB-D-IM1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-ВДФН | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM5230WARWZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum5230arwzrl-datasheets-8229.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Содержит свинец | 8 недель | УР | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | 8543.70.99.60 | е3 | Олово (Вс) | 260 | АДУМ5230 | 16 | 2 | 30 | 150 мВт | 10 мА | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 100 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 25 нс 10 нс Макс. | 100 нс, 100 нс | 25кВ/мкс | 12 В~18,5 В | 8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82394АБ4-ИС1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,135 мкс | 0,095 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82391AD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82390AD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AD-D-IS3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W314-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/broadcom-acplw314000e-datasheets-5195.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 мА | Без свинца | 22 недели | ЦГА, УР | Нет СВХК | 30 В | 10 В | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 30 В | 1 | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 600мА | 35В | 30 В | 600мА | 10 мА | 12 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5214(D4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5214e-datasheets-9715.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 16 | да | неизвестный | 160 мВт | 1 | 4А | 25 мА | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,7 В Макс. | 3А 3А | 32 нс 18 нс | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 4А | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3120ts-datasheets-0293.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | 7 недель | 891 мг | МЭК, УЛ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 2,5 А | 25 мА | 400 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 0,025А | 60нс | 60 нс | 275 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 100 нс | 15 В~30 В | 3А | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICPL3120 | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 1,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/isocom-icpl3120-datasheets-5158.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 2 недели | неизвестный | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 100 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230BD-D-IS3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM4224WCRWZ | Аналоговые устройства Inc. | $6,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1,6 мА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | 473,692182мг | 5,5 В | 3В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 1 | 5,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | Однонаправленный | 2,77 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ4224 | 16 | 2 | 30 | 1 Мбит/с | 4А | 18В | 3В | 4,5 В | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 54 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,059 мкс | 0,059 мкс | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 25кВ/мкс | 4,5 В~18 В | 12 В |
