Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Рабочее напряжение | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Ширина импульса (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1EDI60I12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 10А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI30I12MHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edi30i12mhxuma1-datasheets-7598.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5,9А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~18 В | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI60H12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 10А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC5390ECQDWVRQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 2,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 8 | 16 недель | ККК, УЛ, ВДЭ | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | UCC5390 | 3В | 1 | Р-ПДСО-G8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 17А 17А | 10 нс 10 нс | 60 нс, 60 нс | 120 кВ/мкс | 20нс | 13,2 В~33 В | 10А | 15 В | НЕТ | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI20I12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 4А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОД3120АБ-Т2 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vod3120ad-datasheets-0369.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | 8-СМД | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А | 35 нс 35 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 70нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82390CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 12,8 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8321R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8321r2-datasheets-7317.pdf | 6-SOIC (0,346, ширина 8,80 мм), 5 выводов | 25 мА | 30 В | Без свинца | 6 недель | 400мг | UL | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 часа назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 16 мА | 400 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60нс | 60 нс | ОДИНОКИЙ | 300 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 16 В~30 В | 3А | 5В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230BD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC5310MCD | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/texasinstruments-ucc5310mcd-datasheets-5312.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | 8 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 1,58 мм | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | UCC5310 | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 990В | 3000 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2,4 А 1,1 А | 12 нс 10 нс | 75нс, 75нс | 100 кВ/мкс | 20нс | 13,2 В~33 В | 4,3А | 15 В | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5752(D4-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752d4tpe-datasheets-7326.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 6 | 40мВт | 1 | 2,5 А | 150 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 8 нс | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8342TR2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 11 недель | МЭК/EN/DIN, УР | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 25 мА | 210нс, 210нс | 20 кВ/мкс | 65нс | 10 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОД3120АБ-Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vod3120ad-datasheets-0369.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | 8-СМД | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А | 35 нс 35 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 70нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО3120-X019T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | 3,9 мм | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8473.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 25 мА | 8 | 6 недель | cUR, UR, VDE | 8 | да | EAR99 | неизвестный | 1 | 295мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,54 мм | 8 | 32В | 1 | 10 | 2,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 400 нс | 100 нс | 400 нс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 0,4 мкс | 0,4 мкс | 1,6 В Макс. | 2,5 А 2,5 А | 100 нс 100 нс | 400 нс, 400 нс | 25кВ/мкс | 15 В~32 В | 2,5 А | 200 нс | 500 мА | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП352Ф(Д4-ТП4,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp352tp1f-datasheets-8401.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | CSA, cUL, UL, VDE | 8 | 260мВт | 1 | 2,5 А | 200 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 8 нс | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDA217 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | ЕН, МЭК, ТУВ | 8 | 2 | 500мВт | 2 | 8-ДИП | 5мА | 1,26 В | 500 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,26 В | 5мА | 2 мс, 0,5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5772(TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5772tpe-datasheets-7209.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | неизвестный | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 8мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3182СДВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3182s-datasheets-8861.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 5 недель | 720мг | УЛ, ВДЭ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210нс, 210нс | 35кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС480П | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 2 недели | 1 | 6-СО Растянутый | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,33 В | 200 мА 200 мА | 35 нс 35 нс | 10 мА | 200 нс, 220 нс | 20 кВ/мкс | 120 нс | 4,5 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОД3120АБ-ВТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vod3120ad-datasheets-0369.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | 8-СМД | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А | 35 нс 35 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 70нс | 15 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232BD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 3,5 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | 508,363649мг | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | Двойной | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 6мА | 60 нс | 20нс | 20 нс | 60 нс | 60 нс | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDA217STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Оптическая связь | 5мА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda217str-datasheets-5329.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 540,001716мг | ЕН, МЭК, ТУВ | 8 | 2 | 500мВт | 2 | Двойной | 8-СМД | 1,26 В | 500 мкс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,26 В | 5мА | 2 мс, 0,5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3182SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3182s-datasheets-8861.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 6 недель | 720мг | UL | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | 210 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210нс, 210нс | 35кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184ТСР2В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | 7 недель | 819мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | Нет СВХК | 35В | -500мВ | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 1 | 295мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 145 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210нс, 210нс | 35кВ/мкс | 65нс | 15 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC23511DWYR | Техасские инструменты | 1,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 3,55 мм | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6 | 6 недель | ККК, УЛ, ВДЭ | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | UCC23511 | 1 | Р-ПДСО-Г6 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 2,1 В | 1,5 А 2 А | 28 нс 25 нс | 16 мА | 105нс, 105нс | 150 кВ/мкс | 35 нс | 14 В~33 В | 2А 1,5А | 15 В | ДА | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC5390SCDR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | 8 | 12 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | UCC5390 | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 990В | 3000 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 10А 10А | 10 нс 10 нс | 65нс, 65нс | 100 кВ/мкс | 20нс | 13,2 В~33 В | 15 В | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232BB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3120ts-datasheets-0293.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 5 недель | 720мг | UL | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 2,5 А | 16 мА | 400 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 60нс | 60 нс | ОДИНОКИЙ | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 5В | 100 нс | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235BB-D-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 3,5 мА | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-ВФЛГА | 5 мм | 14 | 8 недель | 508,363649мг | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 14 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | НИЖНИЙ | ПОПКА | НЕ УКАЗАН | 0,65 мм | 14 | Двойной | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 6мА | 60 нс | 12нс | 12 нс | 60 нс | 60 нс | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В |
