Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Положение терминала | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОБ296Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob296l-datasheets-8172.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 70А | Одинокий | 100В | 2,1 Вт Та 107 Вт Тс | N-канал | 2785пФ при 50В | 9,7 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 9,5 А Та 70 А Тс | 52 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОТФ9Н90 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aotf9n90-datasheets-8389.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 18 недель | 3 | ОДИНОКИЙ | 1 | 9А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 900В | 900В | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 9А | N-канал | 2560пФ при 25В | 1,3 Ом при 4,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 58 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| АО4438 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4438-datasheets-1637.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 8.2А | 20 В | Одинокий | 60В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2300пФ при 30 В | 22 мОм при 8,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8.2А Та | 58 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| АО7404 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao7404-datasheets-4533.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 350 мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 1А | 8В | Одинокий | 20 В | 350мВт Та | 1А | N-канал | 101пФ при 10В | 225 мОм при 1 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 1А Та | 1,57 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||
| АОЛ1700 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 1,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | 3-PowerSMD, плоские выводы | неизвестный | 85А | 30 В | 2,1 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 4512пФ при 15 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 17А Та 85А Тс | 74 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АО3460 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao3460-datasheets-6050.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 1,4 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 650 мА | 20 В | Одинокий | 60В | 1,4 Вт Та | 0,65 А | N-канал | 27пФ при 30В | 1,7 Ом при 650 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 650 мА Та | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| АОТФ298Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 1,67 нФ | 33А | 100В | 2,1 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 15В | 14,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 9А Та 33А Тс | 27 нК при 10 В | 14,5 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОД518 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod518-datasheets-0513.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 50 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 54А | 20 В | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 46А | N-канал | 951пФ при 15 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 15А Та 54А Тс | 22,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| АОН2407 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 6-UDFN Открытая площадка | 8 | 2,8 Вт | 1 | 6.3А | 12 В | 30 В | 2,8 Вт Та | P-канал | 746пФ при 15 В | 37,5 мОм при 6,3 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6.3А Та | 21 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОН7202 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $5,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon7202-datasheets-0729.pdf | 8-PowerVDFN | неизвестный | 40А | 30 В | 3,1 Вт Та 36 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 20А Та 40А Тс | 33 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОД210 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod210-datasheets-1244.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 150 Вт | 1 | 70А | 20 В | 30 В | 2,7 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 15В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 70А Тс | 58 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОН6404 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon6404-datasheets-3036.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 85А | Одинокий | 30 В | 2,1 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 9000пФ при 15 В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 25А Та 85А Тс | 155 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОН2401 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 6-UDFN Открытая площадка | Без свинца | 8А | 8В | 2,8 Вт Та | P-канал | 1465пФ при 4В | 22 мОм при 8 А, 2,5 В | 650 мВ при 250 мкА | 8А Та | 18 нК при 4,5 В | 1,2 В 2,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АО5401Е | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao5401e-datasheets-2456.pdf | СК-89, СОТ-490 | 3 | 500 мА | 20 В | 280мВт Та | P-канал | 100пФ при 10В | 800 мОм при 500 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 500 мА Та | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6442 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon6442-datasheets-6163.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | Полевой транзистор общего назначения | 22А | Одинокий | 40В | 4,2 Вт Ta 35,7 Вт Tc | 65А | N-канал | 2200пФ при 20В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 22А Та 32А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОС2415 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2415-datasheets-0735.pdf | 4-SMD, без свинца | 3,5 А | 20 В | 550мВт Та | P-канал | 1685пФ при 10 В | 33 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А Та | 28 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6536 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 55А | 30 В | 5,5 Вт Та 35,5 Вт Тс | N-канал | 1210пФ при 15 В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22А Та 55А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6544 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | Полевой транзистор общего назначения | 85А | Одинокий | 30 В | 7,4 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 5910пФ при 15 В | 1,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 60А Та 85А Тс | 120 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| AOW20C60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3440пФ при 100В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 74 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОН7440 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-PowerWDFN | 8 | 8-ДФН-ЭП (3,3х3,3) | 2,82 нФ | 50А | 30 В | 4,2 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 2820пФ при 15В | 2,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 28А Та 50А Тс | 75 нК при 10 В | 2,8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОТ20С60ПЛ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | ТО-220 | 3,607 нФ | 20А | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3607пФ при 100 В | 260 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 80 нК при 10 В | 260 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1458 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aol1458-datasheets-4034.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 14А | 30 В | 2 Вт Та 43 Вт Тс | N-канал | 2440пФ при 15В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Та 46А Тс | 42 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ440 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-220-3 | Полевой транзистор общего назначения | 105А | Одинокий | 40В | 2,1 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 5600пФ при 20В | 4,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15,5 А Та 105 А Тс | 90 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОВ418 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $14,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262 | 5,2 нФ | 105А | 100В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 9,5 А Та 105 А Тс | 83 нК при 10 В | 10 мОм | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||
| АОУ1Н60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $14,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 16 недель | 3 | Нет | 45 Вт | 1 | ТО-251-3 | 160пФ | 1,3А | 30 В | 600В | 45 Вт Тс | N-канал | 160пФ при 25В | 9 Ом при 650 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1,3 А Тс | 8 нК @ 10 В | 9 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||
| АО4484_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 1,95 нФ | 10А | 40В | 1,7 Вт Та | N-канал | 1950пФ при 20В | 10 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та | 37 нК при 10 В | 10 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АО7414_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-70, СОТ-323 | СК-70-3 | 320пФ | 2А | 20 В | 350мВт Та | N-канал | 320пФ при 10В | 62 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2А Та | 3,8 нК @ 4,5 В | 62 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОИ516_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | TO-251-3 Заглушки, IPak | ТО-251Б | 1,229 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Тс | 33 нК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОН1606_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 3-УФДФН | 3 | 3-ДФН (1,0 х 0,60) | 62,5 пФ | 700 мА | 20 В | 900мВт Та | N-канал | 62,5 пФ при 10 В | 275 мОм при 400 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 700 мА Та | 850 нК при 4,5 В | 275 мОм | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Н60_003 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 1,6 нФ | 10А | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 750 мОм | 10 В | ±30 В |
