| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Технология | Частота | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Код HTS | Емкость при частоте | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Максимальный выходной ток | Включить время задержки | Ток утечки | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Рабочее напряжение | Значение затухания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Напряжение пробоя | Пороговое напряжение | Конфигурация выхода | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Напряжение пробоя-мин. | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Защита от ЭСР | Направление | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Количество двунаправленных каналов | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Число бит драйвера | Топология | Ценности | Порядок фильтра | Сопротивление - канал (Ом) | Центральная/частота среза | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Затемнение | Внутренний переключатель(и) | Напряжение-питание (мин.) | Напряжение-питание (макс.) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Условия испытания | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОЗ8312ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoz8312di-datasheets-3310.pdf | 12-UFDFN Открытая площадка | 18 недель | Нет | 2,3 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | 12 | 12-ДФН-ЭП (3,5х2,5) | 1 мкА | 2,5 В | Да | 2,8 В | 18А 8/20мкс | 9В | 2,5 В Макс. | 5 | 9В | 18А | 2,5 В | 160 Вт | Однонаправленный | 160 Вт | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8010ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Низкий проход | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 0,157Дx0,063Ш 4,00x1,60 мм | 1 (без ограничений) | 5В | RC (Пи) | Соответствует RoHS | 2006 г. | 16-WFDFN Открытая площадка | 0,031 0,79 мм | 16 | 16 недель | 20 мА | Линии передачи данных для мобильных устройств | 8 | Фильтры линии передачи данных | -35 дБ при 800 МГц ~ 2,2 ГГц | Да | R = 100 Ом, C = 28 пФ | 2-й | 100 | Отсечка 90 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ66920Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 8,3 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 50В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22,5 А Та 80 А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1321ДИ-01Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Лента и катушка (TR) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aoz1321di01l-datasheets-6082.pdf | 4 | 16 недель | Вкл/Выкл | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 5В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | Драйверы периферийных устройств | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н4 | 2А | 1 | Высокая сторона | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIM702H50B | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (0,295 дюйма, ширина 7,50 мм), 19 выводов | 1,5 А | 500 В | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5117QI-01 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | Модуль 31-PowerVFQFN | 60 А | 1 фаза | - | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5279QI | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | 39-PowerVFQFN | 60 А | 20 В | 1 фаза | - | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8211ДИ-03 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | 18 недель | 2 | EAR99 | 11пФ при 1 МГц | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НИЖНИЙ | 1 | Подавители переходных процессов | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 3,7 В | 6А 8/20 мкс | 3,3 В Макс. | 1 | 9,5 В | 6А | 3,3 В | 55 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8831ДТ-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 3-УФДФН | 2 | 18 недель | 0,22 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | 1 | Р-XBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5,5 В | 90 Вт | 6В | Нет | 15А | 15 В | 5 В Макс. | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8102ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 6-UFDFN Открытая площадка | 1,6 мм | 1,6 мм | 18 недель | 6 | EAR99 | Нет | Ethernet | 4 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 5,5 В | Да | 6,6 В | 5А 8/20 мкс | 18В | 5А | 5В | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8808ДИ-03 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | 10-УФДФН | 18 недель | 10 | Ethernet, HDMI | 10-ДФН (2,5х1) | Да | 3,5 В | 12А 100нс | 8В | 3,3 В Макс. | 4 | 8В | 12А | 3,3 В | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8006ФИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz8006fi-datasheets-2371.pdf | 10-TFSOP, 10-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 10 | EAR99 | Нет | 1пФ @ 1МГц | Ethernet, HDMI | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 5,5 В | Да | 6,6 В | 12А 100нс | 5 В Макс. | 4 | 16 В | 12А | 5В | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8302CI-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 16 недель | 3 | EAR99 | 25пФ при 1 МГц | Ethernet, Телекоммуникации | Двунаправленный | Подавители переходных процессов | 6В | 5В | Нет | 32А 8/20мкс | 14 В | 5 В Макс. | 2 | 14 В | 32А | 5В | 432 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8212CI-24 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz8212ci05l-datasheets-7496.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | 11пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 29В | 2,5 А 8/20 мкс | 40В | 24 В Макс. | 100 Вт | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1978АИ#А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Контроллер постоянного тока | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 200 кГц | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Подсветка | 1 | Повышение (Усиление) | Аналоговый, ШИМ | Нет | 8В | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ9210ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5636QI | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | Модуль 31-PowerVFQFN | 18 недель | 50А | 1 фаза | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД7Б65М3 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 69 Вт | 212нс | 650В | 14А | 400 В, 7 А, 43 Ом, 15 В | 2,35 В @ 15 В, 7 А | 14 нК | 21А | 6 нс/79 нс | 108 мкДж (вкл.), 99 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК20Б65М1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 18 недель | 227 Вт | 322 нс | 650В | 40А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,15 В @ 15 В, 20 А | 46 нК | 60А | 26 нс/122 нс | 470 мкДж (вкл.), 270 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК40Б60Д1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 18 недель | 278 Вт | BIP-транзисторы с изолированным затвором | N-КАНАЛЬНЫЙ | 278 Вт | 127 нс | 600В | 2,4 В | 80А | 400 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В | 20 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | 45 нК | 140А | 29 нс/74 нс | 1,55 мДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20Б65ЛН2 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 45 Вт | 266 нс | 650В | 40А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 20 А | 52 нК | 60А | 23 нс/135 нс | 450 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIM5C05B060NH | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4838 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4838-datasheets-9862.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 11А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1300пФ при 15В | 9,6 мОм при 11 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 22 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6994 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-PowerWDFN | 18 недель | 8 | да | 3,1 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 26А | 30 В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 820пФ при 15 В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 19А 26А | 13 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD21311C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30 В | 1,7 Вт | 2 P-канала (двойной) | 720пФ при 15В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5А Та | 23 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД1Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2,6 мм | Без свинца | 18 недель | Нет | 1 | 45 Вт | 150°С | 10 нс | 20 нс | 1,3А | 30 В | 3В | 45 Вт Тс | 600В | N-канал | 160пФ при 25В | 9 Ом при 650 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1,3 А Тс | 8 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3407А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4.3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,4 Вт Та | 0,048Ом | 90 пФ | P-канал | 830пФ при 15 В | 48 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4.3А Та | 16 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7400А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-PowerVDFN | 5 | 18 недель | 8 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | 36 мДж | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 40А Тс | 24 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6802 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 6 | 1,15 Вт | 1,15 Вт | 2 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 3,5 А | 20 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 210пФ при 15В | 50 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 5 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4832 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4832-datasheets-8821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 18 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 10А | 20 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 910пФ при 15 В | 13 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 17 нК при 10 В | Ворота логического уровня |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.