| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Технология | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Емкость при частоте | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Приложения | Полярность | Напряжение | Состав | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Значение затухания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тип поставки | Функция | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Защита от неисправностей | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (типовое) | Однонаправленные каналы | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Максимальное напряжение пробоя | Защита от ЭСР | Количество однонаправленных каналов | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Количество входов | Ценности | Количество ячеек | Порядок фильтра | Сопротивление - канал (Ом) | Центральная/частота среза | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Химия батареи | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Условия испытания | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOZ5116QI-01 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | Модуль 31-PowerVFQFN | 55 А | 25 В | 1 фаза | - | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8211ДИ-02 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | 18 недель | 2 | EAR99 | 11пФ при 1 МГц | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НИЖНИЙ | 1 | Подавители переходных процессов | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 2,8 В | 6А 8/20 мкс | 2,5 В Макс. | 1 | 9,5 В | 6А | 2,5 В | 50 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ8902CIL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8809АДИ-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 3-УФДФН | 18 недель | 0,45 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Нет | 5А | 5В | 5 В Макс. | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8844ДТ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 5-XFDFN | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8201НИ-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz8201ni05-datasheets-2352.pdf | СК-79, СОД-523 | 2 | 16пФ при 1 МГц | Общего назначения | Зенер | СОД-523 | Нет | 6В | 5А 8/20 мкс | 10 В | 5 В Макс. | 1 | 10 В | 5А | 5В | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ9005ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | совместимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8045ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Низкий проход | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 0,098Дx0,047Ш 2,50x1,20 мм | 1 (без ограничений) | 5В | RC (Пи) | Соответствует RoHS | 2006 г. | 12-UFDFN Открытая площадка | 0,024 0,60 мм | 12 | 20 мА | Линии передачи данных для мобильных устройств | 6 | Фильтры линии передачи данных | -20 дБ при 1 ГГц ~ 3 ГГц | Да | R = 100 Ом, C = 9 пФ | 2-й | 100 | Отсечка 250 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1954CI-1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ9252ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6-ДФН-ЭП (2х4) | Защита аккумулятора | Перегрузка по току | 1 | Литий-ионный/полимерный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5049QI | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2010 год | Модуль 24-PowerTFQFN | 16 недель | 35А | 1 фаза | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Б65Н1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 52 Вт | 170 нс | 650В | 10А | 400 В, 5 А, 60 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 5 А | 9,2 нК | 15А | 8 нс/73 нс | 81 мкДж (вкл.), 49 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК20Б120Е2 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 18 недель | 250 Вт | 1200В | 40А | 600 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 20 А | 53,5 нК | 80А | -/123нс | 820 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОКС40Б65Н1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 18 недель | 300 Вт | ТО-247 | 300 Вт | 650В | 2,4 В | 80А | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | 63нК | 120А | 41 нс/130 нс | 1,27 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Б65М1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | неизвестный | 69 Вт | 69 Вт | 650В | 195 нс | 650В | 1,98 В | 10А | 400 В, 5 А, 60 Ом, 15 В | 1,98 В @ 15 В, 5 А | 14 нК | 15А | 8,5 нс/106 нс | 80 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ6185QT | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | 10-UFQFN | 3В | 16 недель | 4,5 В | 1,65 В | 8Ом | 10 | Разрушение перед созданием | Аудио, USB | 1 | 990 МГц | Одинокий | 4 | 2 | 8Ом | 1,65 В~4,5 В | ДПДТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD21307 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30 В | 2 Вт Та | 2 P-канала (двойной) | 1995 пФ при 15 В | 16 мОм при 9 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 9А Та | 51 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4630 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8-СО | 30 В | 2 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 670пФ при 15 В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 1,45 В @ 250 мкА | 5А 7А | 20 нК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD21313C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30 В | 1,7 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1100пФ при 15В | 32 мОм при 5,7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,7А Та | 33 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД11С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod11s60-datasheets-6490.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | 16 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Р-ПССО-Г3 | 11А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 208 Вт Тк | 45А | 0,399 Ом | N-канал | 545пФ при 100В | 399 мОм при 3,8 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 11А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3418 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 1,4 Вт | 1 | 3,8А | 12 В | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 60 мОм при 3,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 3,2 нК @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7400Б | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 1,44 нФ | 40А | 30 В | 4,1 Вт Та 24 Вт Тс | N-канал | 1440пФ при 15В | 7,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18А Та 40А Тс | 26 нК при 10 В | 7,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4812 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 6А | 0,03 Ом | 50 пФ | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6А | 6,3 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6946 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 6 | 18 недель | 8 | 3,9 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 18А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 Вт 3,9 Вт | 16А | 64А | 0,0116Ом | 9 мДж | 2 N-канала (полумост) | 485пФ при 15В | 11,6 мОм при 13 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 14А 18А | 15 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8814 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao8814-datasheets-8880.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 18 недель | 1,5 Вт | 7,5 А | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1390пФ при 10 В | 16 мОм при 7,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 15,4 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС3862 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 6-XDFN | 18 недель | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1,25 В @ 250 мкА | 46 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД604 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aod604-datasheets-5008.pdf | ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) | неизвестный | 1,7 Вт | 8А | 40В | 1,6 Вт 1,7 Вт | N и P-канал | 404пФ при 20В | 33 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9,2 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЭ6930 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-VDFN Открытая площадка | 18 недель | 30 В | 24 Вт 75 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1075пФ при 15В 5560пФ при 15В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В, 0,83 м Ом при 30 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА, 1,9 В @ 250 мкА | 22А Тк 85А Тк | 15 нК при 4,5 В, 65 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4600CL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6908ALS_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 30 В | 1,9 Вт Ta 31 Вт Tc 2,1 Вт Ta 78 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1110пФ при 15В 5260пФ при 15В | 8,9 мОм при 11,5 А, 10 В, 3,6 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА, 2 В при 250 мкА | 11,5 А Ta 46 А Tc 17 А Ta 80 А Tc | 15 нК при 10 В, 38 нК при 4,5 В | Стандартный |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.