Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4800Б | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4800b-datasheets-1156.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 70 пФ | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 15 В | 27 мОм при 6,9 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD32334C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 1,7 Вт | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 15В | 20 мОм при 7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 7А Та | 20 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3442 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | 1А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 1,4 Вт Та | 1А | 0,63 Ом | N-канал | 100пФ при 50В | 630 мОм при 1 А, 10 В | 2,9 В @ 250 мкА | 1А Та | 6 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1,4 Вт | 1 | 2,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 315пФ при 15В | 115 мОм при 2,6 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 2,6А Та | 7,2 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7410 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 24А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Ta 20 Вт Tc | N-канал | 660пФ при 15 В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9,5 А Та 24 А Тс | 12 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТС32338C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 30 В | 1,2 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 340пФ при 15В | 50 мОм при 3,8 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 16 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО9926B | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 18 недель | 8 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7,6А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 15 В | 23 мОм при 7,6 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 12,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5816 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 18 недель | 20 В | 1,7 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2170пФ при 10 В | 6,5 мОм при 12 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 12А Та | 35 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8808А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 18 недель | 8 | 1,4 Вт | 1,4 Вт | 2 | 7,9А | 12 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1810пФ при 10 В | 14 мОм при 8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 17,9 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3806 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SMD, плоский вывод | 16 недель | 2,5 Вт | 6А | 20 В | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 500пФ при 10В | 26 мОм при 6,8 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 9 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЭ6932 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-VDFN Открытая площадка | 8 | 18 недель | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | СЕРИЯ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 24 Вт 52 Вт | 55А | 120А | 0,008 Ом | 18 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1150пФ при 15В 4180пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В, 1,4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА, 1,9 В @ 250 мкА | 55А Тс 85А Тс | 15 нК при 4,5 В, 50 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС3860 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 6-XDFN | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 900 мВ при 250 мкА | 44 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5802БЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 6-VFDFN Открытая площадка | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 1,6 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 Вт | 7.2А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1150пФ при 15В | 19 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,2 А Тс | 24 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6924 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-WDFN Открытая площадка | 16 недель | 8 | 2,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 28А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт 2,2 Вт | 2 N-канала (полумост) | 1560пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15А 28А | 21 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8818 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2007 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | 1,5 Вт | 7А | 30 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1060пФ при 15В | 18 мОм при 7 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 14 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД442 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod442-datasheets-2513.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 60 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 37А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2,1 Вт Та 60 Вт Тс | 60А | 0,025 Ом | 45 мДж | N-канал | 2300пФ при 30 В | 20 мОм при 20 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 7А Та 37А Тс | 68 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2800 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aoc2800-datasheets-2618.pdf | 4-УФБГА, WLCSP | 1,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 9,1 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801АЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4801al001-datasheets-6644.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 780пФ при 15В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 5А | 9 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4613_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4613-datasheets-2677.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 630пФ | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 630пФ при 15 В | 24 мОм при 7,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 24 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6920_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | 8 | 2,2 Вт | 8-ДФН (5х6) | 1,56 нФ | 26,5А | 30 В | 2 Вт 2,2 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1560пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15А 26,5А | 21 нК при 10 В | Стандартный | 5,2 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4606L_DELTA | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6А | 6 нК @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ240Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 85А | Одинокий | 40В | 1,9 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 3510пФ при 20 В | 2,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Та 85А Тс | 72 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6250 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8-ДФН (5х6) | 2,388 нФ | 52А | 150 В | 7,4 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 2388пФ при 75 В | 16,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 13,5 А Та 52 А Тс | 43 нК при 10 В | 16,5 мОм | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3162 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 3 | 1,39 Вт | 1 | 34 мА | 30 В | 600В | 1,39 Вт Та | N-канал | 6пФ при 25В | 500 Ом при 16 мА, 10 В | 4,1 В @ 8 мкА | 34 мА Та | 0,15 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6400 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | СК-74, СОТ-457 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 Вт | 1 | 6,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2 Вт Та | 0,028 Ом | N-канал | 1030пФ при 15В | 28 мОм при 6,9 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 6,9А Та | 12 нК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4419 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | 9,7А | 20 В | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1900пФ при 15В | 20 мОм при 9,7 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 9,7А Та | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOUS66923 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 3-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 6,2 Вт Та 73 Вт Тс | N-канал | 1725пФ при 50В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 16,5 А Та 58 А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2500Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 152А | Одинокий | 150 В | 2,1 Вт Та 375 Вт Тс | N-канал | 6460пФ при 75В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 11,5 А Та 152 А Тс | 136 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Т40П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 273пФ | 3,9 А | 400В | 52 Вт Тс | N-канал | 273пФ при 100 В | 1,45 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3,9 А Тс | 9 нК @ 10 В | 1,45 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Н60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 600В | 50 Вт Тс | 12А | N-канал | 2100пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 50 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
