| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Количество контактов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4266Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 60В | 3,1 Вт Та | N-канал | 755пФ при 30 В | 13,5 мОм при 11 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та | 10 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ1404Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 417 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 220А | 20 В | Одинокий | 40В | 2,1 Вт Та 417 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 20 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,7 В @ 250 мкА | 15А Та 220А Тс | 86 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ11С65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob11s65l-datasheets-8347.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 11А | 650В | 198 Вт Тс | N-канал | 646пФ при 100 В | 399 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 13,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4264 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | да | неизвестный | 12А | 60В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2007пФ при 30В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Та | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ412 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 16 недель | 150 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 60А | 25 В | Одинокий | 100В | 2,6 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 3220пФ при 50В | 15,8 мОм при 20 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 8,2 А Та 60 А Тс | 54 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ12Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 18 недель | 12А | 600В | 278 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 50 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ7С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | Нет | 104 Вт | 1 | 7А | 30 В | 600В | 104 Вт Тс | N-канал | 372пФ при 100 В | 600 мОм при 3,5 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 7А Тк | 8,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК9Н90 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 18 недель | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9А | 30 В | Одинокий | 900В | 368 Вт Тс | 9А | N-канал | 2560пФ при 25В | 1,3 Ом при 4,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 58 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2904 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ14Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | 278 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14А | 30 В | Одинокий | 500В | 278 Вт Тс | N-канал | 2297пФ при 25 В | 380 мОм при 7 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 51 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ11С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 18 недель | 3 | Нет | ОДИНОКИЙ | 38 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 11А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 38 Вт Тс | ТО-220АБ | 45А | N-канал | 545пФ при 100В | 399 мОм при 3,8 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 11А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОН6152 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 45В | 45В | 208 Вт Тк | 100А | 400А | 0,00185Ом | 540 мДж | N-канал | 8900пФ при 22,5 В | 1,15 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 100А Тс | 125 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4437 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4437-datasheets-1641.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3 Вт | 1 | Не квалифицирован | 11А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 3 Вт Та | P-канал | 4750пФ при 6В | 16 мОм при 11 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 11А Та | 47 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1412 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aol1412-datasheets-1792.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | 70А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 2,1 Вт Та 36 Вт Тс | 85А | 200А | 0,0046Ом | 110 мДж | N-канал | 7716пФ при 15 В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 17А Та 70А Тс | 115 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1414 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф3 | 85А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,08 Вт Та 100 Вт Тс | 200А | 0,0075Ом | N-канал | 2520пФ при 15В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 14А Та 85А Тс | 24 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ416 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 | Без свинца | Полевой транзистор общего назначения | 42А | Одинокий | 100В | 1,92 Вт Ta 150 Вт Tc | N-канал | 1450пФ при 50В | 37 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,7 А Та 42 А Тс | 23 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6424 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $9,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6424-datasheets-0389.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8-ДФН (5х6) | 1,9 нФ | 41А | 30 В | 2 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 1,7 В @ 250 мкА | 11А Та 41А Тс | 32 нК при 10 В | 8,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6408Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6408l-datasheets-0517.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | совместимый | 30 В | 2,4 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 14,5 А Та 25 А Тс | 36 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6206 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6206-datasheets-0605.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | Полевой транзистор общего назначения | 24А | Одинокий | 30 В | 4,2 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 15В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 20А Та 24А Тс | 23,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7784 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 30 В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | 50А | N-канал | 4600пФ при 15В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 31А Та 50А Тс | 34 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД200 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 36А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 15В | 7,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 14А Та 36А Тс | 16 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ2918Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 90А | Одинокий | 100В | 2,1 Вт Та 267 Вт Тс | N-канал | 3430пФ при 50В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 13А Та 90А Тс | 53 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2908 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 75 Вт | 1 | 52А | 20 В | 100В | 2,5 Вт Та 75 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 50В | 13,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 9А Та 52А Тс | 27 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4588 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4588-datasheets-6108.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Полевой транзистор общего назначения | 20А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2940пФ при 15В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 20А Та | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7416 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7416-datasheets-6166.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 13 недель | 14А | 30 В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 1,7 В @ 250 мкА | 14А Та 40А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ10Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | ТО-262 | 1,595 нФ | 10А | 600В | 208 Вт Тк | N-канал | 1595пФ при 100В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2705 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon2705-datasheets-9621.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 3А | 30 В | 1,5 Вт Та | P-канал | 180пФ при 15В | 108 мОм при 3 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 3А Та | 6 нК @ 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7764 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | Полевой транзистор общего назначения | 32А | Одинокий | 30 В | 4,2 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 15 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 30А Та 32А Тс | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ11С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 11А | Одинокий | 600В | 278 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 100В | 400 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 42 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ8Т50П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 905пФ | 8А | 500В | 38 Вт Тс | N-канал | 905пФ при 100В | 810 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 19 нК при 10 В | 810 мОм | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.