Альфа и Омега Semiconductor Inc.

Альфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Количество контактов Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
AO4266E АО4266Е Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,81 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаСГТ™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 18 недель 60В 3,1 Вт Та N-канал 755пФ при 30 В 13,5 мОм при 11 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 11А Та 10 нК при 4,5 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOT1404L АОТ1404Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 1,14 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год ТО-220-3 18 недель 417 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 220А 20 В Одинокий 40В 2,1 Вт Та 417 Вт Тс N-канал 4300пФ при 20 В 4,2 мОм при 20 А, 10 В 3,7 В @ 250 мкА 15А Та 220А Тс 86 нК при 10 В 10 В ±20 В
AOB11S65L АОБ11С65Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,69 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob11s65l-datasheets-8347.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 18 недель 11А 650В 198 Вт Тс N-канал 646пФ при 100 В 399 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 11А Тк 13,2 нК при 10 В 10 В ±30 В
AO4264 АО4264 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2011 год 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 16 недель 8 да неизвестный 12А 60В 3,1 Вт Та N-канал 2007пФ при 30В 11 мОм при 12 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 12А Та 40 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOT412 АОТ412 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,40 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать СДМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год ТО-220-3 16 недель 150 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 60А 25 В Одинокий 100В 2,6 Вт Та 150 Вт Тс N-канал 3220пФ при 50В 15,8 мОм при 20 А, 10 В 3,8 В @ 250 мкА 8,2 А Та 60 А Тс 54 нК при 10 В 7В 10В ±25 В
AOW12N60 АОВ12Н60 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $6,15
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 18 недель 12А 600В 278 Вт Тс N-канал 2100пФ при 25В 550 мОм при 6 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 12А Тс 50 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOW7S60 АОВ7С60 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,70 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 16 недель Нет 104 Вт 1 30 В 600В 104 Вт Тс N-канал 372пФ при 100 В 600 мОм при 3,5 А, 10 В 3,9 В @ 250 мкА 7А Тк 8,2 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOK9N90 АОК9Н90 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 2,71 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год ТО-247-3 18 недель 1 Полевой транзистор общего назначения 30 В Одинокий 900В 368 Вт Тс N-канал 2560пФ при 25В 1,3 Ом при 4,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 9А Тц 58 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOB2904 АОБ2904 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2016 год ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 18 недель
AOB14N50 АОБ14Н50 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,45 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 год ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 18 недель не_совместимо е3 Олово (Sn) 278 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 14А 30 В Одинокий 500В 278 Вт Тс N-канал 2297пФ при 25 В 380 мОм при 7 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 14А Тс 51 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF11S60L АОТФ11С60Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,40 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет 3 18 недель 3 Нет ОДИНОКИЙ 38 Вт 1 Полномочия общего назначения FET 11А 30 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В 38 Вт Тс ТО-220АБ 45А N-канал 545пФ при 100В 399 мОм при 3,8 А, 10 В 4,1 В @ 250 мкА 11А Тк 11 нК при 10 В 10 В ±30 В
AON6152 АОН6152 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 8-PowerSMD, плоские выводы 5 18 недель ДА ДВОЙНОЙ 1 Р-ПДСО-Ф5 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 45В 45В 208 Вт Тк 100А 400А 0,00185Ом 540 мДж N-канал 8900пФ при 22,5 В 1,15 мОм при 20 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 100А Тс 125 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AO4437 АО4437 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4437-datasheets-1641.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 EAR99 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 3 Вт 1 Не квалифицирован 11А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 12 В 3 Вт Та P-канал 4750пФ при 6В 16 мОм при 11 А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 11А Та 47 нК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
AOL1412 АОЛ1412 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,10 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать СРФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aol1412-datasheets-1792.pdf 3-PowerSMD, плоские выводы 3 3 EAR99 ДВОЙНОЙ 3 1 Не квалифицирован 70А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 2,1 Вт Та 36 Вт Тс 85А 200А 0,0046Ом 110 мДж N-канал 7716пФ при 15 В 3,9 мОм при 20 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 17А Та 70А Тс 115 нК при 10 В Диод Шоттки (корпус) 4,5 В 10 В ±12 В
AOL1414 АОЛ1414 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 1,69 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 3-PowerSMD, плоские выводы 3 EAR99 ДВОЙНОЙ 3 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф3 85А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 2,08 Вт Та 100 Вт Тс 200А 0,0075Ом N-канал 2520пФ при 15В 6,5 мОм при 20 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 14А Та 85А Тс 24 нК при 4,5 В 4,5 В 10 В ±12 В
AOT416 АОТ416 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,17 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать СДМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2009 год ТО-220-3 Без свинца Полевой транзистор общего назначения 42А Одинокий 100В 1,92 Вт Ta 150 Вт Tc N-канал 1450пФ при 50В 37 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 4,7 А Та 42 А Тс 23 нК при 10 В 7В 10В ±25 В
AON6424 АОН6424 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $9,56
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6424-datasheets-0389.pdf 8-PowerSMD, плоские выводы 16 недель 8-ДФН (5х6) 1,9 нФ 41А 30 В 2 Вт Та 25 Вт Тс N-канал 1900пФ при 15В 8,5 мОм при 20 А, 10 В 1,7 В @ 250 мкА 11А Та 41А Тс 32 нК при 10 В 8,5 мОм 4,5 В 10 В ±12 В
AON6408L АОН6408Л Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6408l-datasheets-0517.pdf 8-PowerSMD, плоские выводы совместимый 30 В 2,4 Вт Та 31 Вт Тс N-канал 1900пФ при 15В 6,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 14,5 А Та 25 А Тс 36 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AON6206 АОН6206 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $5,22
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6206-datasheets-0605.pdf 8-PowerSMD, плоские выводы Полевой транзистор общего назначения 24А Одинокий 30 В 4,2 Вт Та 31 Вт Тс N-канал 1670пФ при 15В 6,5 мОм при 20 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 20А Та 24А Тс 23,5 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AON7784 АОН7784 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать СРФЕТ™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 год 8-PowerWDFN ДА Полевой транзистор общего назначения Одинокий 30 В 6,2 Вт Та 83 Вт Тс 50А N-канал 4600пФ при 15В 3,5 мОм при 20 А, 10 В 2,1 В @ 250 мкА 31А Та 50А Тс 34 нК при 10 В Диод Шоттки (корпус) 4,5 В 10 В ±12 В
AOD200 АОД200 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,07 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2010 год ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 36А 30 В 2,5 Вт Та 50 Вт Тс N-канал 1300пФ при 15В 7,8 мОм при 20 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 14А Та 36А Тс 16 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOT2918L АОТ2918Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,99 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf ТО-220-3 16 недель Полевой транзистор общего назначения 90А Одинокий 100В 2,1 Вт Та 267 Вт Тс N-канал 3430пФ при 50В 7 м Ом при 20 А, 10 В 3,9 В @ 250 мкА 13А Та 90А Тс 53 нК при 10 В 10 В ±20 В
AOD2908 АОД2908 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Диги-Рил® 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2011 год ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 75 Вт 1 52А 20 В 100В 2,5 Вт Та 75 Вт Тс N-канал 1670пФ при 50В 13,5 мОм при 20 А, 10 В 4,1 В @ 250 мкА 9А Та 52А Тс 27 нК при 10 В 10 В ±20 В
AO4588 АО4588 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,07 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4588-datasheets-6108.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 Полевой транзистор общего назначения 20А Одинокий 30 В 3,1 Вт Та N-канал 2940пФ при 15В 4,8 мОм при 20 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 20А Та 50 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AON7416 АОН7416 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2011 год /files/alphaomegasemiconductor-aon7416-datasheets-6166.pdf 8-PowerVDFN Без свинца 13 недель 14А 30 В 3,1 Вт Та 25 Вт Тс N-канал 1900пФ при 15В 8,5 мОм при 20 А, 10 В 1,7 В @ 250 мкА 14А Та 40А Тс 32 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±12 В
AOW10T60P АОВ10Т60П Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 16 недель ТО-262 1,595 нФ 10А 600В 208 Вт Тк N-канал 1595пФ при 100В 700 мОм при 5 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 10А Тс 40 нК при 10 В 700 мОм 10 В ±30 В
AON2705 АОН2705 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon2705-datasheets-9621.pdf 6-WDFN Открытая площадка 30 В 1,5 Вт Та P-канал 180пФ при 15В 108 мОм при 3 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 3А Та 6 нК @ 10 В Диод Шоттки (корпус) 4,5 В 10 В ±20 В
AON7764 АОН7764 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаМОС Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 год 8-PowerVDFN Полевой транзистор общего назначения 32А Одинокий 30 В 4,2 Вт Та 30 Вт Тс N-канал 1990 пФ при 15 В 3,2 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 30А Та 32А Тс 40 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOB11C60L АОБ11С60Л Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2011 год ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 16 недель Полевой транзистор общего назначения 11А Одинокий 600В 278 Вт Тс N-канал 2000пФ при 100В 400 мОм при 5,5 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 11А Тк 42 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF8T50P АОТФ8Т50П Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf ТО-220-3 Полный пакет 16 недель ТО-220-3Ф 905пФ 500В 38 Вт Тс N-канал 905пФ при 100В 810 мОм при 4 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 8А Тк 19 нК при 10 В 810 мОм 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.