Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактGigaDevice Semiconductor (HK) Limited(438)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Напряжение питания | Размер памяти | Тип памяти | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD25LQ40CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq10ctigr-datasheets-9470.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||
| GD5F1GQ4RF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd5f1gq4rf9igr-datasheets-8257.pdf | 8-VLGA Открытая площадка | 4 недели | 1,7 В~2 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||||||
| ГД25С512МДЙИГР | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25s512mdyigr-datasheets-0399.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||
| GD25Q16CSJGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||
| GD25VQ40CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq40ctig-datasheets-3045.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||
| GD25VQ80CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq80ctig-datasheets-4374.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||
| GD25LD40CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld20ctigr-datasheets-4719.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 97 мкс, 6 мс | ||||||
| GD25LQ32DQIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq32dwigr-datasheets-1317.pdf | 8-XDFN Открытая площадка | 6 недель | 1,65 В~2 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | |||||
| GD25VQ20CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq20cigr-datasheets-8620.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||
| GD5F4GQ4RBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7921.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 1,7 В~2 В | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||
| GD25Q20CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q20ceigr-datasheets-3772.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||
| GD25VE20CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ve20csigr-datasheets-3924.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 2,1 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||
| GD25WD20CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25wd20ctig-datasheets-2686.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||
| GD25D10CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7920.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 50 мкс, 4 мс | ||||||
| GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7920.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 50 мкс, 4 мс | ||||||
| GD25Q256ДИИГР | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 3,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q256dyigr-datasheets-9506.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||
| GD25S512MDFIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25s512mdyigr-datasheets-0399.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||
| GD25Q16CSJG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||
| GD25VQ40CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq40ctig-datasheets-3045.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||
| GD25VQ40CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq40ctig-datasheets-3045.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||
| GD25Q40CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q40csigr-datasheets-2487.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||
| GD25Q32CTJGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q32ctigr-datasheets-6954.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||
| GD25WD40CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25wd40ctig-datasheets-4973.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||
| GD5F4GQ4UCYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | $6,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7921.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||
| GD25LQ32DSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq32dwigr-datasheets-1317.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | |||||
| GD25VE40CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ve40ctig-datasheets-4209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,1 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||
| GD25WD10CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25wd10ctigr-datasheets-8089.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||
| GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7920.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 50 мкс, 4 мс | |||||
| GD25Q16CTEGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||
| GD25LQ256DWIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | $10,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq256dwigr-datasheets-9435.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс |
