| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДДА143ТУ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/diodesincorporated-dda114yu7f-datasheets-8068.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ПНП | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 6 | Двойной | 10 | 200мВт | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | -5В | 100 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 2,5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1966ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | НПН | 100мВт | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 5В | 80 | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR185SH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcr185sb6327xt-datasheets-5967.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 26 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | 250 мВт | Двойной | 250 мВт | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 300мВ | 100 мА | 50В | 70 | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1709JE(TE85L,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-553 | 10 недель | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМБ3Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohm-emb3t2r-datasheets-0410.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 10 недель | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | МБ3 | 6 | Двойной | 10 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДА144ЕУ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/diodesincorporated-dda114yu7f-datasheets-8068.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ПНП | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | ДДА144 | 6 | Двойной | 10 | 2 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XP0421100L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-xp0421100l-datasheets-8006.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 150 мВт | СМИНИ6-Г1 | 150 мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 150 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМА2НТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohm-uma2ntr-datasheets-0415.pdf | -50В | -30 мА | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2,1 мм | 900 мкм | 1,35 мм | Без свинца | 5 | 7 недель | Нет СВХК | 5 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МА2 | 5 | Двойной | 10 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | -50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 100 мА | -5В | 0,3 В | 68 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| RN1911FETE85LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | неизвестный | НПН | 100мВт | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 5В | 120 | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1973(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 200мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1611(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74, СОТ-457 | 12 недель | 300мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 300мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC5640L0R | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 6 | 10 недель | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | 8541.21.00.95 | НПН | 150 мВт | НЕ УКАЗАН | ДМК5640 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 20 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДК114ТУ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-ddc114eu7-datasheets-7502.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Содержит свинец | 6 | 7,512624 мг | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НПН | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 6 | Двойной | 10 | 2 | Не квалифицирован | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 100 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCX4710H-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dcx4710h7-datasheets-8094.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 3,005049мг | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН, ПНП | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | DCX4710 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 35 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 5 В / 80 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм, 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| XP0431100L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-xp0431100l-datasheets-8057.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | нет | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | неизвестный | 8541.21.00.75 | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН И ПНП | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 150 МГц | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 150 МГц 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5135DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mun5135dw1t1g-datasheets-7812.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 250 мВт | 250 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВИМД10АМТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-imd10amt1g-datasheets-9169.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 285мВт | 50В | 500 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 при 1 мА 5 В / 68 при 100 мА 5 В | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 13 кОм, 130 Ом | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMB10FHAT2R | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-umb10nfhatn-datasheets-8412.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 13 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМД4НТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohm-umd4ntr-datasheets-0404.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 10 недель | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН, ПНП | 120 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *MD4 | 6 | Двойной | 10 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 МВт 120 МВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА / 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм, 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК124СДСВ6Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mun5234dw1t1g-datasheets-6465.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 2 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2,14 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НСБК1* | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMUN5230DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mun5230dw1t1g-datasheets-7778.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 2 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 10 кГц | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 187мВт | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100А | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 50В | 6В | 3 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4610(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | СК-74, СОТ-457 | 12 недель | неизвестный | 300мВт | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | КРЕМНИЙ | НПН/ПНП | 300мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4902,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМБ11Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | -50В | -50 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 13 недель | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | МБ11 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 20 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 20 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSBC114YPDP6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mun5314dw1t1g-datasheets-7319.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | Олово | Нет | е3 | НПН, ПНП | ДА | 339 МВт | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1602(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | СК-74, СОТ-457 | 11 недель | 6 | Нет | НПН | 300мВт | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 50 | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН531335DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nsvmun531335dw1t3g-datasheets-5407.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 187мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм, 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4905FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | 100 мА | 50В | 100 мА | 5В | 80 | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМГ1АТ148 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/rohm-fmg1at148-datasheets-0393.pdf | 50В | 30 мА | СК-74А, СОТ-753 | Без свинца | 5 | 13 недель | 5 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *МГ1 | 5 | 10 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 0,3 В | 56 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМД17,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pemd17115-datasheets-4976.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МД17 | 6 | 30 | 2 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.