Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Установить	Тип монтажа	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Текущий рейтинг	Пакет/ключи	Длина	Высота	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Количество окончаний	Срок выполнения заказа на заводе	Масса	Количество контактов	Статус жизненного цикла	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Контактное покрытие	Радиационная закалка	Макс. частота	Достичь соответствия кода	Код HTS	Код JESD-609	Терминальные отделки	Полярность	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Базовый номер детали	Количество контактов	Рабочая температура (макс.)	Конфигурация элемента	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Статус квалификации	Код JESD-30	Максимальный выходной ток	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Применение транзистора	Полярность/Тип канала	Рассеиваемая мощность-Макс (Абс)	Непрерывный ток коллектора	Мощность - Макс.	Максимальное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Частота перехода	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Базовое напряжение коллектора (VCBO)	Базовое напряжение эмиттера (VEBO)	hFE Мин.	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
РН2969(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год	/files/toshibasemiconductorandstorage-rn2969te85lf-datasheets-7428.pdf			СК-101, СОТ-883							12 недель																200мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			ПНП			200мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	22 кОм
РН1607(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	0,40 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует RoHS	2014 год				СК-74, СОТ-457							12 недель		6							250 МГц	неизвестный				НПН		300мВт						Двойной			2	Малые сигналы назначения общего BIP									100 мА		50В	50В	50В	100 мА				50В	6В	80	100на ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В		300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
UMD6NFHATR	РОМ Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3		/files/rohmsemiconductor-umd6nfhatr-datasheets-7477.pdf			6-ВССОП, СК-88, СОТ-363							13 недель												е2	ОЛОВО МЕДЬ					260					10													150 мВт						50В	100 мА				500нА ИКБО	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм
РН2971(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год	/files/toshibasemiconductorandstorage-rn2971te85lf-datasheets-7425.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363							12 недель																200мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			ПНП			200мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	120 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм
РН2502(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует RoHS	2013 год				СК-74А, СОТ-753							12 недель		5			EAR99				200 МГц					ПНП		300мВт						Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения									100 мА		50В	50В	300мВ	100 мА				50В	10 В	50	100на ИКБО	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	50 @ 10 мА 5 В		300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	10 кОм
РН4611(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СК-74, СОТ-457							12 недель										неизвестный					ДА										2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			НПН/ПНП	0,3 Вт		300мВт						50В	100 мА				100на ИКБО	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	120 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм
РН2967(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год	/files/toshibasemiconductorandstorage-rn2969te85lf-datasheets-7428.pdf			СК-101, СОТ-883							12 недель																200мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			ПНП			200мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
РН49А1ФЕ(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS					СОТ-563, СОТ-666							10 недель															ДА										2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			НПН/ПНП	0,1 Вт		100мВт						50В	100 мА				500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц 250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм, 22 кОм	47 кОм
РН2711,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)								5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							10 недель																																				200мВт						50В	100 мА				100на ИКБО	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	120 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм
ЭМГ3Т2Р	РОМ Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2012 год	/files/rohm-emg3t2r-datasheets-0318.pdf			СК-75, СОТ-416					Без свинца	5	13 недель		5		да	EAR99			Нет				е2	Олово/Медь (Sn/Cu)	НПН		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	*МГ3	5			10	150 мВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения					ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			100 мА		50В	50В	50В	100 мА	250 МГц				5В	100	500нА ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм
HD1A3M(0)-T1-AZ	Ренесас Электроникс Америка		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	HD1		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					/files/renesaselectronicsamerica-hd1a3m0t1az-datasheets-7211.pdf			ТО-243АА																																											2 Вт						60В	1А				100на ИКБО	1 NPN с предварительным смещением, 1 NPN	200 @ 1А 2В			1 кОм	1 кОм
NSBC143ZDXV6T1G	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/onsemiconductor-mun5233dw1t1g-datasheets-7299.pdf	50В	100 мА	СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	550 мкм	1,2 мм		Без свинца	6	2 недели	8,193012мг	6	АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10		Нет				е3	Олово (Вс)	НПН	ДА	500мВт	ПЛОСКИЙ	260	НСБК1*	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			100 мА		50В	50В	50В	100 мА						80	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 1 мА, 10 мА	4,7 кОм	47 кОм
УМД25НТР	РОМ Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3		/files/rohmsemiconductor-umd25ntr-datasheets-7236.pdf			6-ВССОП, СК-88, СОТ-363						6	13 недель						ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21.									ДА		КРЫЛО ЧАЙКИ	НЕ УКАЗАН					НЕ УКАЗАН		2			Р-ПДСО-Г6		КРЕМНИЙ	РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	НПН И ПНП			150 мВт					250 МГц	50В	100 мА				500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм
НСБК114YDXV6T1G	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/onsemiconductor-mun5214dw1t1g-datasheets-7250.pdf	50В	100 мА	СОТ-563, СОТ-666					Без свинца	6	2 недели		6	АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7	Олово	Нет				е3		НПН	ДА	500мВт	ПЛОСКИЙ	260	НСБК1*	6		Двойной	40	357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			100 мА		50В	50В	50В	100 мА						80	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	10 кОм	47 кОм
RN1708JE(TE85L,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS					СОТ-553							10 недель															ДА										2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			НПН	0,1 Вт		100мВт						50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	47 кОм
РН1708,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																				200мВт						50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	47 кОм
RN1711JE(TE85L,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					СОТ-553							12 недель															ДА										2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			НПН	0,1 Вт		100мВт						50В	100 мА				100на ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	120 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм
ЭМХ25Т2Р	РОМ Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Диги-Рил®	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2012 год	/files/rohmsemiconductor-emh25t2r-datasheets-7241.pdf			СОТ-563, СОТ-666					Без свинца	6	13 недель				да	EAR99						8541.21.00.75	е2	Олово/Медь (Sn/Cu)		ДА		ПЛОСКИЙ	260		6	150°С		10		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицирован	Р-ПДСО-Ф6		КРЕМНИЙ	РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ		НПН	0,15 Вт		150 мВт					250 МГц	50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм
NSBC143TPDXV6T1G	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-mun5316dw1t1g-datasheets-0141.pdf	50В	100 мА	СОТ-563, СОТ-666					Без свинца	6	17 недель		6	АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ		Нет				е3	Олово (Вс)	НПН, ПНП	ДА	500мВт	ПЛОСКИЙ	260	НСБК1*	6		Двойной	40	357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			100 мА		50В	50В	50В	100 мА						160	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	160 @ 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	4,7 кОм
RN1707JE(TE85L,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует RoHS	2010 год				СОТ-553							10 недель		5						Нет																	2	БИП Малый сигнал общего назначения							НПН	0,1 Вт		100мВт			50В				100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
РН2707,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																				200мВт						50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
РН2903ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СОТ-563, СОТ-666							12 недель										неизвестный						100мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			ПНП			100мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	22 кОм
RN2711JE(TE85L,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СОТ-553							12 недель										неизвестный						100мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			ПНП			100мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	120 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм
РН2710,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																				200мВт						50В	100 мА				100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	120 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм
RN2712JE(TE85L,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СОТ-553							12 недель										неизвестный						100мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			ПНП			100мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	120 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм
РН1703,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																				200мВт						50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	22 кОм
РН1605ТЕ85ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Разрезанная лента (CT)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СК-74, СОТ-457							11 недель														НПН		300мВт						Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ					100 мА		50В	50В	300мВ	100 мА					5В	80	100на ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм
RN1904FE,LF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СОТ-563, СОТ-666							8 недель				да						неизвестный						100мВт																				100мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	47 кОм
НСБК144EDXV6T1G	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-mun5213dw1t1g-datasheets-7191.pdf	50В	100 мА	СОТ-563, СОТ-666				50В	Без свинца	6	17 недель		6	АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.						е3	Олово (Вс)	НПН	ДА	500мВт	ПЛОСКИЙ	260	НСБК1*	6		Двойной	40	357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицирован		100 мА			ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			100 мА		50В	50В	50В	100 мА						80	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм
RN2908FE(TE85L,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СОТ-563, СОТ-666							12 недель										неизвестный						100мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ			ПНП			100мВт	50В	50В	300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	47 кОм

Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии