Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Текущий рейтинг	Пакет/ключи	Длина	Высота	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Количество окончаний	Срок выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Статус жизненного цикла	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Полярность	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Базовый номер детали	Количество контактов	Рабочая температура (макс.)	Конфигурация элемента	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Статус квалификации	Код JESD-30	Поставщик пакета оборудования	Максимальный выходной ток	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Применение транзистора	Полярность/Тип канала	Рассеиваемая мощность-Макс (Абс)	Непрерывный ток коллектора	Мощность - Макс.	Максимальное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Частота перехода	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Базовое напряжение коллектора (VCBO)	Базовое напряжение эмиттера (VEBO)	hFE Мин.	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
РН2505ТЕ85ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Разрезанная лента (CT)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует RoHS	2010 год				СК-74А, СОТ-753							11 недель		5					Нет				ПНП		300мВт						Двойной														-100 мА		50В	50В		300мВ	100 мА					-5В	80	100на ИКБО	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм
НСБК114ЭПДП6Т5Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2008 год	/files/onsemiconductor-nsbc114epdxv6t1g-datasheets-8212.pdf			СОТ-963					Без свинца	6	2 недели		6	АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1,0			е3	Олово (Вс)	НПН, ПНП	ДА	339 МВт	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	НСБК1*	6		Двойной	НЕ УКАЗАН		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицирован						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ						50В		50В	100 мА						35	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	35 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	10 кОм	10 кОм
RN2909FE(TE85L,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СОТ-563, СОТ-666							12 недель								неизвестный					100мВт									2	БИП Малый сигнал общего назначения					КРЕМНИЙ			ПНП			100мВт	50В	50В		300мВ	100 мА							100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	22 кОм
РН2706,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм
РН2506(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Разрезанная лента (CT)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СК-74А, СОТ-753							11 недель											ПНП		300мВт						Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения					КРЕМНИЙ					-100 мА	300мВт	50В	50В		300мВ	100 мА					-5В	80	100на ИКБО	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм
РН1704,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	47 кОм
РН2902,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Разрезанная лента (CT)	1 (без блокировки)				2014 год				6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363						6					да		ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1.		неизвестный				ДА		КРЫЛО ЧАЙКИ				150°С				2			Р-ПДСО-Г6			КРЕМНИЙ	РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	ПНП			200мВт						200 МГц	50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	50 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	10 кОм
РН2702,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	50 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	10 кОм
РН2705,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм
РН1711,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				100на ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	120 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм
РН46А1(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS					СК-74, СОТ-457							10 недель												ДА										2	БИП Малый сигнал общего назначения					КРЕМНИЙ			НПН/ПНП	0,3 Вт		300мВт							50В	100 мА				500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	70 при 10 мА 5 В / 50 при 10 мА 5 В	200 МГц 250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм, 10 кОм	22 кОм, 10 кОм
РН2709,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	22 кОм
ДМА561090Р	Электронные компоненты Panasonic	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С		Соответствует RoHS		/files/panasonicelectroniccomComponents-dma561090r-datasheets-6327.pdf			6-SMD (5 выводов), плоский вывод	2 мм	600 мкм	1,25 мм			5	10 недель		5			EAR99	ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 10		неизвестный			ПНП		150 мВт		НЕ УКАЗАН	DMA56109			Двойной	НЕ УКАЗАН		2						КРЕМНИЙ		ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			-100 мА		50В	50В	-250мВ	-50В	100 мА							500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	30 при 5 мА 10 В		250 мВ при 500 мкА, 10 мА	1 кОм	10 кОм
РН1703,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	22 кОм
РН1605ТЕ85ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Разрезанная лента (CT)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СК-74, СОТ-457							11 недель											НПН		300мВт						Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения					КРЕМНИЙ					100 мА		50В	50В		300мВ	100 мА					5В	80	100на ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм
РН2907(Т5Л,Ф,Т)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				2014 год				6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363																																									200мВт							50В	100 мА				100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
РН2701,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	30 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	4,7 кОм
РН1702,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)								5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	50 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	10 кОм
РН2967ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2014 год				СОТ-563, СОТ-666																			ДА										2	БИП Малый сигнал общего назначения					КРЕМНИЙ			ПНП	0,1 Вт		100мВт							50В	100 мА				100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
PUMD12/DG/B3,115	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					/files/nexperiausainc-pumd12115-datasheets-7381.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363																																									300мВт							50В	100 мА				1 мкА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 5 В	230 МГц 180 МГц	150 мВ при 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм
РН2708,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	47 кОм
НСТБ60BDW1T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2002 г.	/files/onsemiconductor-nstb60bdw1t1-datasheets-7744.pdf		-1 мА	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363					Без свинца	6	8 недель	Нет СВХК	6	АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,13.			е3	Олово (Вс)	НПН, ПНП	ДА	250мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	НЕ УКАЗАН	НСТБ60Б	6		Двойной	НЕ УКАЗАН	256мВт	2	Другие транзисторы	Не квалифицирован									-150 мА		50В	50В		50В	150 мА	140 МГц					80	500нА	1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP	80 при 5 мА 10 В / 120 при 5 мА 10 В	140 МГц	250 мВ при 5 мА, 10 мА / 500 мВ при 5 мА, 50 мА	22 кОм	47 кОм
РН2704,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	47 кОм
RN1909,LF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	22 кОм
РН1706,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм
РН2901(Т5Л,Ф,Т)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				2014 год				6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363																																	США6								200мВт							50В	100 мА				100на ИКБО	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	30 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	4,7 кОм
РН2703,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Не соответствует требованиям RoHS					5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353							12 недель																																		200мВт							50В	100 мА				500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	70 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	22 кОм	22 кОм
MUN5315DW1T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/onsemiconductor-mun5315dw1t1g-datasheets-6852.pdf	50В	100 мА	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363				50В	Без свинца	6	2 недели		6	АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ			е3	Олово (Вс)	НПН, ПНП	ДА	250мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	260	MUN53**DW1	6		Двойной	40	187мВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицирован			100 мА			ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			100 мА			50В		50В	100 мА						160	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	160 @ 5 мА 10 В		250 мВ при 1 мА, 10 мА	10 кОм
UMC3NT1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-65°С	Соответствует ROHS3	2009 год	/files/onsemiconductor-umc5nt1g-datasheets-4807.pdf	50В	100 мА	5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353					Без свинца	5	8 недель		5	АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.	Нет		е3	Олово (Вс)	ПНП	ДА	150 мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	260		5			40	150 мВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения						ОБЩАЯ БАЗА, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			100 мА			50В		50В	100 мА				50В		35	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	35 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	10 кОм	10 кОм
BCR119SE6433HTMA1	Инфинеон Технологии	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2007 год	/files/infineontechnologies-bcr119sh6433xtma1-datasheets-4495.pdf			6-ВССОП, СК-88, СОТ-363						6							ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ							250мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	НЕ УКАЗАН	BCR119S				НЕ УКАЗАН		2			Р-ПДСО-Г6			КРЕМНИЙ	РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	НПН			250мВт		50В		300мВ	100 мА	150 МГц							2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	120 при 5 мА 5 В	150 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм

Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии