| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РН2964ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | неизвестный | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМД6/ЗЛФ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/nexperiausainc-pumd6115-datasheets-0771.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 150°С | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН И ПНП | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 200 @ 1 мА 5 В | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4909(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4910(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn4910lf-datasheets-4441.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКР 148С H6827 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcr148sh6433xtma1-datasheets-4520.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | BCR148S | PG-SOT363-6 | 250мВт | 50В | 100 мА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМД6/ZLX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/nexperiausainc-pumd6115-datasheets-0771.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 150°С | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН И ПНП | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 200 @ 1 мА 5 В | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4911(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4902FE(TE85L,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 250 МГц | неизвестный | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 10 В | 50 | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВБ124XPDXV6T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-nsbc124xpdxv6t1g-datasheets-7848.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | 500мВт | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1970ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМФ24НТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-emf24t2r-datasheets-5470.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | НПН | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Другие транзисторы | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 150 мА | 250 МГц | 100 мА 150 мА | 180 | 500нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 NPN | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| РН1905,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1903lfct-datasheets-0697.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | США6 | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1501(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | 5 | EAR99 | 250 МГц | НПН | 300мВт | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 300мВ | 100 мА | 50В | 10 В | 30 | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВБ144EPDXV6T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mun5313dw1t1g-datasheets-7309.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | ДА | 500мВт | 6 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН/ПНП | 500мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1906,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1903lfct-datasheets-0697.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | США6 | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1506(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 5 | 250 МГц | НПН | 300мВт | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 5В | 80 | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) | 80 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2970ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | неизвестный | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4903(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2902(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | США6 | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4908(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2963ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2969FE(TE85L,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2968FE(TE85L,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1911(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2910(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4901(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 200 МГц 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2904(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | США6 | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2908(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2909(Т5Л,Ф,Т) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1968ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | ДА | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.