Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N7334 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/597 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantxv2n7334-datasheets-5954.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.75 | МИЛ-19500/597 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 4 | Квалифицированный | Р-CDIP-T14 | 1А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МО-036АБ | 1А | 4А | 0,8 Ом | 75 мДж | 4 N-канала | 700 мОм при 600 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6978 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 28А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,6 Вт 4,3 Вт | 36А | 2 Н-канала (полумост) | 1010пФ при 15В | 5,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А 28А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90DDA12T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90dda12t1g-datasheets-5939.pdf | СП1 | 10 | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 75А | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 6800пФ при 100В | 120 мОм при 26 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 270 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM70CT1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СП1 | 10 | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 2 N-канала (двойной) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД111910САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 10 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM83B1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | СП1 | 22 недели | 1 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 3 | Другие транзисторы | 21 нс | 30 нс | 32 нс | 240 нс | 36А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 49А | 3 N канал (фазовый участок + повышающий прерыватель) | 7200пФ при 25В | 83 мОм при 24,5 А, 10 В | 5 В при 3 мА | 250 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120ВДА57Т3Г | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | SP3 | 20 | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 15нс | 45 нс | 160 нс | 17А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68А | 0,684Ом | 2 N-канала (двойной) | 5155пФ при 25 В | 684 мОм при 8,5 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 187 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Л11ТУ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, плоские выводы | 6 | неизвестный | 500мВт | 2 | Двойной | Другие транзисторы | 16 нс | 15 нс | 500 мА | -1,1 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,5 А | N и P-канал | 268пФ при 10 В | 145 мОм при 250 мА, 4 В | 1,1 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90AM602G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90am602g-datasheets-5946.pdf | SP2 | 22 недели | 2 | EAR99 | Нет | 462 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 59А | 20 В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 13600пФ при 100В | 60 мОм при 52 А, 10 В | 3,5 В при 6 мА | 540 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД111910МАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 10 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90DSK12T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90dsk12t1g-datasheets-5948.pdf | СП1 | 10 | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 75А | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 6800пФ при 100В | 120 мОм при 26 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 270 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DHM16T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | SP3 | 22 недели | 3 | EAR99 | Нет | 390 Вт | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 104А | 30В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 7220пФ при 25 В | 19 мОм при 52 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM42F2G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptc60am42f2g-datasheets-5951.pdf | SP2 | 2 | EAR99 | Нет | 416 Вт | 416 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 52 нс | 240 нс | 66А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N канал (фазовая ветвь) | 14600пФ при 25В | 42 мОм при 33 А, 10 В | 5 В при 6 мА | 510 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM83BC1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | СП1 | 22 недели | 1 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 3 | Другие транзисторы | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 36А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 49А | 3 N канал (фазовый участок + повышающий прерыватель) | 7200пФ при 25В | 83 мОм при 24,5 А, 10 В | 5 В при 3 мА | 250 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7334 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/597 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantxv2n7334-datasheets-5954.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.75 | МИЛ-19500/597 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 4 | Квалифицированный | Р-CDIP-T14 | 1А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МО-036АБ | 1А | 4А | 0,8 Ом | 75 мДж | 4 N-канала | 700 мОм при 600 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DSKM45T1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | СП1 | 22 недели | 1 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В @ 3 мА | 150 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90H12SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc90h12sctg-datasheets-5962.pdf | SP4 | 14 | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 250 Вт | 4 | Не квалифицирован | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 75А | 0,12 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 6800пФ при 100В | 120 мОм при 26 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 270 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DSKM45CT1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СП1 | 10 | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | 2 N-канала (двойной) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 150 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N7335 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/599 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n7335-datasheets-5965.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1,4 Вт | Квалифицированный | 750 мА | 100В | 1,4 Вт | 4 P-канала | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6970 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerWDFN | 8 | Нет | 4,1 Вт | 2 | 42А | 30В | 5 Вт 4,1 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1171пФ при 15 В | 5,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 24А 42А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2800 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aoc2800-datasheets-2618.pdf | 4-УФБГА, ВЛЦСП | 1,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 9,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6928 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6928-datasheets-5879.pdf | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 30А | 30В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1150пФ при 15В | 8,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 17А 30А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DWA-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-2n7002dwa7-datasheets-5882.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6,010099мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | 260 | 30 | 300мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 3,3 нс | 3,2 нс | 6,3 нс | 12 нс | 180 мА | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60В | 2 N-канала (двойной) | 22пФ при 25В | 6 Ом при 115 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 0,87 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2670T1R-E2-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/renesaselectronicsamerica-upa2670t1re2ax-datasheets-5885.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | да | EAR99 | 2,3 Вт | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 3А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3 Вт | 3А | 2 P-канала (двойной) | 473пФ при 10 В | 79 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 5,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA922EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia922edjt1ge3-datasheets-5889.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 15 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | 1,9 Вт | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 60нс | 45 нс | 25 нс | 4,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7,8 Вт | 4,5 А | 0,072Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 64 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,5 А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД111910ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 10 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М3ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m3tb-datasheets-0418.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *М3 | Двойной | 2 Вт | 25нс | 25 нс | 60 нс | 4,5 А | 20 В | 30В | 2,5 В | 30В | N и P-канал | 230пФ при 10В | 2,5 В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5А 4,5А | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90TAM60TPG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90tam60tpg-datasheets-5908.pdf | СП6 | 23 | 22 недели | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 23 | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X23 | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 59А | 20 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150А | 1940 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 13600пФ при 100В | 60 мОм при 52 А, 10 В | 3,5 В при 6 мА | 540 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90H12T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90h12t1g-datasheets-5914.pdf | СП1 | 12 | 22 недели | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 75А | 4 N-канала (H-мост) | 6800пФ при 100В | 120 мОм при 26 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 270 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2672T1R-E2-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/renesaselectronicsamerica-upa2672t1re2ax-datasheets-5922.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | да | EAR99 | 2,3 Вт | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 4А | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3 Вт | 4А | 2 P-канала (двойной) | 486пФ при 10 В | 67 мОм при 2 А, 4,5 В | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В |
