Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производитель производитель | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMLDM8005 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm8005trpbfree-datasheets-4680.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 42 недели | ДА | Другие транзисторы | 0,35 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,65 А | 2 P-канала (двойной) | 100пФ при 16В | 360 мОм при 350 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 650 мА | 1,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1025X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1025xt1ge3-datasheets-4065.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 32,006612мг | Неизвестный | 4Ом | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1025 | 3 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Другие транзисторы | -500мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -2В | 0,19 А | -60В | 2 P-канала (двойной) | 23пФ при 25В | 4 Ом при 500 мА, 10 В | 3 В при 250 мкА | 190 мА | 1,7 НК при 15 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1024NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fdma1024nz-datasheets-4702.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 54МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Золото | е4 | 700мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 5,3 нс | 2,2 нс | 2,2 нс | 18 нс | 5А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВ | 5А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 10В | 700 мВ | 54 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7,3 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3932DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si3932dvt1ge3-datasheets-4386.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 1,1 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 58МОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3932 | 6 | 2 | Двойной | 30 | 1,14 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 150°С | 5 нс | 15нс | 10 нс | 10 нс | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 В | 3,7А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 235пФ при 15В | 1,2 В | 58 мОм при 3,4 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 3,7А | 6 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД609 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod609-datasheets-9535.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | Без свинца | 16 недель | Нет | 2 Вт | 2 | 12А | 40В | 2 Вт | N и P-каналы, общий сток | 650пФ при 20В | 30 мОм при 12 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10,8 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7103TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-irf7103trpbf-datasheets-4741.pdf | 50В | 3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 130мОм | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | IRF7103TRPBF | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7103PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5,1 нс | 8нс | 25 нс | 15 нс | 3А | 20 В | 50В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 3В | 100 нс | 3А | 50В | 2 N-канала (двойной) | 290пФ при 25В | 3 В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 30 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1032CZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdma1032cz-datasheets-4748.pdf | 20 В | 3,7А | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 850 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 68мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Золото | Нет | е4 | 1,4 Вт | 2 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 11нс | 11 нс | 37 нс | 3,7А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 700мВт | 20 В | N и P-канал | 340пФ при 10В | 1 В | 68 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,7 А 3,1 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4813 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 175 пФ | 2 P-канала (двойной) | 1250пФ при 15В | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 19 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1023PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdma1023pz-datasheets-4652.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | е4 | 1,5 Вт | Двойной | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 9 нс | 12нс | 12 нс | 64 нс | -3,7А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 700мВт | 135 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 655пФ при 10 В | -700 мВ | 72 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,7А | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4935BZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds4935bz-datasheets-4805.pdf | -30В | -6,9А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 22МОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 12 нс | 13нс | 13 нс | 68 нс | -6,9А | 25 В | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,9 В | 900мВт | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1360пФ при 15В | 1,9 В | 22 мОм при 6,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,9А | 40 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6982AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fds6982as-datasheets-4837.pdf | 30 В | 8,6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 3,99 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 187 мг | Нет СВХК | 28МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 2 Вт | 2 | 150°С | 12 нс | 7нс | 3 нс | 24 нс | 8,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 900мВт | 19 нс | 30А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 610пФ при 10 В | 64нс | 34 нс | 1,4 В | 28 мОм при 6,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,3 А 8,6 А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7313TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/infineontechnologies-irf7313trpbf-datasheets-4670.pdf | 30 В | 6,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 4,05 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 29мОм | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7313PBF | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 8,1 нс | 8,9 нс | 17 нс | 26 нс | 6,5 А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 1В | 68 нс | 30А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 650пФ при 25В | 1 В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 33 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD85301Q2 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 800 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 9,695537мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 750 мкм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | е3 | 2,3 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | CSD85301 | 2 | Двойной | 2 | 6 нс | 26нс | 15 нс | 14 нс | 5А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 0,039 Ом | 3,8 мДж | 2 N-канала (двойной) | 469пФ при 10 В | 27 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 5,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG9926USD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmg9926usd13-datasheets-4173.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 850,995985мг | Нет СВХК | 24мОм | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMG9926USD | 8 | Двойной | 40 | 1,3 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 13,2 нс | 12,6 нс | 21,7 нс | 64,8 нс | 8А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 30А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 867пФ при 15 В | 24 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 8,8 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3900DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si3900dvt1e3-datasheets-4514.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 125 мОм | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3900 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | 10 нс | 30 нс | 30 нс | 14 нс | 2А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 2А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 600 мВ | 125 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2004ДВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn2004dwk7-datasheets-3818.pdf | 20 В | 540 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 550мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН2004ДВК | 6 | Двойной | 40 | 200мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 150°С | 4,1 нс | 13,8 нс | 540 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,54 А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si1026xt1ge3-datasheets-4252.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 32,006612мг | Неизвестный | 3Ом | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1026 | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 15 нс | 20 нс | 500 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 0,305А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 30пФ при 25В | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 305 мА | 0,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6304П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-fdg6304p-datasheets-4041.pdf | -25В | -410 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 1,1 Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 7 нс | 8нс | 8 нс | 55 нс | -410 мА | -8В | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -820мВ | 0,41 А | -25В | 2 P-канала (двойной) | 62пФ при 10 В | -820 мВ | 1,1 Ом при 410 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 410 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA3023PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdma3023pz-datasheets-4396.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 90МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | Двойной | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5 нс | 4нс | 4 нс | 62 нс | 2,9 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -600мВ | 700мВт | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 530пФ при 15В | -600 мВ | 90 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA2002НЗ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdma2002nz-datasheets-4504.pdf | 30 В | 2,9 А | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 850 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 123МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 650мВт | Двойной | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 6 нс | 8нс | 8 нс | 12 нс | 2,9 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 30 пФ | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 15В | 123 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN6040SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmn6040ssdq13-datasheets-4334.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 5А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 0,04 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1287пФ при 25 В | 40 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5А Та | 22,4 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9945 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fds9945-datasheets-4537.pdf | 60В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 21 неделя | 187 мг | Нет СВХК | 100МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 5 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 4,3 нс | 3 нс | 19 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 1 Вт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 420пФ при 30В | 2,5 В | 100 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 13 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTUD3174NZT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ntud3174nzt5g-datasheets-9483.pdf | СОТ-963 | 8 недель | 20 В | 125 мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 12,5 пФ при 15 В | 1,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 220 мА Та | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4818Б | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | 8,5 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8958B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fds8958b-datasheets-4590.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 187 мг | Нет СВХК | 26МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,6 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6нс | 6 нс | 17 нс | 4,5 А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 6,4А | 30 В | N и P-канал | 540пФ при 15В | 26 мОм при 6,4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,4 А 4,5 А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4612 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 3,2А | 20 В | 60В | N и P-канал | 540пФ при 30В | 56 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,5 А 3,2 А | 10,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ4800ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmg4800lsd13-datasheets-4156.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,7 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,17 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМГ4800ЛСД | 8 | Двойной | 40 | 1,17 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 5,03 нс | 4,5 нс | 8,55 нс | 26,33 нс | 7,5 А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 0,016Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 798пФ при 10 В | 16 мОм при 9 А, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 8,56 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia519edjt1ge3-datasheets-4324.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 40МОм | 6 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 7,8 Вт | 260 | SIA519 | 6 | 40 | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 20 В | N и P-канал | 350пФ при 10В | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia533edjt1ge3-datasheets-4354.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 800 мкм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 34МОм | 6 | EAR99 | 7,8 Вт | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | SIA533 | 6 | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 7,8 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 150°С | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 12 В | N и P-канал | 420пФ при 6В | 400 мВ | 34 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS6K1TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 30 В | 1А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 20 недель | Нет СВХК | 364МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К1 | 6 | Двойной | 10 | 1,25 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 7нс | 7 нс | 15 нс | 1А | 12 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 1А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 77пФ при 10 В | 1,5 В | 238 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 2,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня |
