Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФДГ6332C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdg6332c-datasheets-3789.pdf | 700 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 300МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 7А | е3 | 20 В | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 14 нс | 14 нс | 6 нс | 700 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 В | 20 В | N и P-канал | 113пФ при 10 В | 300 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 700 мА 600 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДЦ7002Н | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/onsemiconductor-ndc7002n-datasheets-3811.pdf | 50В | 350 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 900 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 5 недель | 36мг | Нет СВХК | 2Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 700мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 6нс | 6 нс | 11 нс | 510 мА | 20 В | 50В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 0,51 А | 50В | 2 N-канала (двойной) | 20пФ при 25В | 1,9 В | 2 Ом при 510 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН601ДВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dmn601dwk7-datasheets-3824.pdf | 60В | 305 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 2Ом | 6 | да | EAR99 | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | Олово | Нет | е3 | АЭК-Q101 | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН601ДВК | 6 | 2 | Двойной | 40 | 200мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 305 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 0,305А | 5 пФ | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 1,6 В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6312P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdc6312p-datasheets-3831.pdf | -20В | -2,3А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 115МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 150°С | 8 нс | 13нс | 13 нс | 18 нс | 2,3А | 8В | -20В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -900мВ | 700мВт | -20В | 2 P-канала (двойной) | 467пФ при 10 В | -900 мВ | 115 мОм при 2,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1922edht1ge3-datasheets-3847.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1922 | 6 | Двойной | 30 | 740мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 22 нс | 80нс | 220 нс | 645 нс | 1,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 198 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 2,5 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1016CX-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1016cxt1ge3-datasheets-3861.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 14 недель | 8,193012мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 220мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 30 | 220мВт | 2 | Другие транзисторы | 11 нс | 16 нс | 11 нс | 26 нс | 600мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 20 В | N и P-канал | 43пФ при 10 В | 396 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6333C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdc6333c-datasheets-3849.pdf | 2,5 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 95МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 4,5 нс | 13нс | 13 нс | 11 нс | 2,5 А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 700мВт | -30В | N и P-канал | 282пФ при 15 В | 1,8 В | 95 мОм при 2,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,5 А 2 А | 6,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY1002PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdy1002pz-datasheets-3896.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 32мг | 500мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 446 МВт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 625 МВт | 2 | Другие транзисторы | 3,5 нс | 2,9 нс | 2,9 нс | 23 нс | 830 мА | 8В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,83 А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 135пФ при 10В | 500 мОм при 830 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 3,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2004ВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn2004vk7-datasheets-3514.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 550мОм | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | ДМН2004ВК | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 13,3 нс | 36,1 нс | 53,5 нс | 540 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-2n7002dw-datasheets-3438.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 8 недель | 28мг | Нет СВХК | 7,5 Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | Нет | 200мВт | 2 | Двойной | 200мВт | 2 | 150°С | СК-88 (СК-70-6) | 50пФ | 5,85 нс | 12,5 нс | 115 мА | 20 В | 60В | 1,76 В | 200мВт | 2Ом | 78В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 1,76 В | 7,5 Ом при 50 мА, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 115 мА | Ворота логического уровня | 7,5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG1016UDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmg1016udw7-datasheets-3064.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 750мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | DMG1016UDW | 6 | 330мВт | 2 | 150°С | 5,1 нс | 7,4 нс | 12,3 нс | 26,7 нс | -845мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 20 В | N и P-канал | 60,67 пФ при 10 В | 450 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 1,07 А 845 мА | 0,74 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С415ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s415aatma1-datasheets-2943.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 8 | 12 недель | 8 | да | не_совместимо | Без галогенов | 50 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 20А | 60В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0155Ом | 90 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2260пФ при 25В | 15,5 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 20 мкА | 29 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| USB10H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-usb10h-datasheets-3512.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт | 1,9 А | 0,17 Ом | 2 P-канала (двойной) | 441пФ при 10 В | 170 мОм при 1,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,9 А | 4,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si1539cdlt1ge3-datasheets-3527.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 340мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 290мВт | 2 | 150°С | 32 нс | 19нс | 10 нс | 4 нс | 700 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 0,7 А | 0,388Ом | N и P-канал | 28пФ при 15В | 388 мОм при 600 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 700 мА 500 мА | 1,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ1029СВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmg1029sv7-datasheets-3428.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДМГ1029 | 6 | 40 | 450мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 5,5 нс | 7,9 нс | 11,6 нс | 10,6 нс | 500 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 0,37 А | 5 пФ | 60В | N и P-канал | 30пФ при 25В | 1,7 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 500 мА 360 мА | 0,3 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DWH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-2n7002dwh6327xtsa1-datasheets-3140.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | е3 | Матовый олово (Sn) | Без галогенов | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 2 | Не квалифицированный | 3 нс | 3,3 нс | 3,1 нс | 5,5 нс | 115 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,3 А | 3Ом | 3 пФ | 2 N-канала (двойной) | 20пФ при 25В | 3 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 300 мА | 0,6 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6322С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdg6322c-datasheets-3570.pdf | 220 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 8нс | 8 нс | 55 нс | 220 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 850 мВ | 25 В | N и P-канал | 9,5 пФ при 10 В | 850 мВ | 4 Ом при 220 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 220 мА 410 мА | 0,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTUD3169CZT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ntud3169czt5g-datasheets-3564.pdf | СОТ-963 | 1,05 мм | 400 мкм | 850 мкм | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 710мВт | ПЛОСКИЙ | NTUD3169CZ | 6 | Двойной | 200мВт | 2 | Другие транзисторы | 26 нс | 46нс | 145 нс | 196 нс | 280 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 125 МВт | 20 В | N и P-канал | 12,5 пФ при 15 В | 1,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 220 мА 200 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2105 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2105engrt-datasheets-2522.pdf | Править | 14 недель | Править | 80В | 2 Н-канала (полумост) | 300пФ при 40В 1100пФ при 40В | 14,5 мОм при 20 А, 5 В, 3,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 2,5 мА, 2,5 В @ 10 мА | 9,5А 38А | 2,5 нк при 5 В, 10 нк при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntjd1155lt1g-datasheets-3487.pdf | 630 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Нет СВХК | 130мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD1155 | 6 | Двойной | 40 | 400мВт | 2 | Другие транзисторы | 1,3А | 1В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | -8В | N и P-канал | 175 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3085ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmp3085lsd13-datasheets-3301.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,7 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 23 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 4,8 нс | 5нс | 14,6 нс | 31 нс | -3,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | -30В | 2 P-канала (двойной) | 563 пФ при 25 В | 70 мОм при 5,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,9 А | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntzd3155ct2g-datasheets-2996.pdf | 540 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 500мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3155С | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 12нс | 12 нс | 35 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,54 А | -20В | N и P-канал | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 540 мА 430 мА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG6602SVTQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmg6602svtq7-datasheets-3550.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 1 мм | 6 | 15 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 840мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 840мВт | 2 | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 2,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,06 Ом | 80 пФ | N и P-канал | 400пФ при 15В | 60 мОм при 3,1 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 3,4 А 2,8 А | 13 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW342-TL-E | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-fw342tle-datasheets-3449.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-СОП | 30 В | 1,8 Вт | N и P-канал | 850пФ при 10 В | 33 мОм при 6 А, 10 В | 6А 5А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmc2038lvt7-datasheets-3225.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,95 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 74мОм | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Золото | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 800мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМК2038 | 6 | 40 | 800мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 11 нс | 21 нс | 2,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | 100 пФ | 20 В | N и P-канал | 530пФ при 10 В | 35 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 3,7 А 2,6 А | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7804 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7804-datasheets-9095.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 3,1 Вт | 17 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9А | 20 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2100 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2100engrt-datasheets-2540.pdf | Править | 14 недель | Править | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 475 пФ при 15 В 1960 пФ при 15 В | 8,2 мОм при 25 А, 5 В, 2,1 мОм при 25 А, 5 В | 2,5 В при 4 мА, 2,5 В при 16 мА | 10А Та 40А Та | 4,9 нк при 15 В, 19 нк при 15 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2990UDJ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn2990udj7-datasheets-3336.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 350 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 350 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4 нс | 3,3 нс | 6,4 нс | 19 нс | 450 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,33 А | 0,99 Ом | 2 N-канала (двойной) | 27,6 пФ при 16 В | 990 мОм при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 0,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС84АКС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-bss84aks115-datasheets-3339.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 2 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 445 МВт | 8,5 Ом | 2 P-канала (двойной) | 36пФ при 25В | 7,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 160 мА | 0,35 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6605-TL-E | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mch6605tle-datasheets-3362.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6-MCPH | 50В | 800мВт | 2 P-канала (двойной) | 6,2 пФ при 10 В | 22 Ом при 40 мА, 10 В | 140 мА | 1,32 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В |
