Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Напряжение запуска | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Обратное время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD110808PCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald110908asal-datasheets-9244.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 16 | 500мВт | 500мВт | 16-ПДИП | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4,8 В | 820 мВ при 1 мкА | 12 мА 3 мА | Стандартный | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД114904ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald114904sal-datasheets-3047.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-ПДИП | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 3,6 В | 360 мВ при 1 мкА | 12 мА 3 мА | Режим истощения | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120Х140ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm120h140ft1g-datasheets-0414.pdf | СП1 | Без свинца | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 208 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 26 нс | 15 нс | 24 нс | 85 нс | 8А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 50А | 4 N-канала (H-мост) | 3812пФ при 25 В | 1,68 Ом при 7 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 145 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc60hm70t3g-datasheets-0416.pdf | SP3 | Без свинца | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X25 | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 160А | 0,07 Ом | 1800 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70RT3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Винт | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm70rt3g-datasheets-0419.pdf | SP3 | 36 недель | 3 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (H-мост) + мостовой выпрямитель | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM70T1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptc60ddam70t1g-datasheets-0395.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | EAR99 | 250 Вт | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 39А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FPF1C2P5BF07A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fpf1c2p5bf07a-datasheets-0420.pdf | Модуль F1 | 13 недель | 23г | Нет СВХК | да | 250 Вт | 2,5 кВ | 36А | 650В | 109 нс | 5 N-каналов (солнечный инвертор) | 90 мОм при 27 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN27N120SK | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | СОТ-227-4, миниБЛОК | 20 недель | 1200В 1,2кВ | 2 N-канала (двойной) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ50-025ТФ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-fmm50025tf-datasheets-0379.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 30 недель | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФММ | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 30А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 125 Вт | 400 мДж | 2 N-канала (двойной) | 4000пФ при 25В | 50 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 78 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГММ3Х160-0055Х2-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ixys-gmm3x1600055x2smdsam-datasheets-0376.pdf | 24-СМД, Крыло Чайки | 24 | EAR99 | Олово (984) Над никелем (39) | ДВОЙНОЙ | 24 | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г24 | 150А | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0031Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4 В @ 1 мА | 110 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCB20P1200LB-ТУБ | ИКСИС | $71,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MCB20P1200LB | Поверхностный монтаж | 9-PowerSMD | 28 недель | 1200В | 4 Н-канала (полумост) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80H15T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 277 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 277 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 28А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 670 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 4507пФ при 25 В | 150 мОм при 14 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50DDA10T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50dda10t3g-datasheets-0383.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 312 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 312 Вт | 2 | 15 нс | 21нс | 52 нс | 73 нс | 37А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 140А | 1600 мДж | 2 N-канала (двойной) | 4367пФ при 25 В | 120 мОм при 18,5 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 96 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCB20P1200LB-ТРР | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MCB20P1200LB | Поверхностный монтаж | 9-PowerSMD | 28 недель | 1200В | 4 Н-канала (полумост) | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM60H23FT1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm60h23ft1g-datasheets-0386.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 208 Вт | 4 | 37 нс | 43нс | 34 нс | 115 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,23 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 5316пФ при 25 В | 276 мОм при 17 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 165 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛКК47-06С5 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-lkk4706c5-datasheets-0388.pdf | ISOPLUS264™ | Без свинца | 5 | 32 недели | 5 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 20нс | 10 нс | 100 нс | 47А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600В | 2 N-канала (двойной) | 6800пФ при 100В | 45 мОм при 44 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 190 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80DDA15T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptc80dda15t3g-datasheets-0389.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 277 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 277 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 28А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 110А | 0,15 Ом | 670 мДж | 2 N-канала (двойной) | 4507пФ при 25 В | 150 мОм при 14 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MKE38P600TLB-ТРР | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | /files/ixys-mke38p600tlbtrr-datasheets-0392.pdf | Модуль 9-СМД | 32 недели | ISOPLUS-SMPD™.B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTC120WX75GD-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ | 28 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 75В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 10500пФ при 25В | 3,1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 180А Ц | 178 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВММ45-02Ф | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-vmm4502f-datasheets-0375.pdf | ТО-240АА | 7 | 24 недели | 6 | да | Нет | 190 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | ВММ | 7 | Двойной | 190 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПУФМ-Х7 | 45нс | 45 нс | 300 нс | 45А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 180А | 0,039 Ом | 200В | 2 N-канала (двойной) | 7500пФ при 25В | 45 мОм при 22,5 А, 10 В | 4 В при 4 мА | 225 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM100-0085X1-SMD ЗРК | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 17-СМД, Крыло Чайки | ГВМ100 | 85В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 6,2 мОм при 75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 103А | 114 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GMM3X160-0055X2-SMDSAM | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ixys-gmm3x1600055x2smdsam-datasheets-0376.pdf | 24-СМД, Крыло Чайки | 150А | 55В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4 В @ 1 мА | 110 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВМК165-007Т | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-vmk165007t-datasheets-0393.pdf | ТО-240АА | Без свинца | 7 | 8 недель | 7 | да | EAR99 | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 7 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 280 нс | 110 нс | 390 нс | 165А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 660А | 0,006Ом | 70В | 2 N-канала (двойной) | 8800пФ при 25В | 7 мОм при 82,5 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 480 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM180-004X2-SMDSAM | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 17-СМД, Крыло Чайки | 180А | 40В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 2,5 мОм при 100 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 110 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММИКС2Ф60Н50П3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | /files/ixys-mmix2f60n50p3-datasheets-0394.pdf | Модуль 24-SMD, 9 выводов | 30 недель | совместимый | 500В | 320 Вт | 2 N-канала (двойной) | 6250пФ при 25 В | 110 мОм при 30 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 30А Ц | 96 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ22-06ПФ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-fmm2206pf-datasheets-0377.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 30 недель | 5 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 130 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФММ | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 12А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 130 Вт | 66А | 1000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3600пФ при 25В | 350 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 58 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ65-015П | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/ixys-fmm65015p-datasheets-0348.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФММ | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т5 | 65А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,022 Ом | 2 N-канала (двойной) | 22 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 230 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4251DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФАСТИРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh4251dtrpbf-datasheets-0009.pdf | 8-PowerVDFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 63 Вт | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 188А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 31 Вт 63 Вт | 45А | 0,0046Ом | 61 мДж | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 1314пФ при 13В | 3,2 мОм при 30 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 64А 188А | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМК75-01Ф | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/ixys-fmk7501f-datasheets-0357.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 5 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 80 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 25 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 4 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГММ3Х100-01Х1-СМДСАМ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ixys-gmm3x10001x1smd-datasheets-0345.pdf | 24-СМД, Крыло Чайки | 90А | 100 В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4,5 В @ 1 мА | 90 НК при 10 В | Стандартный |
