Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Напряжение запуска | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Обратное время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFN130N90SK | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | СОТ-227-4, миниБЛОК | 28 недель | 900В | 2 N-канала (двойной) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100Х35ФТ3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm100h35ft3g-datasheets-0467.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | ПИН/ПЭГ | 25 | 390 Вт | 4 | Р-XUFM-P25 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 88А | 4 N-канала (H-мост) | 5200пФ при 25В | 420 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 186 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКМ40-06П1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-vkm4006p1-datasheets-0470.pdf | ЭКО-ПАК2 | 6 | 12 недель | 15 | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-XUFM-X6 | 38А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 1800 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 70 мОм при 25 А, 10 В | 5,5 В при 3 мА | 220 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ20АМ10ФТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm20am10ftg-datasheets-0471.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 694 Вт | 2 | 28 нс | 56нс | 99 нс | 81 нс | 175А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700А | 2 Н-канала (полумост) | 13700пФ при 25В | 12 мОм при 87,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 224 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60BBM24T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Винт | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60bbm24t3g-datasheets-0446.pdf | SP3 | 36 недель | 3 | EAR99 | Нет | 462 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 95А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm70t1g-datasheets-0447.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 12 | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM45BC1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60am45bc1g-datasheets-0448.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 3 | Другие транзисторы | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 N канал (фазовый участок + повышающий прерыватель) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 150 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60VDAM24T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60vdam24t3g-datasheets-0449.pdf | SP3 | 20 | 36 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1900 мДж | 2 N-канала (двойной) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50HM75FT3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50hm75ft3g-datasheets-0451.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 357 Вт | 4 | Р-XUFM-X25 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 46А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,09 Ом | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 5600пФ при 25В | 90 мОм при 23 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 123 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100Х46ФТ3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm100h46ft3g-datasheets-0427.pdf | SP3 | 36 недель | 3 | EAR99 | 357 Вт | 357 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 19А | 30 В | 1000В 1кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (H-мост) | 6800пФ при 25В | 552 мОм при 16 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 260 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100ДСК35Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm100dsk35t3g-datasheets-0429.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 88А | 2 N-канала (двойной) | 5200пФ при 25В | 420 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 186 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВММ85-02Ф | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-vmm8502f-datasheets-0432.pdf | Y4-M6 | 7 | да | EAR99 | 370 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | ВММ | Двойной | НЕ УКАЗАН | 370 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х7 | 80нс | 100 нс | 200 нс | 84А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 83А | 335А | 0,02 Ом | 200В | 2 N-канала (двойной) | 15000пФ при 25В | 25 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 450 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКМ60-01П1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/ixys-vkm6001p1-datasheets-0433.pdf | ЭКО-ПАК2 | 15 | 12 недель | 13 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 300 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 15 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Р-XUFM-X15 | 75А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 300А | 0,025 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 4500пФ при 25В | 25 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В при 4 мА | 260 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60VDAM45T1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptc60vdam45t1g-datasheets-0434.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | 2 N-канала (двойной) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 150 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM35T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60am35t1g-datasheets-0435.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 416 Вт | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 12 | 416 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,035 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 14000пФ при 25В | 35 мОм при 72 А, 10 В | 3,9 В @ 5,4 мА | 518 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10HM19FT3G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptm10hm19ft3g-datasheets-0437.pdf | SP3 | 73,4 мм | 11,5 мм | 40,8 мм | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 1 | Одинокий | 208 Вт | 4 | Р-XUFM-X25 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 70А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 В | 4 N-канала (H-мост) | 5100пФ при 25 В | 21 мОм при 35 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 200 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10DSKM09T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10dskm09t3g-datasheets-0440.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 139А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 2 N-канала (двойной) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM24T3G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptc60ddam24t3g-datasheets-0442.pdf | SP3 | 27 | 36 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1900 мДж | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80A15SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc80a15sctg-datasheets-0444.pdf | SP4 | 10 | 36 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 277 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 277 Вт | 2 | Р-XUFM-X10 | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 28А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,15 Ом | 670 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 4507пФ при 25 В | 150 мОм при 14 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД114904ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardevicesinc-ald114904sal-datasheets-3047.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-ПДИП | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 3,6 В | 360 мВ при 1 мкА | 12 мА 3 мА | Режим истощения | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120Х140ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm120h140ft1g-datasheets-0414.pdf | СП1 | Без свинца | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 208 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 26 нс | 15 нс | 24 нс | 85 нс | 8А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 50А | 4 N-канала (H-мост) | 3812пФ при 25 В | 1,68 Ом при 7 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 145 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc60hm70t3g-datasheets-0416.pdf | SP3 | Без свинца | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X25 | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 160А | 0,07 Ом | 1800 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70RT3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Винт | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm70rt3g-datasheets-0419.pdf | SP3 | 36 недель | 3 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (H-мост) + мостовой выпрямитель | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM70T1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptc60ddam70t1g-datasheets-0395.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | EAR99 | 250 Вт | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 39А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FPF1C2P5BF07A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fpf1c2p5bf07a-datasheets-0420.pdf | Модуль F1 | 13 недель | 23г | Нет СВХК | да | 250 Вт | 2,5 кВ | 36А | 650В | 109 нс | 5 N-каналов (солнечный инвертор) | 90 мОм при 27 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM180-004X2-SLSAM | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 17-СМД, плоские выводы | ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ | 180А | 40В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 2,5 мОм при 100 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 180А | 110 НК при 10 В | Стандартный | 2,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM35T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60ddam35t3g-datasheets-0424.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 416 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 416 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1800 мДж | 2 N-канала (двойной) | 14000пФ при 25В | 35 мОм при 72 А, 10 В | 3,9 В @ 5,4 мА | 518 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ10ДСКМ19Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10dskm19t3g-datasheets-0396.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 208 Вт | 2 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 70А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1500 мДж | 2 N-канала (двойной) | 5100пФ при 25 В | 21 мОм при 35 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 200 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM45T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60ddam45t1g-datasheets-0399.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 45А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 49А | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В @ 3 мА | 49А | 150 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM45T1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptc60am45t1g-datasheets-0400.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 12 | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 150 НК при 10 В | Стандартный |
