Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПТМ100А18ФТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm100a18ftg-datasheets-0522.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 780 Вт | 2 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 43А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 10400пФ при 25В | 210 мОм при 21,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 372 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||
| APTM50AM35FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50am35ftg-datasheets-0525.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 781 Вт | 2 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 99А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 396А | 0,035 Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 14000пФ при 25В | 39 мОм при 49,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||
| АЛД310704PCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/advancedlineardeviceinc-ald310704scl-datasheets-0230.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 16-ПДИП | 8В | 500мВт | 4 P-канала, согласованная пара | 2,5 пФ при 5 В | 380 мВ при 1 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70BT3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm70bt3g-datasheets-0490.pdf | SP3 | 36 недель | 22 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 5 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (H-мост) | 700пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50HM75FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50hm75ftg-datasheets-0491.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 357 Вт | 4 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 46А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,09 Ом | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 5600пФ при 25В | 90 мОм при 23 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 123 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||
| APTC60HM45T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm45t1g-datasheets-0493.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | 12 | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (H-мост) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 150 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||
| АПТМ20ХМ20СТГ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptm20hm20stg-datasheets-0495.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 357 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 28 нс | 56нс | 99 нс | 81 нс | 89А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 356А | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 6850пФ при 25В | 24 мОм при 44,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 112 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||
| APTM10HM09FT3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10hm09ft3g-datasheets-0497.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | ПИН/ПЭГ | 25 | 390 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-P25 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 139А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||
| APTM20HM20FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/microsemicorporation-aptm20hm20ftg-datasheets-0500.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 357 Вт | 4 | 28 нс | 56нс | 99 нс | 81 нс | 89А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 356А | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 6850пФ при 25В | 24 мОм при 44,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 112 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||
| APTM50H10FT3G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptm50h10ft3g-datasheets-0502.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 312 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 312 Вт | 4 | Р-XUFM-X25 | 15 нс | 21нс | 52 нс | 73 нс | 37А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,12 Ом | 1600 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 4367пФ при 25 В | 120 мОм при 18,5 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 96 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||
| APTM50DHM38G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50dhm38g-datasheets-0505.pdf | СП6 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 694 Вт | 694 Вт | 2 | СП6 | 11,2 нФ | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 90А | 30 В | 500В | 694 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 11200пФ при 25В | 45 мОм при 45 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 90А | 246 НК при 10 В | Стандартный | 45 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120А29ФТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm120a29ftg-datasheets-0507.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 780 Вт | 2 | 20 нс | 15 нс | 45 нс | 160 нс | 34А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 136А | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 10300пФ при 25В | 348 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 374 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||
| APTM10AM05FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10am05ftg-datasheets-0509.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 780 Вт | 2 | 80 нс | 165 нс | 135 нс | 280 нс | 278А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1100А | 0,005 Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 20000пФ при 25В | 5 мОм при 125 А, 10 В | 4 В при 5 мА | 700 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||
| APTM20AM08FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm20am08ftg-datasheets-0511.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 781 Вт | 2 | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 208А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 14400пФ при 25В | 10 мОм при 104 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||
| APTM50HM75SCTG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptm50hm75sctg-datasheets-0513.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 357 Вт | 4 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 46А | 30 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,09 Ом | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 5590пФ при 25 В | 90 мОм при 23 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 123 НК при 10 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||
| APTM50DDAM65T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm50ddam65t3g-datasheets-0485.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 51А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,078Ом | 2 N-канала (двойной) | 7000пФ при 25В | 78 мОм при 25,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||
| АПТМ50Х15ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm50h15ft1g-datasheets-0488.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 208 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 29 нс | 35 нс | 26 нс | 80 нс | 25А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 N-канала (H-мост) | 5448пФ при 25 В | 180 мОм при 21 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 170 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||
| APTC80A10SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc80a10sctg-datasheets-0462.pdf | SP4 | 10 | 22 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 416 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 416 Вт | 2 | Р-XUFM-X10 | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 42А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 168А | 0,1 Ом | 670 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 6761пФ при 25 В | 100 мОм при 21 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 273 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||
| MCB30P1200LB-ТРР | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MCB30P1200LB | Поверхностный монтаж | 9-PowerSMD | 28 недель | 1200В | 4 Н-канала (полумост) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCB30P1200LB-ТУБ | ИКСИС | $123,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MCB30P1200LB | Поверхностный монтаж | 9-PowerSMD | 28 недель | 1200В | 4 Н-канала (полумост) | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50AM38FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50am38ftg-datasheets-0464.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 694 Вт | 2 | 18 нс | 35 нс | 77 нс | 87 нс | 90А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 360А | 0,038Ом | 2 Н-канала (полумост) | 11200пФ при 25В | 45 мОм при 45 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 246 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||
| IXFN130N90SK | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | СОТ-227-4, миниБЛОК | 28 недель | 900В | 2 N-канала (двойной) | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100Х35ФТ3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm100h35ft3g-datasheets-0467.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | ПИН/ПЭГ | 25 | 390 Вт | 4 | Р-XUFM-P25 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 88А | 4 N-канала (H-мост) | 5200пФ при 25В | 420 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 186 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||
| ВКМ40-06П1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-vkm4006p1-datasheets-0470.pdf | ЭКО-ПАК2 | 6 | 12 недель | 15 | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-XUFM-X6 | 38А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 1800 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 70 мОм при 25 А, 10 В | 5,5 В при 3 мА | 220 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ20АМ10ФТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm20am10ftg-datasheets-0471.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 694 Вт | 2 | 28 нс | 56нс | 99 нс | 81 нс | 175А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700А | 2 Н-канала (полумост) | 13700пФ при 25В | 12 мОм при 87,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 224 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||
| APTM08TAM04PG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm08tam04pg-datasheets-0473.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 138 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 138 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 35 нс | 60нс | 65 нс | 100 нс | 120А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250А | 0,0045Ом | 1500 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4530пФ при 25В | 4,5 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 153 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||
| APTC80TA15PG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc80ta15pg-datasheets-0475.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 277 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 277 Вт | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-XUFM-X21 | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 28А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 110А | 0,15 Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4507пФ при 25 В | 150 мОм при 14 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||
| APTC60DHM24T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptc60dhm24t3g-datasheets-0477.pdf | SP3 | 16 | 36 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X16 | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1900 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||
| АПТМ20АМ10СТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptm20am10stg-datasheets-0479.pdf | SP4 | 10 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 694 Вт | 2 | Р-XUFM-X10 | 28 нс | 56нс | 99 нс | 81 нс | 175А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700А | 2 Н-канала (полумост) | 13700пФ при 25В | 12 мОм при 87,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 224 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||
| APTC60AM24T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc60am24t1g-datasheets-0481.pdf | СП1 | Без свинца | 12 | 36 недель | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 12 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Стандартный |
