Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФДМБ3900Н | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8601M-P-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2801Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | 6-WDFN Открытая площадка | совместимый | 20 В | 1,5 Вт | 2 P-канала (двойной) | 700пФ при 10В | 120 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 6,5 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5802АЛС | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2016 год | 6-SMD, открытая площадка с выводами | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5802Б_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | 6-SMD, открытая площадка с выводами | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8801 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao8801-datasheets-1134.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 В | 1,4 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1450пФ при 10В | 42 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,7А | 17,2 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6L13TU(T5L,F,T) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6l13tut5lft-datasheets-1137.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 500мВт | 800мА | 20 В | N и P-канал | 268пФ при 10В 250пФ при 10В | 143 мОм при 600 мА, 4 В, 234 мОм при 600 мА, 4 В | 1 В @ 1 мА | 800 мА Та | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD607_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aod607001-datasheets-1138.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 30 В | Дополняющие N и P-каналы | 12А Ц | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6617R-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSD340NH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsd340nh6327xtsa1-datasheets-1142.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО4804HUMA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2017 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 870пФ при 25 В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 2 В при 30 мкА | 8А Та | 17 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4532ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4532adyt1ge3-datasheets-1111.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | Нет | 1,2 Вт | СИ4532 | 2 | 8-СО | 8 нс | 9нс | 10 нс | 21 нс | 3,7А | 20 В | 30 В | 1В | 1,13 Вт 1,2 Вт | 80мОм | 30 В | N и P-канал | 53 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,7 А 3 А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 53 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2802_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2015 год | 4-УФБГА, ВЛЦСП | 20 В | 1,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1200пФ при 10В | 35 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 10,4 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД310702SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/advancedlineardeviceinc-ald310702ascl-datasheets-0270.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 16-СОИК | 8В | 500мВт | 4 P-канала, согласованная пара | 2,5 пФ при 5 В | 180 мВ @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm70sctg-datasheets-0705.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 156А | 0,07 Ом | 1800 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||
| ВБХ40-05Б | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-vbh4005b-datasheets-0688.pdf | В2-ПАК | 23 | 32 недели | 23 | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1,2 В | 40А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ОДНОФАЗНЫМ ДИОДНЫМ МОСТОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400А | 4 N-канала (H-мост) | 116 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 270 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100Х45ФТ3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm100h45ft3g-datasheets-0689.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | ПИН/ПЭГ | 25 | 357 Вт | 4 | Р-XUFM-P25 | 10 нс | 12нс | 35 нс | 121 нс | 18А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 72А | 2500 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 4350пФ при 25 В | 540 мОм при 9 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 154 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM45B1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60am45b1g-datasheets-0687.pdf | СП1 | 36 недель | 1 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 2 | Другие транзисторы | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 N канал (фазовый участок + повышающий прерыватель) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 24,5 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 150 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTI145WX100GD-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ | 24 | 28 недель | EAR99 | е3 | ОЛОВО НАД НИКЕЛЕМ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6 | Р-ПДСО-Г24 | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 190А | 0,0022Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 11100пФ при 50 В | 2,2 мОм при 100 А, 10 В | 3,5 В при 275 мкА | 190А Ц | 155 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GMM3X60-015X2-СМДСАМ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-gmm3x60015x2smd-datasheets-0346.pdf | ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ | 30 недель | 50А | 150 В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5800пФ при 25 В | 24 мОм при 38 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 97 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM24T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm24t3g-datasheets-0660.pdf | SP3 | 20 | 36 недель | 3 | EAR99 | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Р-XUFM-X20 | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 260А | 1900 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 14400пФ при 25В | 24 мОм при 47,5 А, 10 В | 3,9 В при 5 мА | 300 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВВМ270-0075Х2 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ixys-vwm2700075x2-datasheets-0582.pdf | В2-ПАК | 17 | 17 | EAR99 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 24 | НЕ УКАЗАН | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 270А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0021 Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 2,1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 500 мкА | 360 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM45SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptc60hm45sctg-datasheets-0623.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 250 Вт | 4 | Не квалифицированный | 21 нс | 30 нс | 45 нс | 100 нс | 49А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 130А | 1900 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 7200пФ при 25В | 45 мОм при 22,5 А, 10 В | 3,9 В при 3 мА | 150 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM35SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptc60am35sctg-datasheets-0552.pdf | SP4 | 10 | 36 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 416 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 416 Вт | 2 | Р-XUFM-X10 | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 72А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,035 Ом | 1800 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 14000пФ при 25В | 35 мОм при 36 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 518 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ10ТАМ19ФПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm10tam19fpg-datasheets-0554.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 208 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 70А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300А | 0,021 Ом | 1500 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5100пФ при 25 В | 21 мОм при 35 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 200 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100А23СТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-aptm100a23stg-datasheets-0564.pdf | SP4 | 10 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 10 | 694 Вт | 2 | Р-XUFM-X10 | 10 нс | 12нс | 35 нс | 121 нс | 36А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 8700пФ при 25 В | 270 мОм при 18 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 308 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20HM16FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptm20hm16ftg-datasheets-0571.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 390 Вт | 4 | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 104А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,019 Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 7220пФ при 25 В | 19 мОм при 52 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50HM65FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50hm65ftg-datasheets-0545.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 14 | 390 Вт | 4 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 51А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,078Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 7000пФ при 25В | 78 мОм при 25,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80TDU15PG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc80tdu15pg-datasheets-0517.pdf | СП6 | 21 | 36 недель | 6 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 277 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 277 Вт | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X21 | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 28А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКИ, ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 110А | 0,15 Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4507пФ при 25 В | 150 мОм при 14 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100А18ФТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm100a18ftg-datasheets-0522.pdf | SP4 | 12 | 36 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 780 Вт | 2 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 43А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 10400пФ при 25В | 210 мОм при 21,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 372 НК при 10 В | Стандартный |
