| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип@f) | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС2341 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-ms2341-datasheets-8625.pdf | М115 | 4 | 4 | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 87,5 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 87,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 9 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 65В | 2,6А | 65В | 3,5 В | НПН | 1025 ГГц~1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТАН300 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-tan300-datasheets-8627.pdf | 55КТ | 2 | 55 | нет | EAR99 | Нет | 1215 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 1166 кВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | 6,6 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1166 Вт | ФУНТ | 65В | 65В | 20А | НПН | 10 @ 1 мА 5 В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE66219-T1-A | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 21 ГГц | Соответствует RoHS | /files/cel-ne66219t1a-datasheets-3295.pdf | СОТ-523 | Без свинца | 3 | Нет | 115 МВт | Одинокий | 115 МВт | 14 дБ | 115 МВт | 35 мА | 3,3 В | 3,3 В | 35 мА | 15 В | 1,5 В | НПН | 60 @ 5 мА 2 В | 1,2 дБ @ 2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1051 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/microsemicorporation-ms1051-datasheets-8638.pdf | М174 | 4 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ | Нет | 30 МГц | е0 | Оловянный свинец | 290 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | 11 дБ ~ 13 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 18В | 18В | 20А | 36В | НПН | 10 при 5 мА 5 В | 30 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2321 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2321-datasheets-8640.pdf | М105 | Без свинца | 2 | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 87,5 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | С-КДФМ-Ф2 | 15 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 87,5 Вт | ФУНТ | 65В | 65В | 1,5 А | 65В | НПН | 1025 ГГц~1,15 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСК1450М | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 250°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-msc1450m-datasheets-8642.pdf | М216 | 2 | 13 недель | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 910 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 7 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 910 Вт | ФУНТ | 65В | 28А | 65В | НПН | 15 @ 1А 5В | 1,09 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JTDB25 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-jtdb25-datasheets-8644.pdf | 55AW-1 | 13 недель | нет | EAR99 | 97 Вт | 2 | 7,5 дБ | 55В | 5А | 5А | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 960 МГц~1215 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2215 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 250°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-ms2215-datasheets-8649.pdf | М216 | 2 | 4 | нет | EAR99 | Нет | 1215 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 300 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | 7,5 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ФУНТ | 55В | 55В | 16,5А | 55В | НПН | 20 @ 5А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10502 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 230°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 230°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-10502-datasheets-8654.pdf | 55СМ | 12 недель | 55 | Олово | 1458 кВт | 8,5 дБ | 55СМ | 1458 Вт | 65В | 65В | 40А | 65В | 40А | НПН | 20 @ 5А 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2209 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 225 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microsemicorporation-jantx2n2857-datasheets-6474.pdf | М218 | 2 | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 220 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 220 Вт | 1 | 8,4 дБ | С-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 65В | 7А | 7А | 65В | 3В | НПН | 20 @ 2А 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 0204-125 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ545 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-mrf545-datasheets-8621.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.75 | е0 | Оловянный свинец | 3,5 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | 14 дБ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 70В | 70В | 400 мА | 1400 МГц | 100В | ПНП | 15 @ 50 мА 6 В | 1 ГГц~1,4 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2205 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2213 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 250°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2213-datasheets-8584.pdf | М214 | 2 | 4 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1215 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 75 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | 7,8 дБ | С-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 55В | 3,5 А | 55В | НПН | 15 @ 1А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JTDB75 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-jtdb75-datasheets-8586.pdf | 55AW | 2 | 12 недель | 55 | нет | EAR99 | е0 | Оловянный свинец | 220 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП РФ малый сигнал | 7 дБ ~ 8,2 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 55В | 8А | 8А | НПН | 20 @ 1А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2322 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemi-ms2322-datasheets-3290.pdf | М115 | Без свинца | Нет | 87,5 Вт | 4 | 200°С | Другие транзисторы | 10 дБ | 15 Вт | Одинокий | НПН | 65В | 1,5 А | 1,5 А | НПН | 10 @ 100 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2212 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 250°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2212-datasheets-8589.pdf | М222 | 2 | 4 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1215 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 50 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 8,1 дБ ~ 8,9 дБ | С-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 55В | 1,8 А | 55В | НПН | 15 @ 500 мА 5 В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2307 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2307-datasheets-8591.pdf | 55БТ | 55 | Нет | 2,3 ГГц | 20,5 Вт | 8 дБ | 55БТ | 20,5 Вт | 42В | 42В | 1А | 42В | 1А | НПН | 10 @ 500 мА 5 В | 2,3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2267 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 250°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2267-datasheets-8593.pdf | М214 | Без свинца | 2 | 13 недель | 4 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1215 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 575 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 8 дБ ~ 8,7 дБ | С-КДФМ-Ф2 | 250 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 60В | 60В | 20А | 65В | НПН | 10 @ 1А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПР400 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-tpr400-datasheets-8595.pdf | 55CX | 2 | 55 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 875 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 7,27 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | НПН | 875 Вт | ФУНТ | 55В | 55В | 30А | НПН | 10 @ 2,5 А 5 В | 1,03–1,09 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2421 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-ms2421-datasheets-8600.pdf | М103 | 2 | 12 недель | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 875 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | 6,3 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 875 Вт | ФУНТ | 65В | 65В | 22А | 65В | НПН | 10 @ 500 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФК 19С E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-bfq19se6327-datasheets-8294.pdf | ТО-243АА | 3 | да | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | БФК19 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 7 дБ ~ 11,5 дБ | Не квалифицирован | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1 Вт | 1 Вт | ФУНТ | 5500 МГц | 15 В | 210 мА | НПН | 70 @ 70 мА 8 В | 1,5 пФ | 1,8 дБ ~ 3 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц | 5,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2393 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2393-datasheets-8605.pdf | М138 | Без свинца | 2 | 4 | нет | EAR99 | С ЭМИТТЕРНЫМ БАЛЛАСТНЫМ РЕЗИСТОРОМ | Нет | е0 | Оловянный свинец | 583 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | 8,2 дБ | С-КДФМ-Ф2 | 150 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 583 Вт | ФУНТ | 65В | 65В | 11А | 65В | НПН | 5 @ 300 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1090МП | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-1090mp-datasheets-8607.pdf | 55FW-1 | Без свинца | 4 | 20 недель | 4 | нет | EAR99 | Олово | Нет | е0 | 250 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 8,08 дБ ~ 8,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 65В | 65В | 6,5 А | 3,5 В | НПН | 15 @ 500 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2422 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-ms2422-datasheets-8609.pdf | М138 | 4 | EAR99 | Нет | 875 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6,3 дБ | Одинокий | НПН | 875 Вт | 65В | 65В | 22А | 65В | НПН | 10 @ 1А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2214 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 250°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microsemicorporation-ms2214-datasheets-8576.pdf | М218 | Без свинца | 2 | 12 недель | 4 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е0 | Оловянный свинец | 300 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 7,5 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | 85 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300 Вт | ФУНТ | 55В | 8А | 55В | НПН | 20 @ 2А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1224-02 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-sd122402-datasheets-8543.pdf | М113 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 175 МГц | 60 Вт | 7,6 дБ | М113 | 60 Вт | 35В | 35В | 5А | 35В | 5А | 65В | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 175 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП 640 H6433 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/infineontechnologies-bfp640h6433-datasheets-8578.pdf | СК-82А, СОТ-343 | 4 | НИЗКИЙ ШУМ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БФП640 | 1 | 24 дБ | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200мВт | КБ | 40000 МГц | 4,5 В | 50 мА | НПН | 110 @ 30 мА 3 В | 0,2пФ | 0,65–1,2 дБ при 1,8–6 ГГц | 40 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ITC1100 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/microsemicorporation-itc1100-datasheets-8545.pdf | 55SW | 3 | 22 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 3,4 кВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | 3,4 кВт | 1 | 10 дБ ~ 10,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 3400 Вт | ФУНТ | 65В | 30 В | 80А | 65В | 3,5 В | НПН | 10 @ 5А 5В | 1,03 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5179 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 1,5 ГГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-2n5179-datasheets-8580.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | Без свинца | 20 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | НПН | 300мВт | 300мВт | 1 | 20 дБ | ТО-72 | 200мВт | 300мВт | 12 В | 12 В | 50 мА | 12 В | 50 мА | 20 В | 2,5 В | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 4,5 дБ при 200 МГц | 200 МГц |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.