RF BJT-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Справочный стандарт Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Выходная мощность Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Непрерывный ток коллектора Мощность - Макс. Самый высокий частотный диапазон Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота смены Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Макс. емкость коллектора-базы Коэффициент шума (дБ, тип@f) Частота – переход
MS2341 МС2341 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Монтаж на шасси, поверхностный монтаж Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-ms2341-datasheets-8625.pdf М115 4 4 EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 87,5 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 87,5 Вт 1 Другие транзисторы 9 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 65В 2,6А 65В 3,5 В НПН 1025 ГГц~1,15 ГГц
TAN300 ТАН300 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-tan300-datasheets-8627.pdf 55КТ 2 55 нет EAR99 Нет 1215 ГГц е0 Оловянный свинец 1166 кВт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 6,6 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 1166 Вт ФУНТ 65В 65В 20А НПН 10 @ 1 мА 5 В 960 МГц~1215 ГГц
NE66219-T1-A NE66219-T1-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 21 ГГц Соответствует RoHS /files/cel-ne66219t1a-datasheets-3295.pdf СОТ-523 Без свинца 3 Нет 115 МВт Одинокий 115 МВт 14 дБ 115 МВт 35 мА 3,3 В 3,3 В 35 мА 15 В 1,5 В НПН 60 @ 5 мА 2 В 1,2 дБ @ 2 ГГц
MS1051 MS1051 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2003 г. /files/microsemicorporation-ms1051-datasheets-8638.pdf М174 4 4 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ Нет 30 МГц е0 Оловянный свинец 290 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 1 11 дБ ~ 13 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 18В 18В 20А 36В НПН 10 при 5 мА 5 В 30 МГц
MS2321 МС2321 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-ms2321-datasheets-8640.pdf М105 Без свинца 2 3 нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 87,5 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 Другие транзисторы 10 дБ С-КДФМ-Ф2 15 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН 87,5 Вт ФУНТ 65В 65В 1,5 А 65В НПН 1025 ГГц~1,15 ГГц
MSC1450M МСК1450М Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 250°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-msc1450m-datasheets-8642.pdf М216 2 13 недель 4 нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 910 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 Другие транзисторы 7 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН 910 Вт ФУНТ 65В 28А 65В НПН 15 @ 1А 5В 1,09 ГГц
JTDB25 JTDB25 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-jtdb25-datasheets-8644.pdf 55AW-1 13 недель нет EAR99 97 Вт 2 7,5 дБ 55В НПН 20 @ 500 мА 5 В 960 МГц~1215 ГГц
MS2215 МС2215 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 250°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2012 год /files/microsemicorporation-ms2215-datasheets-8649.pdf М216 2 4 нет EAR99 Нет 1215 ГГц е0 Оловянный свинец 300 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 7,5 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН ФУНТ 55В 55В 16,5А 55В НПН 20 @ 5А 5В 960 МГц~1215 ГГц
10502 10502 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 230°С, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) 230°С -65°С Не соответствует требованиям RoHS /files/microsemicorporation-10502-datasheets-8654.pdf 55СМ 12 недель 55 Олово 1458 кВт 8,5 дБ 55СМ 1458 Вт 65В 65В 40А 65В 40А НПН 20 @ 5А 5В
MS2209 MS2209 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 225 МГц Соответствует RoHS 2008 год /files/microsemicorporation-jantx2n2857-datasheets-6474.pdf М218 2 4 нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 220 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 220 Вт 1 8,4 дБ С-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН 65В 65В НПН 20 @ 2А 5В
0204-125 0204-125
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0
MRF545 МРФ545 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 200°С -65°С Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-mrf545-datasheets-8621.pdf ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка 3 3 нет EAR99 Нет 8541.29.00.75 е0 Оловянный свинец 3,5 Вт НИЖНИЙ ПРОВОЛОКА 3 1 14 дБ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ ПНП ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 70В 70В 400 мА 1400 МГц 100В ПНП 15 @ 50 мА 6 В 1 ГГц~1,4 ГГц
MS2205 МС2205
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0
MS2213 МС2213 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 250°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-ms2213-datasheets-8584.pdf М214 2 4 нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 1215 ГГц е0 Оловянный свинец 75 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 7,8 дБ С-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 55В 3,5 А 55В НПН 15 @ 1А 5В 960 МГц~1215 ГГц
JTDB75 JTDB75 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2016 год /files/microsemicorporation-jtdb75-datasheets-8586.pdf 55AW 2 12 недель 55 нет EAR99 е0 Оловянный свинец 220 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН 2 НЕ УКАЗАН 1 БИП РФ малый сигнал 7 дБ ~ 8,2 дБ Не квалифицирован Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 55В НПН 20 @ 1А 5В 960 МГц~1215 ГГц
MS2322 МС2322 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemi-ms2322-datasheets-3290.pdf М115 Без свинца Нет 87,5 Вт 4 200°С Другие транзисторы 10 дБ 15 Вт Одинокий НПН 65В 1,5 А 1,5 А НПН 10 @ 100 мА 5 В 1025 ГГц~1,15 ГГц
MS2212 МС2212 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 250°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-ms2212-datasheets-8589.pdf М222 2 4 нет ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 1215 ГГц е0 Оловянный свинец 50 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 Другие транзисторы 8,1 дБ ~ 8,9 дБ С-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 55В 1,8 А 55В НПН 15 @ 500 мА 5 В 960 МГц~1215 ГГц
2307 2307 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 200°С -65°С Не соответствует требованиям RoHS /files/microsemicorporation-2307-datasheets-8591.pdf 55БТ 55 Нет 2,3 ГГц 20,5 Вт 8 дБ 55БТ 20,5 Вт 42В 42В 42В НПН 10 @ 500 мА 5 В 2,3 ГГц
MS2267 MS2267 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 250°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-ms2267-datasheets-8593.pdf М214 Без свинца 2 13 недель 4 нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 1215 ГГц е0 Оловянный свинец 575 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 Другие транзисторы 8 дБ ~ 8,7 дБ С-КДФМ-Ф2 250 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 60В 60В 20А 65В НПН 10 @ 1А 5В 960 МГц~1215 ГГц
TPR400 ТПР400 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1997 год /files/microsemicorporation-tpr400-datasheets-8595.pdf 55CX 2 55 нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 875 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 Другие транзисторы 7,27 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА НПН 875 Вт ФУНТ 55В 55В 30А НПН 10 @ 2,5 А 5 В 1,03–1,09 ГГц
MS2421 MS2421 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2016 год /files/microsemicorporation-ms2421-datasheets-8600.pdf М103 2 12 недель 3 нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 875 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 3 1 Другие транзисторы 6,3 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН 875 Вт ФУНТ 65В 65В 22А 65В НПН 10 @ 500 мА 5 В 1025 ГГц~1,15 ГГц
BFQ 19S E6327 БФК 19С E6327 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2014 год /files/infineontechnologies-bfq19se6327-datasheets-8294.pdf ТО-243АА 3 да EAR99 совместимый е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА ОДИНОКИЙ ПЛОСКИЙ 260 БФК19 40 1 Другие транзисторы 7 дБ ~ 11,5 дБ Не квалифицирован Р-ПССО-Ф3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УСИЛИТЕЛЬ НПН 1 Вт 1 Вт ФУНТ 5500 МГц 15 В 210 мА НПН 70 @ 70 мА 8 В 1,5 пФ 1,8 дБ ~ 3 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц 5,5 ГГц
MS2393 MS2393 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-ms2393-datasheets-8605.pdf М138 Без свинца 2 4 нет EAR99 С ЭМИТТЕРНЫМ БАЛЛАСТНЫМ РЕЗИСТОРОМ Нет е0 Оловянный свинец 583 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 8,2 дБ С-КДФМ-Ф2 150 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН 583 Вт ФУНТ 65В 65В 11А 65В НПН 5 @ 300 мА 5 В 1025 ГГц~1,15 ГГц
1090MP 1090МП Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Монтаж на шасси, поверхностный монтаж Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2009 год /files/microsemicorporation-1090mp-datasheets-8607.pdf 55FW-1 Без свинца 4 20 недель 4 нет EAR99 Олово Нет е0 250 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 250 Вт 1 Другие транзисторы 8,08 дБ ~ 8,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 65В 65В 6,5 А 3,5 В НПН 15 @ 500 мА 5 В 1025 ГГц~1,15 ГГц
MS2422 MS2422 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-ms2422-datasheets-8609.pdf М138 4 EAR99 Нет 875 Вт 2 Другие транзисторы 6,3 дБ Одинокий НПН 875 Вт 65В 65В 22А 65В НПН 10 @ 1А 5В 960 МГц~1215 ГГц
MS2214 МС2214 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 250°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2008 год /files/microsemicorporation-ms2214-datasheets-8576.pdf М218 Без свинца 2 12 недель 4 нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е0 Оловянный свинец 300 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 Другие транзисторы 7,5 дБ Р-КДФМ-Ф2 85 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН 300 Вт ФУНТ 55В 55В НПН 20 @ 2А 5В 960 МГц~1215 ГГц
SD1224-02 СД1224-02 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 200°С -65°С Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-sd122402-datasheets-8543.pdf М113 4 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) Нет 175 МГц 60 Вт 7,6 дБ М113 60 Вт 35В 35В 35В 65В НПН 20 @ 500 мА 5 В 175 МГц
BFP 640 H6433 БФП 640 H6433 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 2007 год /files/infineontechnologies-bfp640h6433-datasheets-8578.pdf СК-82А, СОТ-343 4 НИЗКИЙ ШУМ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ совместимый АЭК-Q101 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ БФП640 1 24 дБ Р-ПДСО-Г4 КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 200мВт КБ 40000 МГц 4,5 В 50 мА НПН 110 @ 30 мА 3 В 0,2пФ 0,65–1,2 дБ при 1,8–6 ГГц 40 ГГц
ITC1100 ITC1100 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2000 г. /files/microsemicorporation-itc1100-datasheets-8545.pdf 55SW 3 22 недели 3 нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 3,4 кВт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 3 3,4 кВт 1 10 дБ ~ 10,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ НПН 3400 Вт ФУНТ 65В 30 В 80А 65В 3,5 В НПН 10 @ 5А 5В 1,03 ГГц
2N5179 2N5179 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 1,5 ГГц Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-2n5179-datasheets-8580.pdf ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка Без свинца 20 недель 4 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) Нет НПН 300мВт 300мВт 1 20 дБ ТО-72 200мВт 300мВт 12 В 12 В 50 мА 12 В 50 мА 20 В 2,5 В НПН 25 @ 3 мА 1 В 4,5 дБ при 200 МГц 200 МГц

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.