Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРФ БЮТ-транзисторы(1743)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальное напряжение проба | Минимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип@f) | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2003 г. | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 2 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2003-datasheets-8570.pdf | 55БТ-1 | 3 | Нет | 2 ГГц | НПН | 12 Вт | 12 Вт | 1 | 8,5 дБ | 55БТ-1 | 12 Вт | 50В | 50В | 500 мА | 50В | 500 мА | 45В | 3,5 В | НПН | 10 @ 100 мА 5 В | 2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДС150 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-mds150-datasheets-8572.pdf | 55AW | 3 | 55 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 350 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | 1 | 10 дБ | Р-ПДФМ-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | НПН | 350 Вт | ФУНТ | 60В | 55В | 4А | 55В | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 1,03–1,09 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2272 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/microsemicorporation-ms2272-datasheets-8574.pdf | М216 | Без свинца | 4 | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 940 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | 7,6 дБ | 350 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | НПН | 940 Вт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 65В | 24А | 65В | НПН | 10 @ 5А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2214 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 250°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microsemicorporation-ms2214-datasheets-8576.pdf | М218 | Без свинца | 2 | 12 недель | 4 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е0 | Оловянный свинец | 300 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 7,5 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | 85 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300 Вт | ФУНТ | 55В | 8А | 55В | НПН | 20 @ 2А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1224-02 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-sd122402-datasheets-8543.pdf | М113 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 175 МГц | 60 Вт | 7,6 дБ | М113 | 60 Вт | 35В | 35В | 5А | 35В | 5А | 65В | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 175 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФП 640 H6433 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/infineontechnologies-bfp640h6433-datasheets-8578.pdf | СК-82А, СОТ-343 | 4 | НИЗКИЙ ШУМ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БФП640 | 1 | 24 дБ | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200мВт | КБ | 40000 МГц | 4,5 В | 50 мА | НПН | 110 @ 30 мА 3 В | 0,2пФ | 0,65–1,2 дБ при 1,8–6 ГГц | 40 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ITC1100 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/microsemicorporation-itc1100-datasheets-8545.pdf | 55SW | 3 | 22 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 3,4 кВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | 3,4 кВт | 1 | 10 дБ ~ 10,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 3400 Вт | ФУНТ | 65В | 30 В | 80А | 65В | 3,5 В | НПН | 10 @ 5А 5В | 1,03 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5179 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 1,5 ГГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-2n5179-datasheets-8580.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | Без свинца | 20 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | НПН | 300мВт | 300мВт | 1 | 20 дБ | ТО-72 | 200мВт | 300мВт | 12 В | 12 В | 50 мА | 12 В | 50 мА | 20 В | 2,5 В | НПН | 25 @ 3 мА 1 В | 4,5 дБ при 200 МГц | 200 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2202 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2202-datasheets-8548.pdf | М115 | Без свинца | 4 | 4 | нет | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1,15 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 10 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | Другие транзисторы | 9 дБ | 2 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 3,5 В | 250 мА | 250 мА | 45В | НПН | 30 @ 100 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМЭ500 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-dme500-datasheets-8550.pdf | 55КТ | 2 | 12 недель | 55 | нет | EAR99 | Нет | 1,15 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 1,7 кВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | 6 дБ ~ 6,5 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1700 Вт | ФУНТ | 55В | 55В | 40А | НПН | 10 @ 500 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2211 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДС1100 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-mds1100-datasheets-8554.pdf | 55ТУ-1 | 13 недель | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8,75 кВт | 3 | 8,9 дБ | 8750 Вт | 65В | 65В | 100А | НПН | 20 @ 5А 5В | 1,03 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2210 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1336 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/microsemicorporation-ms1336-datasheets-8515.pdf | М135 | 32 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 70 Вт | 4 | 10 дБ | 70 Вт | 18В | 18В | 8А | 36В | НПН | 20 @ 250 мА 5 В | 175 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТАН500 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microsemicorporation-tan500-datasheets-8517.pdf | 55СТ | Без свинца | 55 | Нет | 1215 ГГц | НПН, ПНП | 2,5 кВт | 9 дБ | 55СТ | 2500 Вт | 75В | 65В | 50А | 75В | 50А | НПН | 20 @ 1А 5В | 960 МГц~1215 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH4020-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 16 ГГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mch4020tlh-datasheets-4042.pdf | СОТ-343Ф | Без свинца | 4 | Нет | НПН | 400мВт | 400мВт | 1 | 17,5 дБ | 4-MCPH | 400мВт | 8В | 8В | 150 мА | 8В | 150 мА | 15 В | 2В | НПН | 60 @ 50 мА 5 В | 1,2 дБ @ 1 ГГц | 16 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1013-03 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-sd101303-datasheets-8520.pdf | М113 | 4 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е0 | Оловянный свинец | 13 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 13 Вт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 35В | 35В | 1А | 150 МГц | 65В | НПН | 10 @ 200 мА 5 В | 15пФ | 150 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПР700 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-tpr700-datasheets-8522.pdf | 55КТ | Без свинца | 55 | нет | EAR99 | Нет | 1,09 ГГц | 2,05 кВт | 2 | 6,7 дБ | 700мВт | 2050 Вт | 65В | 65В | 65В | 55А | НПН | 10 @ 1А 5В | 1,03–1,09 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3866A | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 800 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3866a-datasheets-8524.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | нет | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | 30 В | 30 В | 400 мА | 60В | 3,5 В | НПН | 25 @ 50 мА 5 В | 400 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1526-01 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-sd152601-datasheets-8526.pdf | М115 | 4 | 13 недель | 4 | нет | EAR99 | Нет | 1,09 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 21,9 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Другие транзисторы | 9,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 45В | 45В | 1А | 1025 МГц | 45В | НПН | 960 МГц~1215 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1013 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси, шпилька | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/microsemicorporation-sd1013-datasheets-8498.pdf | М135 | 4 | 4 | нет | EAR99 | С ЭМИТТЕРНЫМ БАЛЛАСТНЫМ РЕЗИСТОРОМ | Нет | 150 МГц | е0 | Оловянный свинец | 13 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 35В | 35В | 1А | 150 МГц | 65В | НПН | 10 @ 200 мА 5 В | 15пФ | 150 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1261 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/microsemicorporation-ms1261-datasheets-8528.pdf | М122 | 12 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 34 Вт | 4 | 12 дБ | 18В | 2,5 А | 2,5 А | НПН | 20 @ 250 мА 5 В | 175 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1227 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-ms1227-datasheets-8500.pdf | М113 | Без свинца | 4 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ | Нет | 30 МГц | е0 | Оловянный свинец | 80 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | 15 дБ | 20 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 18В | 18В | 4,5 А | 36В | НПН | 200 @ 1А 5В | 135пФ | 30 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE678M04-T2-A | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 12 ГГц | Соответствует RoHS | СОТ-343Ф | Без свинца | 4 | Нет | 205мВт | NE678 | Одинокий | 205мВт | 1 | 13,5 дБ | 205мВт | 100 мА | 6В | 6В | 6В | 100 мА | 9В | 2В | НПН | 75 @ 30 мА 3 В | 1,7 дБ при 2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1214-220М | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-1214220m-datasheets-8502.pdf | 55СТ | 12 недель | 55 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 700 Вт | 2 | 7,4 дБ | 70В | 20А | 20А | НПН | 10 @ 1А 5В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1517-20М | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-1000mp-datasheets-8229.pdf | 55ЛВ-1 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | е0 | 175 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 7,6 дБ ~ 9,3 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | ОДИНОКИЙ | НПН | ФУНТ | 65В | 70В | 3А | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 1,48–1,65 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТАН15 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 1215 ГГц | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-tan15-datasheets-8506.pdf | 55LT | Без свинца | 2 | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 175 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 175 Вт | 1 | 7 дБ ~ 8 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | 15 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 2А | 4В | НПН | 960 МГц~1215 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1224 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси, шпилька | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/microsemicorporation-sd1224-datasheets-8508.pdf | М135 | 4 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ | Нет | 175 МГц | е0 | Оловянный свинец | 60 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | Другие транзисторы | 7,6 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 35В | 35В | 5А | 65В | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 65пФ | 175 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5277A-2-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | СК-75, СОТ-416 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 7 ГГц | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 100мВт | 3 | Одинокий | 10 дБ ~ 5,5 дБ при 1,5 ГГц | 10 В | 10 В | 30 мА | 20 В | 1,5 В | 60 | НПН | 90 @ 10 мА 5 В | 1,4 дБ ~ 0,9 дБ при 1,5 ГГц ~ 1 ГГц | 8 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1075МП | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/microsemicorporation-1075mp-datasheets-8511.pdf | 55FW-1 | 4 | нет | EAR99 | е0 | Оловянный свинец | 250 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП РФ малый сигнал | 7,6 дБ ~ 8,5 дБ | Не квалифицирован | О-XRDB-F4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 Вт | ФУНТ | 65В | 65В | 6,5 А | НПН | 20 @ 100 мА 5 В | 50пФ | 1025 ГГц~1,15 ГГц |
