RF BJT-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Количество водителей Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Количество контактов Температурный класс Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Количество вариантов Аналоговая микросхема — другой тип Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Регулируемый порог Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Выходная мощность Тип генератора Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Мощность - Макс. Самый высокий частотный диапазон Минимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота перехода Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Макс. емкость коллектора-базы Коэффициент шума (дБ, тип@f) Частота – переход
SD1526-01 СД1526-01 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Монтаж на шасси, поверхностный монтаж Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-sd152601-datasheets-8526.pdf М115 4 13 недель 4 нет EAR99 Нет 1,09 ГГц е0 Оловянный свинец 21,9 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 1 Другие транзисторы 9,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 45В 45В 1025 МГц 45В НПН 960 МГц~1215 ГГц
LM3046M ЛМ3046М
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА Трубка 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 15 В 50 мА 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Содержит свинец 14 Нет СВХК 14 5 EAR99 Нет е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) НПН 750мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 235 LM3046 14 30 750мВт 5 Другие транзисторы КРЕМНИЙ СЛОЖНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 15 В 15 В 50 мА 550 МГц 20 В 5 НПН 40 @ 1 мА 3 В 3,25 дБ на 1 кГц
MDS400 МДС400 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-mds400-datasheets-8457.pdf 55КТ 2 55 нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 1,09 ГГц е0 Оловянный свинец 1,45 кВт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 1 6,5 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 1450 Вт ФУНТ 55В 55В 40А НПН 10 @ 1А 5В 1,03–1,09 ГГц
MS1649 MS1649 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1995 год /files/microsemicorporation-ms1649-datasheets-8459.pdf ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка 3 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 Нет 470 МГц е0 Оловянный свинец 7,8 Вт НИЖНИЙ ПРОВОЛОКА 3 1 9,5 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 16 В 16 В 36В НПН 20 @ 100 мА 5 В 12пФ 470 МГц
MS1409 MS1409 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-ms1409-datasheets-8461.pdf ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) EAR99 Нет 175 МГц 7 Вт 3 Другие транзисторы 10 дБ Одинокий НПН 40В 40В 65В НПН 20 @ 100 мА 5 В 175 МГц
MS1406 MS1406 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2003 г. /files/microsemicorporation-ms1406-datasheets-8463.pdf М135 4 4 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 175 МГц е0 Оловянный свинец 30 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 1 Другие транзисторы 8,2 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 35В 35В 65В НПН 10 @ 200 мА 5 В 35пФ 175 МГц
MS1337 MS1337 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2002 г. /files/microsemicorporation-ms1337-datasheets-8465.pdf М113 4 4 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ Нет е0 Оловянный свинец 70 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 1 10 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 70 Вт ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 18В 18В 36В НПН 20 @ 250 мА 5 В 120пФ 175 МГц
MS1512 MS1512 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2003 г. /files/microsemicorporation-ms1512-datasheets-8467.pdf М122 12 недель В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 19,4 Вт 4 10 дБ 25 В 1,2А 1,2А НПН 860 МГц
UTV010 UTV010 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 860 МГц Соответствует RoHS 1996 год /files/microsemicorporation-utv010-datasheets-8469.pdf 55 футов 4 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е0 Оловянный свинец 15 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 15 Вт 1 11,5 дБ О-ЦРПМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 24В 45В 1,25 А 3,5 В НПН 15 @ 200 мА 5 В 470–860 МГц
UTV080 UTV080 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать DIN-рейка, Винт Канал, крепление на DIN-рейку 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-utv080-datasheets-8471.pdf 55СП 4 55 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 860 МГц е0 Оловянный свинец 65 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 4 9 дБ ~ 10 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 28В 28В 2,5 А НПН 10 @ 500 мА 5 В 470–860 МГц
UTV200 УТВ200 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1996 год /files/microsemicorporation-utv200-datasheets-8473.pdf 55СП 4 55 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е0 Оловянный свинец 80 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 4 2 8,5 дБ ~ 9,5 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ НПН 80 Вт СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 28В 50В 4,5 А НПН 10 @ 1А 5В 36пФ 470–860 МГц
SD1444 SD1444 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-sd1444-datasheets-8486.pdf ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка 3 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 Нет е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 5 Вт НИЖНИЙ ПРОВОЛОКА 1 Другие транзисторы 8 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 5 Вт СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 16 В 16 В 400 мА 36В НПН 20 @ 50 мА 5 В 15пФ 450–512 МГц
SD1127 SD1127 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-sd1127-datasheets-8488.pdf ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка Без свинца 3 12 недель 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) нет EAR99 Нет 175 МГц е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 8 Вт НИЖНИЙ ПРОВОЛОКА 3 1 12 дБ 8 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ НПН ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 18В 18В 640 мА 36В НПН 10 @ 50 мА 5 В 20пФ 175 МГц
TAN250A ТАН250А Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 1215 ГГц Соответствует RoHS 2010 год /files/microsemicorporation-tan250a-datasheets-8490.pdf 55AW Без свинца 32 недели 3 нет EAR99 Нет 575 Вт 2 575 Вт 1 6,2 дБ ~ 7 дБ 250 Вт 60В 60В 30А НПН 10 @ 1А 5В 960 МГц~1215 ГГц
SRF4427 SRF4427 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -65°С Не соответствует требованиям RoHS /files/microsemicorporation-srf4427-datasheets-8492.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) нет EAR99 Нет 1,5 Вт 8 17 дБ ~ 18 дБ 18В 18В 400 мА 36В НПН 20 @ 150 мА 5 В 1,3 ГГц
1214-300 1214-300 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-1214300-datasheets-8494.pdf 55КТ Без свинца 2 55 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ е0 Оловянный свинец 88 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН 2 НЕ УКАЗАН 1 7 дБ Не квалифицирован Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ НПН 88 Вт ФУНТ 50В 65В НПН 20 @ 500 мА 5 В 1,2 ГГц~1,4 ГГц
MS2201 МС2201 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2000 г. /files/microsemicorporation-ms2201-datasheets-8453.pdf М220 Без свинца 2 нет EAR99 е0 Оловянный свинец 10 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН 2 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы 9 дБ Не квалифицирован О-ЦРФМ-Ф2 2 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА УСИЛИТЕЛЬ НПН ФУНТ 45В 250 мА 250 мА НПН 0,95 при 10 мА 5 В 1,025–1,15 ГГц
2N4427 2Н4427 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2003 г. /files/microsemicorporation-2n4427-datasheets-8496.pdf ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка 2,9 мм 5 3 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) да EAR99 Нет 1 е3 Матовый олово (Sn) 1 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 0,95 мм 5 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 85°С -40°С 2 ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ 40 1 Вт 1 НЕТ 10 дБ @ 175 МГц Р-ПДСО-Г5 40В 20 В 400 мА 40В НПН 10 @ 100 мА 5 В 500 МГц
NE68133-T1B-R35-A NE68133-T1B-R35-A CEL (Калифорнийские восточные лаборатории)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 200мВт NE68133 Одинокий 13 дБ 200мВт 10 В 65 мА НПН 125 @ 20 мА 8 В 1,2 дБ @ 1 ГГц 9 ГГц
MDS60L МДС60Л Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год 55AW 2 13 недель 3 EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 120 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 120 Вт 1 Другие транзисторы 10 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ БАЗА НПН ФУНТ 65В 65В 65В 3,5 В НПН 20 @ 500 мА 5 В 1,03–1,09 ГГц
23A008 23А008 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 3,7 ГГц Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-23a008-datasheets-8417.pdf 55БТ 2 55 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 месяца назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово Нет е0 5 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 2 5 Вт 1 8,5 дБ ~ 9,5 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 22В 22В 400 мА 3700 МГц 400 мА 3,5 В НПН 20 @ 100 мА 5 В
1214-300M 1214-300М Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/microsemicorporation-1214300m-datasheets-8419.pdf 55СТ 55 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) EAR99 88 Вт 2 7 дБ 88 Вт 50В 70В НПН 20 @ 500 мА 5 В 1,2 ГГц~1,4 ГГц
MS1226 MS1226 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-ms1226-datasheets-8421.pdf М113 4 32 недели 4 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 30 МГц е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 80 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 1 18 дБ КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ НПН ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 36В 36В 4,5 А 65В НПН 10 @ 500 мА 5 В 65пФ 30 МГц
2225-4L 2225-4Л Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1997 год /files/microsemicorporation-22254l-datasheets-8423.pdf 55лв Без свинца 2 55 УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово е0 10 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН 2 НЕ УКАЗАН 1 8,5 дБ Не квалифицирован Р-КДФМ-Ф2 3,5 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 10 Вт СБ 40В 40В 40В 600 мА НПН 20 @ 200 мА 5 В 2,2 ГГц~2,5 ГГц
15GN01CA-TB-E 15GN01CA-TB-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 1,5 ГГц Соответствует RoHS 2012 год /files/onsemiconductor-15gn01catbe-datasheets-8425.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 5 недель 3 ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 200мВт 3 200мВт 1 50 мА 50 мА 15 В НПН 200 @ 10 мА 5 В
2224-6L 2224-6Л Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1997 год /files/microsemicorporation-22246l-datasheets-8431.pdf 55лв 2 55 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово е0 22 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН 2 НЕ УКАЗАН 1 7 дБ Не квалифицирован Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 22 Вт СБ 40В 40В 1,25 А НПН 20 @ 1А 5В 2,2 ГГц~2,4 ГГц
2A8 2А8 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Монтаж на шасси, поверхностный монтаж Крепление на шасси 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) 2 ГГц Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-2a8-datasheets-8433.pdf 55ЕС 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) Нет 5,3 Вт 5,3 Вт 1 7 дБ ~ 9 дБ КМОП 21В 21В 300 мА 300 мА 3,5 В НПН 20 @ 100 мА 5 В
UMIL3 УМИЛ3 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) 400 МГц Соответствует RoHS 2003 г. /files/microsemicorporation-umil3-datasheets-8435.pdf 55 футов Без свинца 4 12 недель 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е0 Оловянный свинец 11 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 11 Вт 1 11,8 дБ ~ 13 дБ О-ЦРПМ-Ф4 3 Вт КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 30 В 30 В 700 мА НПН 10 при 100 А 5 В 225–400 МГц
MAX2602ESA-T MAX2602ESA-T Максим Интегрированный
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год /files/maximintegrated-max2602evkit-datasheets-4342.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка 8 нет EAR99 не_совместимо 8541.29.00.95 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 245 МАКС2602 8 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы 11,6 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Г8 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ УСИЛИТЕЛЬ НПН 6,4 Вт СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 15 В 1,2А НПН 100 @ 250 мА 3 В 3,3 дБ при 836 МГц 1 ГГц
0912-7 0912-7 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси 200°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 200°С -65°С Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-09127-datasheets-8445.pdf 55CX 55 Олово Нет 50 Вт 50 Вт 1 8,5 дБ 55CX 50 Вт 60В 60В 60В НПН 10 @ 100 мА 5 В 960 МГц~1215 ГГц

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.