Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Количество | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Тип выхода | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Сегодняшний день | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТК6Р7П06ПЛ,РК | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk6r7p06plrq-datasheets-1472.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 60В | 66 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 30 В | 6,7 мОм при 23 А, 10 В | 2,5 В при 300 мкА | 46А Тц | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН1Р2-25YLC,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-psmn1r225ylc115-datasheets-1516.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 12 недель | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 20 В | е3 | Олово (Вс) | Позитивный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 % | 179 Вт | 1 | 1А | 2,5 В | Зафиксированный | 32 нс | 42нс | 29 нс | 60 нс | 100А | 20 В | 25 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 6мА | 179 Вт Тс | МО-235 | 25 В | N-канал | 4173пФ при 12 В | 1,3 мОм при 25 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 100А Ц | 66 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD096N08N3GATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd096n08n3gbtma1-datasheets-4034.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 18 недель | да | EAR99 | Без галогенов | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 80В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 Вт Тс | 73А | 292А | 0,0096Ом | 90 мДж | N-канал | 2410пФ при 40В | 9,6 мОм при 46 А, 10 В | 3,5 В при 46 мкА | 73А Тк | 35 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS11NF30L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-sts11nf30l-datasheets-1397.pdf | 30 В | 11А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,25 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | NRND (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС11 | 8 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 22 нс | 39нс | 16 нс | 23 нс | 11А | 18В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 2,5 Вт Тс | 44А | 30 В | N-канал | 1440пФ при 25В | 10,5 мОм при 5,5 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 11А Тк | 30 НК при 5 В | 5В 10В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД6НК50ЗТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперМЕШ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 500В | 5,6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 1,2 Ом | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТД6Н | 3 | Одинокий | 30 | 90 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 23,5 нс | 23 нс | 31 нс | 5,6А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 В | 90 Вт Тс | 22,4А | 500В | N-канал | 690пФ при 25 В | 3,75 В | 1,2 Ом при 2,8 А, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 5,6 А Тс | 24,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8842NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds8842nz-datasheets-1550.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 9 недель | 130мг | 7МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 7нс | 5 нс | 34 нс | 14,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 330 пФ | 40В | N-канал | 3845пФ при 15В | 7 мОм при 14,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 14,9А Та | 73 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCD4N60TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fcd4n60tf-datasheets-6786.pdf | 600В | 3,9А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,517 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 13 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 1,2 Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | FCD4N60 | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | Р-ПССО-Г2 | 16 нс | 45нс | 30 нс | 36 нс | 3,9А | 30 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 50 Вт Тс | 600В | N-канал | 540пФ при 25В | 5 В | 1,2 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3,9 А Тс | 16,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7008-Г | Микрочиповая технология | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-2n7008g-datasheets-1600.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,21 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 453,59237мг | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 20 нс | 230 мА | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт Тс | 5 пФ | 60В | N-канал | 50пФ при 25В | 7,5 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 230 мА Тдж | 5В 10В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y15-100Е,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk9y15100e115-datasheets-1584.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 1 | 21 нс | 32нс | 59 нс | 85 нс | 69А | 15 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 195 Вт Тс | МО-235 | 100 В | N-канал | 6139пФ при 25 В | 14,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 69А Тк | 45,8 НК при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК560П65И,РК | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ДТМОСВ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk560p65yrq-datasheets-1568.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ДПАК | 650В | 60 Вт Тс | N-канал | 380пФ при 300В | 560 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 240 мкА | 7А Тк | 14,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДД6670А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fdd6670a-datasheets-1466.pdf | 30 В | 66А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Содержит свинец | 2 | 10 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 8МОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 16 часов назад) | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 70 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 12нс | 19 нс | 29 нс | 66А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 В | 3,2 Вт Та 63 Вт Тс | 67 мДж | 30 В | N-канал | 1755пФ при 15В | 1,8 В | 8 мОм при 15 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 15А Та 66А Ц | 22 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R400CEAUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd60r400ceauma1-datasheets-1301.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 18 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 112 Вт Тс | 30А | 0,4 Ом | 210 мДж | N-канал | 700пФ при 100В | 400 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,5 В при 300 мкА | 14,7 А Тс | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН017-30БЛ,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-psmn01730bl118-datasheets-1279.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 12 недель | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 47 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10,7 нс | 9,2 нс | 5,1 нс | 11,4 нс | 32А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 47 Вт Тс | 154А | 30 В | N-канал | 552пФ при 15 В | 17 мОм при 10 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 32А Тк | 10,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P7 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-ipd80r1k2p7atma1-datasheets-1283.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 18 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 37 Вт Тс | ТО-252АА | 11А | 10 мДж | N-канал | 300пФ при 500В | 1,2 Ом при 1,7 А, 10 В | 3,5 В при 80 мкА | 4,5 А Тс | 11 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y9R9-80EX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7y9r980ex-datasheets-1292.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 195 Вт | 1 | 15 нс | 23нс | 21 нс | 34 нс | 89А | 20 В | 80В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 195 Вт Тс | МО-235 | 0,0099Ом | 80В | N-канал | 498пФ при 25 В | 98 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 89А Тк | 51,6 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9675-100А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk9675100a118-datasheets-1501.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 12 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 8541.29.00.75 | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 98 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 120 нс | 57 нс | 58 нс | 23А | 15 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 99 Вт Тс | 91А | 0,084Ом | 100 мДж | 100 В | N-канал | 1704пФ при 25В | 72 мОм при 10 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 23А Тк | 5В 10В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISS71DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТандерФЕТ® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siss71dnt1ge3-datasheets-1290.pdf | PowerPAK® 1212-8S | 5 | 14 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н5 | -23А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | -2,5 В | 57 Вт Тс | 40А | 31 мДж | P-канал | 1050пФ при 50В | 59 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 23А Тк | 15 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y19-75Б,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk9y1975b115-datasheets-1311.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 12 недель | 4 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 4 | 106 Вт | 1 | 13 нс | 11нс | 21 нс | 77 нс | 48,2А | 15 В | 75В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 106 Вт Тс | МО-235 | N-канал | 3096пФ при 25 В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 48,2А Цс | 30 НК при 5 В | 5В 10В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ4004ЛПС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmt4004lps13-datasheets-1316.pdf | 8-PowerTDFN | 22 недели | 8 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 90А | 40В | 2,6 Вт Та 138 Вт Тс | N-канал | 4508пФ при 20 В | 2,5 мОм при 50 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 26А Та 90А Ц | 82,2 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9240-100А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-buk9240100ac111-datasheets-6607.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 26 недель | 4.535924г | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 114 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 135 нс | 90 нс | 125 нс | 33А | 10 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 114 Вт Тс | ТО-252АА | 0,0446Ом | 100 В | N-канал | 3072пФ при 25 В | 38,6 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 33А Тц | 4,5 В 10 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIJA54DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sija54dpt1ge3-datasheets-1354.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60А | 40В | 36,7 Вт Тс | N-канал | 5300пФ при 20 В | 2,35 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 104 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМФ4015SK3Q-13 | Диодс Инкорпорейтед | $10,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmph4015sk313-datasheets-1073.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 2 | 15 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 45А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,7 Вт Та | 14А | 100А | 0,015 Ом | 260 мДж | P-канал | 4234пФ при 20 В | 11 мОм при 9,8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14А Та 45А Ц | 91 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН050-80БС,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-psmn05080bs118-datasheets-1367.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 16 недель | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 56 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 9,2 нс | 1нс | 2,4 нс | 16 нс | 22А | 5,2 В | 80В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 56 Вт Тс | 88А | 0,046Ом | 18 мДж | 73В | N-канал | 633пФ при 12 В | 46 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 22А Тк | 11 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7629DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7629dnt1ge3-datasheets-1286.pdf | PowerPAK® 1212-8 | Без свинца | 5 | 14 недель | 4,6 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 3,7 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 21,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | 35А | 20 мДж | P-канал | 5790пФ при 10 В | 4,6 мОм при 20 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 35А Ц | 177 НК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН1Р5-30ИЛ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-psmn1r530yl115-datasheets-1178.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 109 Вт | 1 | 46 нс | 72нс | 34 нс | 76 нс | 100А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 109 Вт Тс | МО-235 | 790А | 0,0019Ом | 30 В | N-канал | 5057пФ при 12 В | 1,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,15 В при 1 мА | 100А Ц | 77,9 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК0902НСАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsc0902nsatma1-datasheets-0648.pdf | 8-PowerTDFN | Содержит свинец | 5 | 26 недель | 8 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф5 | 4,2 нс | 5,2 нс | 3,6 нс | 21 нс | 24А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 48 Вт Тс | 400А | 0,0035Ом | 40 мДж | N-канал | 1700пФ при 15В | 2,6 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 24А Та 100А Ц | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXDM1002N TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cxdm1002ntrpbfree-datasheets-1081.pdf | ТО-243АА | 20 недель | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 100 В | 1,2 Вт Та | 2А | N-канал | 550пФ при 25В | 300 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 2А Та | 6 нк при 5 В | 4,5 В 10 В | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y30-75Б,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-buk9y3075bc2115-datasheets-3649.pdf | СК-100, СОТ-669 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 4 | 12 недель | 4.535924г | 4 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 30 | 85 Вт | 1 | 16 нс | 106 нс | 83 нс | 51 нс | 34А | 15 В | 75В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 85 Вт Тс | МО-235 | 0,03 Ом | 78 мДж | 75В | N-канал | 2070пФ при 25В | 28 мОм при 15 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 34А Тк | 19 НК при 5 В | 5В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9207-30Б,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~185°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk920730b118-datasheets-1211.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 26 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 167 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 19 нс | 82нс | 107 нс | 100 нс | 112А | 15 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 167 Вт Тс | ТО-252АА | 75А | 424А | 0,0077Ом | 30 В | N-канал | 3430пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 31 НК при 5 В | 5В 10В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РСД201Н10ТЛ | РОМ Полупроводник | $3,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 20А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 850 мВт Ta 20 Вт Tc | 0,05 Ом | N-канал | 2100пФ при 25В | 46 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 20А Ц | 55 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В |
