Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СТД134Н4Ф7АГ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-std134n4f7ag-datasheets-8867.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | СТД13 | 40В | 134 Вт Тс | N-канал | 2790пФ при 25В | 3,5 мОм при 40 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 80А Ц | 41 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4090dyt1ge3-datasheets-8780.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 10МОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 3,5 Вт | 1 | 16 нс | 36 нс | 19,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 100В | N-канал | 2410пФ при 50В | 10 мОм при 15 А, 10 В | 3,3 В @ 250 мкА | 19,7 А Тс | 69 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8410DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si8410dbt2e1-datasheets-8553.pdf | 4-УФБГА | 21 неделя | Неизвестный | 30мОм | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5,7А | 20 В | 850 мВ | 780 мВт Ta 1,8 Вт Tc | N-канал | 620пФ при 10 В | 37 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 16 НК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7458TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шестигранный транзистор® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7458pbf-datasheets-7057.pdf | 30 В | 14А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8МОм | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 10 нс | 4,6 нс | 5 нс | 22 нс | 14А | 30 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 77 нс | 30 В | N-канал | 2410пФ при 15В | 4 В | 8 мОм при 14 А, 16 В | 4 В при 250 мкА | 14А Та | 59 НК при 10 В | 10 В 16 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7855TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шестигранный транзистор® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irf7855pbf-datasheets-7234.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 9,4 МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 8,7 нс | 13нс | 12 нс | 16 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 97А | 540 мДж | 60В | N-канал | 1560пФ при 25В | 9,4 мОм при 12 А, 10 В | 4,9 В при 100 мкА | 12А Та | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 16 недель | да | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 56,8 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 4А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 56,8 Вт Тс | 4А | 0,9 Ом | 77 мДж | N-канал | 263пФ при 100 В | 900 мОм при 2 А, 10 В | 4,1 В при 250 мкА | 4А Тк | 6 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8453LZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdd8453lz-datasheets-8681.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,37 мг | 6,7 МОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФДД8453 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 6нс | 5 нс | 37 нс | 16,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Та 65 Вт Тс | ТО-252АА | 50А | 40В | N-канал | 3515пФ при 20 В | 6,7 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,4 А Та 50 А Тс | 64 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR624DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $4,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТандерФЕТ® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir624dpt1re3-datasheets-1809.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 200В | 52 Вт Тс | N-канал | 1110пФ при 100В | 60 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 18,6 А Тс | 23 НК при 7,5 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR616DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТандерФЕТ® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir616dpt1ge3-datasheets-8705.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200В | 52 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 100В | 50,5 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 20,2 А Тс | 28 НК при 7,5 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД8Н60ДМ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ ДМ2 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-std8n60dm2-datasheets-8713.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | СТД8Н | 600В | 85 Вт Тс | N-канал | 375пФ при 100В | 600 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 8А Тк | 13,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7862TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шестигранный транзистор® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/sparkfunelectronics-rob09107-datasheets-8054.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 3,3 МОм | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 19нс | 11 нс | 18 нс | 21А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 350 мДж | 30 В | N-канал | 4090пФ при 15 В | 2,35 В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 21А Та | 45 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7292 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerWDFN | 5 | 18 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н5 | 23А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 4,1 Вт Та 28 Вт Тс | 45А | 0,024 Ом | 10 мДж | N-канал | 1170пФ при 50В | 24 мОм при 9 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 9А Та 23А Ц | 25 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS5C628NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ntmfs5c628nlt3g-datasheets-9533.pdf | 8-PowerTDFN | 1,1 мм | Без свинца | 16 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1 | 3,7 Вт | 175°С | 15 нс | 28 нс | 28А | 20 В | 3,7 Вт Та 110 Вт Тс | 60В | N-канал | 3600пФ при 25В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 2 В при 135 мкА | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД6НФ10Т4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stu6nf10-datasheets-4107.pdf | 100В | 6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 250мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТД6Н | 3 | Одинокий | 30 | 30 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 6 нс | 10 нс | 3 нс | 20 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 30 Вт Тс | ТО-252АА | 6А | 24А | 200 мДж | 100В | N-канал | 280пФ при 25В | 250 мОм при 3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6А Ц | 14 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sis488dnt1ge3-datasheets-8490.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 14 недель | 5,5 мОм | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Одинокий | 1 | С-ПДСО-С5 | 22 нс | 65нс | 9 нс | 24 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | 20 мДж | 40В | N-канал | 1330пФ при 20 В | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Ц | 32 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТП2104К1-Г | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/microchiptechnology-tp2104n3g-datasheets-8312.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 950 мкм | 1,3 мм | 3 | 5 недель | 1,437803г | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | Одинокий | 40 | 360мВт | 1 | 4 нс | 4нс | 4 нс | 5 нс | 160 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 360мВт Та | 6Ом | -40В | P-канал | 60пФ при 25В | 6 Ом при 500 мА, 10 В | 2 В при 1 мА | 160 мА Тдж | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БС170 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bs170rlra-datasheets-6328.pdf&product=onsemiconductor-bs170-10057218 | 60В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 11 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 5Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | Медь, Серебро, Олово | Нет | 5А | 60В | БС170 | Одинокий | 830мВт | 1 | ТО-92-3 | 24пФ | 500 мА | 20 В | 60В | 2,1 В | 830мВт Та | 5Ом | 60В | N-канал | 40пФ при 10В | 2,1 В | 5 Ом при 200 мА, 10 В | 3 В @ 1 мА | 500 мА Та | 5 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJA20EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqja20ept1ge3-datasheets-8593.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,267 мм | 12 недель | 1 | 68 Вт | 175°С | ПауэрПАК® СО-8 | 14 нс | 27 нс | 22,5А | 20 В | 200В | 68 Вт Тс | 41мОм | 200В | N-канал | 1300пФ при 25В | 50 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 22,5 А Тс | 27 НК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5403DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5403dct1ge3-datasheets-8595.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | Нет СВХК | 30мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 2,5 Вт | 1 | 50 нс | 140 нс | 18 нс | 30 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | -3В | 2,5 Вт Ta 6,3 Вт Tc | 6А | P-канал | 1340пФ при 15В | 30 мОм при 7,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А Ц | 42 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5302TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шестигранный транзистор® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-irfh5302tr2pbf-datasheets-9395.pdf | 8-PowerVDFN | 5,9944 мм | 838,2 мкм | 5 мм | Без свинца | 5 | 12 недель | Нет СВХК | 2,1 МОм | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 100 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | 18 нс | 51нс | 18 нс | 22 нс | 32А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,6 Вт Та 100 Вт Тс | 400А | 30 В | N-канал | 4400пФ при 15В | 1,8 В | 2,1 мОм при 50 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 32А Та 100А Ц | 76 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН1Р1-25YLC,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-psmn1r125ylc115-datasheets-8668.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 12 недель | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 215 Вт | 1 | 35 нс | 48нс | 36 нс | 74 нс | 100А | 20 В | 25 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 215 Вт Тс | МО-235 | 253 мДж | 25 В | N-канал | 5287пФ при 12 В | 1,15 мОм при 25 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 100А Ц | 83 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4162dyt1ge3-datasheets-8297.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 7,9 мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5 Вт | 1 | 20 нс | 15нс | 10 нс | 25 нс | 13,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | 30 В | N-канал | 1155пФ при 15В | 1 В | 7,9 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 19,3А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQS415ENW-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqs415enwt1ge3-datasheets-8295.pdf | PowerPAK® 1212-8Вт | 12 недель | PowerPAK® 1212-8Вт | 40В | 62,5 Вт Тс | P-канал | 4825пФ при 25В | 16,1 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 82 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQS405EN-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqs405enwt1ge3-datasheets-6349.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 12 недель | PowerPAK® 1212-8 | 12 В | 39 Вт Тс | P-канал | 2650пФ при 6В | 20 мОм при 13,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 16А Ц | 75 НК при 8 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C673NLWFAFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nvmfs5c673nlaft3g-datasheets-3168.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 1,1 мм | 5 | 10 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | 3,6 Вт | 1 | 175°С | Р-ПДСО-Ф5 | 6 нс | 16 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 46 Вт Тс | 290А | 88 мДж | 60В | N-канал | 880пФ при 25В | 9,2 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 35 мкА | 50А Ц | 9,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS454DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sis454dnt1ge3-datasheets-8466.pdf | PowerPAK® 1212-8 | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 3,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-С5 | 20 нс | 15нс | 10 нс | 25 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 0,0054Ом | 45 мДж | N-канал | 1900пФ при 10В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 35А Ц | 53 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQS407ENW-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqs407enwt1ge3-datasheets-8401.pdf | PowerPAK® 1212-8Вт | 12 недель | PowerPAK® 1212-8Вт | 30 В | 62,5 Вт Тс | P-канал | 4572пФ при 20 В | 10,8 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 77 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3980ZTR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $2,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-261-4, ТО-261АА | 8 недель | СОТ-223 | 115пФ | 800В | 1,8 Вт Та | N-канал | 115пФ при 25В | 45 Ом при 100 мА, 0 В | Режим истощения | 45 Ом | 0 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-fqd19n10ltm-datasheets-8261.pdf | 100В | 15,6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 100мОм | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 410 нс | 140 нс | 20 нс | 15,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 62,4А | 220 мДж | 100В | N-канал | 870пФ при 25 В | 100 мОм при 7,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 15,6 А Тс | 18 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR110TRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-irlu110pbf-datasheets-8636.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 540мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 9,3 нс | 47нс | 17 нс | 16 нс | 4,3А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 100В | N-канал | 250пФ при 25В | 540 мОм при 2,6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 4,3 А Тс | 6,1 нк при 5 В | 4В 5В | ±10 В |
