Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Без свинца | Материал | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Калибр провода (макс.) | Калибр провода (мин) | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Открытие | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПСМН1Р5-30ИЛ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-psmn1r530yl115-datasheets-1178.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 109 Вт | 1 | 46 нс | 72нс | 34 нс | 76 нс | 100А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 109 Вт Тс | МО-235 | 790А | 0,0019Ом | 30 В | N-канал | 5057пФ при 12 В | 1,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,15 В @ 1 мА | 100А Ц | 77,9 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК0902НСАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsc0902nsatma1-datasheets-0648.pdf | 8-PowerTDFN | Содержит свинец | 5 | 26 недель | 8 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф5 | 4,2 нс | 5,2 нс | 3,6 нс | 21 нс | 24А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 48 Вт Тс | 400А | 0,0035Ом | 40 мДж | N-канал | 1700пФ при 15В | 2,6 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 24А Та 100А Ц | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXDM1002N TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cxdm1002ntrpbfree-datasheets-1081.pdf | ТО-243АА | 20 недель | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 100В | 1,2 Вт Та | 2А | N-канал | 550пФ при 25В | 300 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2А Та | 6 нк при 5 В | 4,5 В 10 В | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y30-75Б,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-buk9y3075bc2115-datasheets-3649.pdf | СК-100, СОТ-669 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 4 | 12 недель | 4.535924г | 4 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 30 | 85 Вт | 1 | 16 нс | 106 нс | 83 нс | 51 нс | 34А | 15 В | 75В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 85 Вт Тс | МО-235 | 0,03 Ом | 78 мДж | 75В | N-канал | 2070пФ при 25В | 28 мОм при 15 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 34А Тк | 19 НК при 5 В | 5В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9207-30Б,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~185°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk920730b118-datasheets-1211.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 26 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 167 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 19 нс | 82нс | 107 нс | 100 нс | 112А | 15 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 167 Вт Тс | ТО-252АА | 75А | 424А | 0,0077Ом | 30 В | N-канал | 3430пФ при 25В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 75А Ц | 31 НК при 5 В | 5В 10В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РСД201Н10ТЛ | РОМ Полупроводник | $3,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 20А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 850 мВт Ta 20 Вт Tc | 0,05 Ом | N-канал | 2100пФ при 25В | 46 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 20А Ц | 55 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPH7R006PL,L1Q | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tph7r006pll1q-datasheets-1253.pdf | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8-СОП Прогресс (5х5) | 60В | 81 Вт Тс | N-канал | 1875 пФ при 30 В | 13,5 мОм при 10 А, 4,5 В | 2,5 В при 200 мкА | 60А Ц | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R400CEAUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/infineontechnologies-ipd65r400ceauma1-datasheets-0828.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 18 недель | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 15,1А | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 118 Вт Тс | 0,4 Ом | 215 мДж | N-канал | 710пФ при 100В | 400 мОм при 3,2 А, 10 В | 3,5 В @ 320 мкА | 15,1 А Тс | 39 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН2Р0-30ИЛ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-psmn2r030yl115-datasheets-1062.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г4 | 100А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 97 Вт Тс | МО-235 | 667А | 0,0032Ом | 151 мДж | N-канал | 3980пФ при 12 В | 2 мОм при 15 А, 10 В | 2,15 В @ 1 мА | 100А Ц | 64 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ3Р203НЛ,L1Q | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tph3r203nll1q-datasheets-1068.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 12 недель | 850,995985мг | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Одинокий | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 24 нс | 4,4 нс | 5,7 нс | 11,5 нс | 47А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та 44 Вт Тс | 60А | 200А | 0,0047Ом | 94 мДж | 30 В | N-канал | 2100пФ при 15 В | 3,2 мОм при 23,5 А, 10 В | 2,3 В @ 300 мкА | 47А ТЦ | 21 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7660 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdmc7660-datasheets-1106.pdf | 8-PowerTDFN | 3,3 мм | 1,05 мм | 3,3 мм | Без свинца | 5 | 10 недель | 32,13 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,3 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | С-ПДСО-Н5 | 14 нс | 6,8 нс | 5,7 нс | 36 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,7 В | 2,3 Вт Та 41 Вт Тс | МО-240БА | 200А | 0,0022Ом | 200 мДж | 30 В | N-канал | 4830пФ при 15 В | 1,7 В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Та 40А Ц | 86 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9219-55А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk921955a118-datasheets-0733.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 26 недель | 3 | EAR99 | Олово | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 114 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 45 нс | 130 нс | 130 нс | 400 нс | 55А | 10 В | 55В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 114 Вт Тс | 219А | 0,02 Ом | 120 мДж | 55В | N-канал | 2920пФ при 25В | 17,6 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 55А Ц | 4,5 В 10 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН5Р2-60YLX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-psmn5r260ylx-datasheets-0832.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | МЭК-60134 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г4 | 100А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 195 Вт Тс | МО-235 | 479А | 0,006Ом | 127 мДж | N-канал | 6319пФ при 25 В | 5,2 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 100А Ц | 39,4 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС8622 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fdms8622-datasheets-0242.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,05 мм | 6 мм | 5 | 8 недель | 74мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | 5,7 нс | 1,7 нс | 2,1 нс | 10,2 нс | 4,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 31 Вт Тс | МО-240АА | 30А | 0,056Ом | 100В | N-канал | 400пФ при 50В | 56 мОм при 4,8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,8 А Та 16,5 А Тс | 7 нк @ 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПН2Р703НЛ,Л1К | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tpn2r703nll1q-datasheets-0917.pdf | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 8-ТСОН Адванс (3,3х3,3) | 2,1 нФ | 11,5 нс | 4,4 нс | 5,7 нс | 24 нс | 45А | 20 В | 30 В | 700 мВт Ta 42 Вт Tc | 3,3 мОм | N-канал | 2100пФ при 15 В | 2,7 мОм при 22,5 А, 10 В | 2,3 В при 300 мкА | 45А Ц | 21 НК при 10 В | 2,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fqu5n60ctu-datasheets-4452.pdf | 600В | 5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 7 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 2,5 Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 42нс | 46 нс | 38 нс | 2,8А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 2,5 Вт Та 49 Вт Тс | 600В | N-канал | 670пФ при 25 В | 2,5 Ом при 1,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,8 А Тс | 19 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ3C150BCTB | РОМ Полупроводник | 0,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 5 | 20 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 20 Вт Тс | 15А | 60А | 0,0085Ом | 33 мДж | P-канал | 4800пФ при 10В | 6,7 мОм при 15 А, 4,5 В | 1,2 В при 1 мА | 30А Ц | 60 НК при 4,5 В | 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD088N06N3GBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd088n06n3gbtma1-datasheets-0934.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Не содержит галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 71 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 40 нс | 5 нс | 20 нс | 50А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 71 Вт Тс | ТО-252АА | 200А | 0,0088Ом | N-канал | 3900пФ при 30В | 8,8 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 34 мкА | 50А Ц | 48 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIJA58DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sija58dpt1ge3-datasheets-0836.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,267 мм | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 4,1 Вт | 175°С | 10 нс | 28 нс | 29,3А | 27,7 Вт Тс | 40В | N-канал | 3750пФ при 20В | 2,65 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 75 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj858aept1ge3-datasheets-1015.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 48 Вт | 1 | ПауэрПАК® СО-8 | 2,45 нФ | 10 нс | 9нс | 8 нс | 26 нс | 58А | 20 В | 40В | 2В | 48 Вт Тс | 6,3 мОм | 40В | N-канал | 2450пФ при 20В | 6,3 мОм при 14 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 58А Ц | 55 НК при 10 В | 6,3 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y4R4-40EX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Обжим | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7y4r440ex-datasheets-0639.pdf | 19 304 мм | СК-100, СОТ-669 | 15 875 мм | Черный | Без свинца | Латунь, Пластик | 4 | 12 недель | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 147 Вт | 1 | 10 нс | 18нс | 18 нс | 25 нс | 100А | 20 В | 40В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 24 АРГ | 20 АРГ | 147 Вт Тс | МО-235 | Золото, Олово | N-канал | 2781пФ при 25 В | 4,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 100А Ц | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ6009LSS-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmt6009lss13-datasheets-0768.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 23 недели | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10,8А | 60В | 1,25 Вт Та | N-канал | 1925 пФ при 30 В | 9,5 мОм при 13,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 10,8А Та | 33,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД70Н03С4Л04АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd70n03s4l04atma1-datasheets-0776.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 16 недель | 3 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 3 нс | 2нс | 12 нс | 30А | 16 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 68 Вт Тс | 70А | 280А | 57 мДж | N-канал | 3300пФ при 25В | 4,3 мОм при 70 А, 10 В | 2,2 В @ 30 мкА | 70А Ц | 48 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН2Р0-30ИЛДКС | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-psmn2r030yldx-datasheets-0813.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | МЭК-60134 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г4 | 100А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 142 Вт Тс | МО-235 | 793А | 0,0025Ом | 397 мДж | N-канал | 2969пФ при 15 В | 2 м Ом при 25 А, 10 В | 2,2 В при 1 мА | 100А Ц | 46 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТФС6Х850НТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvtfs6h850ntag-datasheets-0730.pdf | 8-PowerWDFN | 5 | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 5 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 80В | 80В | 3,2 Вт Та 107 Вт Тс | 11А | 300А | 0,0095Ом | 271 мДж | N-канал | 1140пФ при 40В | 9,5 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 70 мкА | 11А Та 68А Ц | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС7670 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdms7670-datasheets-0856.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,05 мм | 6 мм | Без свинца | 5 | 18 недель | 68,1 мг | Нет СВХК | 3,8 МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | 15 нс | 6нс | 5 нс | 31 нс | 21А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 В | 2,5 Вт Та 62 Вт Тс | МО-240АА | 30 В | N-канал | 4105пФ при 15 В | 1,9 В | 3,8 мОм при 21 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 21А Та 42А Ц | 56 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН2Р2-30YLC,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-psmn2r230ylc115-datasheets-0797.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 12 недель | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 141 Вт | 1 | 26 нс | 36нс | 23 нс | 47 нс | 100А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 141 Вт Тс | МО-235 | 765А | 0,0028Ом | 92 мДж | 30 В | N-канал | 3310пФ при 15 В | 2,15 мОм при 25 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 100А Ц | 55 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA413DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sia413djt1ge3-datasheets-0644.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | Без свинца | 4 | 14 недель | Неизвестный | 29мОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 3,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-N4 | 20 нс | 40 нс | 40 нс | 70 нс | -12А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | -1В | 3,5 Вт Та 19 Вт Тс | 40А | -12В | P-канал | 1800пФ при 10В | -1 В | 29 мОм при 6,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12А Ц | 57 НК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7672S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fdmc7672sf126-datasheets-6605.pdf | 8-PowerWDFN | 3,3 мм | 750 мкм | 3,3 мм | Без свинца | 5 | 23 недели | 200мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Золото | Нет | е4 | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 36 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 11 нс | 4нс | 3 нс | 26 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 В | 2,3 Вт Та 36 Вт Тс | 45А | 0,006Ом | 60 мДж | 30 В | N-канал | 2520пФ при 15В | 1,6 В | 6 мОм при 14,8 А, 10 В | 3 В @ 1 мА | 14,8 А Та 18 А Тс | 42 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD80R2K8CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipu80r2k8cebkma1-datasheets-7230.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 18 недель | 3,949996 г | 3 | 1 | Одинокий | ПГ-ТО252-3 | 290пФ | 25 нс | 15нс | 18 нс | 72 нс | 1,9 А | 30 В | 800В | 800В | 42 Вт Тс | 2,4 Ом | N-канал | 290пФ при 100В | 2,8 Ом @ 1,1 А, 10 В | 3,9 В @ 120 мкА | 1,9 А Тс | 12 НК при 10 В | 2,8 Ом | 10 В | ±20 В |
