Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НВТФС6Х850НТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvtfs6h850ntag-datasheets-0730.pdf | 8-PowerWDFN | 5 | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 5 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 80В | 80В | 3,2 Вт Та 107 Вт Тс | 11А | 300А | 0,0095Ом | 271 мДж | N-канал | 1140пФ при 40В | 9,5 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 70 мкА | 11А Та 68А Ц | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС7670 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdms7670-datasheets-0856.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,05 мм | 6 мм | Без свинца | 5 | 18 недель | 68,1 мг | Нет СВХК | 3,8 МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | 15 нс | 6нс | 5 нс | 31 нс | 21А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 В | 2,5 Вт Та 62 Вт Тс | МО-240АА | 30 В | N-канал | 4105пФ при 15 В | 1,9 В | 3,8 мОм при 21 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 21А Та 42А Ц | 56 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН2Р2-30YLC,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-psmn2r230ylc115-datasheets-0797.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 12 недель | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 141 Вт | 1 | 26 нс | 36нс | 23 нс | 47 нс | 100А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 141 Вт Тс | МО-235 | 765А | 0,0028Ом | 92 мДж | 30 В | N-канал | 3310пФ при 15 В | 2,15 мОм при 25 А, 10 В | 1,95 В @ 1 мА | 100А Ц | 55 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД9Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 178 Вт | 1 | 9А | 30 В | 500В | 178 Вт Тс | N-канал | 1160пФ при 25В | 860 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 24 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRC10DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sirc10dpt1ge3-datasheets-0229.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,17 мм | 14 недель | EAR99 | S17-0173-Одиночный | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 3,6 Вт | 150°С | 10 нс | 15 нс | 23,9А | 43 Вт Тс | 30 В | N-канал | 1873 пФ при 15 В | 3,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 60А Ц | 36 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД30Н03С2Л20АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-ipd30n03s2l20atma1-datasheets-0411.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 10 недель | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 5 нс | 15нс | 10 нс | 19 нс | 30А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60 Вт Тс | 70 мДж | N-канал | 530пФ при 25В | 20 мОм при 18 А, 10 В | 2 В @ 23 мкА | 30А Ц | 19 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8734TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шестигранный транзистор® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf8734pbf-datasheets-8017.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 3,5 МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 16 нс | 8 нс | 15 нс | 21А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 30 В | N-канал | 3175пФ при 15 В | 3,5 мОм при 21 А, 10 В | 2,35 В @ 50 мкА | 21А Та | 30 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4C02NTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nttfs4c02ntag-datasheets-0419.pdf | 8-PowerWDFN | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 91 Вт Тс | N-канал | 2980пФ при 15В | 2,25 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 170А Ц | 20 нк @ 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТФС4К05НВФТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvtfs4c05ntag-datasheets-8355.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 5 | 18 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 часа назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | С-ПДСО-Н5 | 102А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,2 Вт Та 68 Вт Тс | 22А | 433А | 0,0051Ом | N-канал | 1988 ПФ при 15 В | 3,6 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А Та 102А Ц | 31 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6502 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon6502-datasheets-0269.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 85А | 30 В | 7,4 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3430пФ при 15В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 49А Та 85А Ц | 64 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR210TRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-irfr210trrpbf-datasheets-3671.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | 1,5 Ом | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Д-Пак | 140пФ | 8,2 нс | 17нс | 8,9 нс | 14 нс | 2,6А | 20 В | 200В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 1,5 Ом | 200В | N-канал | 140пФ при 25В | 1,5 Ом @ 1,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,6 А Тс | 8,2 НК при 10 В | 1,5 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ7E055ATTCR | РОМ Полупроводник | 1,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohm-rq7e055attcr-datasheets-0275.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,5 Вт Тс | 5,5 А | 22А | 0,0361Ом | 22 мДж | P-канал | 860пФ при 15 В | 24,5 мОм при 5,5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 5,5 А Тс | 18,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9214-30А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-buk921430a118-datasheets-0542.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 26 недель | 3 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 107 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 85нс | 108 нс | 94 нс | 63А | 15 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 107 Вт Тс | 0,0155Ом | 30 В | N-канал | 2317пФ при 25 В | 12 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 63А Тк | 31 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y22-100Е,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9y22100e115-datasheets-0595.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | 1 | 15,8 нс | 32,3 нс | 31,1 нс | 53,4 нс | 49А | 10 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 147 Вт Тс | МО-235 | 0,022 Ом | 80,8 мДж | 100В | N-канал | 4640пФ при 25В | 21,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 49А ТЦ | 35,8 НК при 5 В | 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС5832НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntmfs5832nlt1g-datasheets-0250.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5,1 мм | 1,1 мм | 6,1 мм | Без свинца | 5 | 16 недель | Нет СВХК | 6,5 МОм | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 24 нс | 8 нс | 27 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1В | 3,1 Вт Та 96 Вт Тс | 443А | 40В | N-канал | 2700пФ при 25В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20А Та 111А Ц | 51 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD22204WT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 9-УФБГА, ДСБГА | 1,75 мм | 625 мкм | 1,75 мм | Без свинца | 9 | 6 недель | 9 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | CSD22204 | Одинокий | 1 | 58 нс | 600 нс | 2,29 мкс | 3,45 мкс | 5А | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | 8В | 1,7 Вт Та | 5А | 80А | 0,014 Ом | 265 пФ | P-канал | 1130пФ при 4В | 9,9 мОм при 2 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 5А Та | 24,6 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | -6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН013-80ИС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-psmn01380ys115-datasheets-0376.pdf | СК-100, СОТ-669 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 4 | 12 недель | 4.535924г | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 106 Вт | 1 | 20 нс | 15нс | 10 нс | 37 нс | 60А | 20 В | 80В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 106 Вт Тс | МО-235 | 233А | 0,00129Ом | 70 мДж | 80В | N-канал | 2420пФ при 40В | 12,9 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 60А Ц | 37 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA86108LZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdma86108lz-datasheets-0388.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 8 недель | 30мг | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,2А | 100В | 2,4 Вт Та | N-канал | 163пФ при 50В | 243 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,2А Та | 3нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sisa01dnt1ge3-datasheets-0170.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 1,17 мм | 14 недель | 1 | 3,7 Вт | 150°С | PowerPAK® 1212-8 | 15 нс | 39 нс | -22,4А | 30 В | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | 4,1 мОм | -30В | P-канал | 3490пФ при 15 В | 4,9 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22,4 А Та 60 А Тс | 84 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | +16В, -20В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9400A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fds9400a-datasheets-0396.pdf | -30В | -3,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 130МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4,5 нс | 12,5 нс | 2 нс | 11 нс | 3,4А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -1,8 В | 2,5 Вт Та | -30В | P-канал | 205пФ при 15В | -1,8 В | 130 мОм при 1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,4А Та | 3,5 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3015LSS-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmp3015lss13-datasheets-0267.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,1 мм | 8 | 16 недель | 850,995985мг | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 11,2 нс | 12,4 нс | 61,7 нс | 104,9 нс | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 2,5 Вт Та | 45А | -30В | P-канал | 2748пФ при 20 В | 11 мОм при 13 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 13А Та | 60,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISA24DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sisa24dnt1ge3-datasheets-0275.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 1,17 мм | 14 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 3,7 Вт | 150°С | 12 нс | 18 нс | 38,3А | 52 Вт Тс | 25 В | N-канал | 2650пФ при 10 В | 1,4 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 60А Ц | 26 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMTH8012LPSQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmth8012lpsq13-datasheets-0311.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 22 недели | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 72А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 2,6 Вт Та 136 Вт Тс | 10А | 0,017Ом | 10,2 мДж | N-канал | 2051пФ при 40В | 17 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та 72А Ц | 46,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9226-75А,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-buk922675a118-datasheets-0314.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | 2 | 26 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 114 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 24 нс | 141 нс | 108 нс | 142 нс | 45А | 10 В | 75В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 В | 114 Вт Тс | ТО-252АА | 0,029 Ом | 75В | N-канал | 3120пФ при 25В | 1,5 В | 24,6 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 45А Ц | 4,5 В 10 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДД8876 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdu8876-datasheets-8240.pdf | 30 В | 73А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 10 недель | 260,37 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 70 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 91нс | 37 нс | 44 нс | 73А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | ТО-252АА | 95 мДж | 30 В | N-канал | 1700пФ при 15В | 8,2 мОм при 35 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 73А Ц | 47 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСМН5Р8-40ИС,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-psmn5r840ys115-datasheets-0293.pdf | СК-100, СОТ-669 | Без свинца | 4 | 12 недель | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 89 Вт | 1 | 16 нс | 12нс | 8 нс | 25 нс | 90А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 89 Вт Тс | МО-235 | 360А | 0,0057Ом | 65 мДж | 40В | N-канал | 1703пФ при 20 В | 5,7 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 90А Ц | 28,8 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RSS060P05FRATB | РОМ Полупроводник | 0,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 | 20 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | -6А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 45В | 45В | -2,5 В | 2 Вт Та | 6А | 24А | 0,053 Ом | P-канал | 2700пФ при 10 В | 36 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 6А Та | 32,2 НК при 5 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y12-55Б,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-buk9y1255b115-datasheets-0122.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 12 недель | 4 | Олово | Нет | е3 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 106 Вт | 1 | 29 нс | 78нс | 63 нс | 100 нс | 61,8А | 15 В | 55В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 106 Вт Тс | МО-235 | N-канал | 2880пФ при 25 В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,15 В @ 1 мА | 61,8А Тс | 32 НК при 5 В | 5В 10В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 220 115 бул. | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/nexperiausainc-bsp220115-datasheets-0127.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 4 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 30 | 1,5 Вт | 1 | -225 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 1,5 Вт Та | 0,225А | 15 пФ | P-канал | 90пФ при 25В | 12 Ом при 200 мА, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 225 мА Та | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПН3300АНХ,ЛК | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tpn3300anhlq-datasheets-9986.pdf | 8-PowerVDFN | 680пФ | 12 недель | 8 | Одинокий | 27 Вт | 4,4 нс | 3,8 нс | 15 нс | 9,4А | 20 В | 700 мВт Ta 27 Вт Tc | 100В | N-канал | 880пФ при 50В | 33 мОм при 4,7 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 9,4 А Тс | 11 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
