Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Идентификатор производителя производителя Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Справочный стандарт Без галогенов Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Максимальный переход температуры (Tj) Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Максимальное двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность левого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
PSMN2R2-30YLC,115 ПСМН2Р2-30YLC,115 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/nexperiausainc-psmn2r230ylc115-datasheets-0797.pdf СК-100, СОТ-669 Без свинца 4 12 недель 4 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е3 Олово (Вс) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 4 141 Вт 1 26 нс 36нс 23 нс 47 нс 100А 20 В 30 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 141 Вт Тс МО-235 765А 0,0028Ом 92 мДж 30 В N-канал 3310пФ при 15 В 2,15 мОм при 25 А, 10 В 1,95 В @ 1 мА 100А Ц 55 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysiliconix-sia413djt1ge3-datasheets-0644.pdf PowerPAK® SC-70-6 2,05 мм 750 мкм 2,05 мм Без свинца 4 14 недель Неизвестный 29мОм 6 да EAR99 Олово Нет ДВОЙНОЙ 260 6 1 Одинокий 40 3,5 Вт 1 Другие транзисторы S-XDSO-N4 20 нс 40 нс 40 нс 70 нс -12А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 12 В -1В 3,5 Вт Та 19 Вт Тс 40А -12В P-канал 1800пФ при 10В -1 В 29 мОм при 6,7 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 12А Ц 57 НК при 8 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
FDMC7672S FDMC7672S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать PowerTrench®, SyncFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/onsemiconductor-fdmc7672sf126-datasheets-6605.pdf 8-PowerWDFN 3,3 мм 750 мкм 3,3 мм Без свинца 5 23 недели 200мг Нет СВХК 8 АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да EAR99 СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Золото Нет е4 ДВОЙНОЙ Одинокий 36 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения С-ПДСО-Н5 11 нс 4нс 3 нс 26 нс 18А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,6 В 2,3 Вт Та 36 Вт Тс 45А 0,006Ом 60 мДж 30 В N-канал 2520пФ при 15В 1,6 В 6 мОм при 14,8 А, 10 В 3 В @ 1 мА 14,8 А Та 18 А Тс 42 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2018 год /files/vishaysiliconix-sirc10dpt1ge3-datasheets-0229.pdf ПауэрПАК® СО-8 1,17 мм 14 недель EAR99 S17-0173-Одиночный неизвестный НЕ УКАЗАН 1 НЕ УКАЗАН 3,6 Вт 150°С 10 нс 15 нс 23,9А 43 Вт Тс 30 В N-канал 1873 пФ при 15 В 3,5 мОм при 10 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 60А Ц 36 НК при 10 В Диод Шоттки (корпус) 4,5 В 10 В +20В, -16В
IPD30N03S2L20ATMA1 ИПД30Н03С2Л20АТМА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Оптимос™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2004 г. /files/infineontechnologies-ipd30n03s2l20atma1-datasheets-0411.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Содержит свинец 2 10 недель EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ не_совместимо е3 Олово (Вс) Без галогенов ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 60 Вт 1 Р-ПССО-Г2 5 нс 15нс 10 нс 19 нс 30А 20 В 30 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60 Вт Тс 70 мДж N-канал 530пФ при 25В 20 мОм при 18 А, 10 В 2 В @ 23 мкА 30А Ц 19 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Шестигранный транзистор® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/infineontechnologies-irf8734pbf-datasheets-8017.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 1,4986 мм 3,9878 мм Без свинца 8 12 недель 3,5 МОм 8 EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 2,5 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 13 нс 16 нс 8 нс 15 нс 21А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2,5 Вт Та 30 В N-канал 3175пФ при 15 В 3,5 мОм при 21 А, 10 В 2,35 В @ 50 мкА 21А Та 30 НК при 4,5 В 4,5 В 10 В ±20 В
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-nttfs4c02ntag-datasheets-0419.pdf 8-PowerWDFN 18 недель АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 30 В 91 Вт Тс N-канал 2980пФ при 15В 2,25 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 170А Ц 20 нк @ 4,5 В 4,5 В 10 В ±20 В
NVTFS4C05NWFTAG НВТФС4К05НВФТАГ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-nvtfs4c05ntag-datasheets-8355.pdf 8-PowerWDFN Без свинца 5 18 недель 8 АКТИВНО (последнее обновление: 4 часа назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) АЭК-Q101 ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1 С-ПДСО-Н5 102А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 3,2 Вт Та 68 Вт Тс 22А 433А 0,0051Ом N-канал 1988 ПФ при 15 В 3,6 мОм при 30 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 22А Та 102А Ц 31 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AON6502 АОН6502 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/alphaomegasemiconductor-aon6502-datasheets-0269.pdf 8-PowerSMD, плоские выводы 16 недель 85А 30 В 7,4 Вт Та 83 Вт Тс N-канал 3430пФ при 15В 2,2 мОм при 20 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 49А Та 85А Ц 64 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/vishaysiliconix-irfr210trrpbf-datasheets-3671.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,73 мм 2,39 мм 6,22 мм Без свинца 8 недель 1,437803г 1,5 Ом 3 Олово Нет 1 Одинокий 2,5 Вт 1 Д-Пак 140пФ 8,2 нс 17нс 8,9 нс 14 нс 2,6А 20 В 200В 2,5 Вт Та 25 Вт Тс 1,5 Ом 200В N-канал 140пФ при 25В 1,5 Ом @ 1,6 А, 10 В 4 В при 250 мкА 2,6 А Тс 8,2 НК при 10 В 1,5 Ом 10 В ±20 В
RQ7E055ATTCR RQ7E055ATTCR РОМ Полупроводник 1,34 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohm-rq7e055attcr-datasheets-0275.pdf 8-СМД, плоский вывод 8 20 недель EAR99 не_совместимо ДА ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Ф8 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 1,5 Вт Тс 5,5 А 22А 0,0361Ом 22 мДж P-канал 860пФ при 15 В 24,5 мОм при 5,5 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 5,5 А Тс 18,8 НК при 10 В 10 В ±20 В
BUK9214-30A,118 БУК9214-30А,118 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/nexperiausainc-buk921430a118-datasheets-0542.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 26 недель 3 EAR99 СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Олово Нет е3 ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Одинокий 30 107 Вт 1 Р-ПССО-Г2 10 нс 85нс 108 нс 94 нс 63А 15 В 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 107 Вт Тс 0,0155Ом 30 В N-канал 2317пФ при 25 В 12 мОм при 25 А, 10 В 2 В при 1 мА 63А Тк 31 НК при 5 В 4,5 В 10 В ±15 В
BUK9Y22-100E,115 БУК9Y22-100Е,115 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год /files/nexperiausainc-buk9y22100e115-datasheets-0595.pdf СК-100, СОТ-669 4 12 недель 4 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Олово не_совместимо е3 ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 4 1 1 15,8 нс 32,3 нс 31,1 нс 53,4 нс 49А 10 В 100В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 147 Вт Тс МО-235 0,022 Ом 80,8 мДж 100В N-канал 4640пФ при 25В 21,5 мОм при 15 А, 10 В 2,1 В при 1 мА 49А ТЦ 35,8 НК при 5 В ±10 В
AOD9N50 АОД9Н50 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 2,86 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -50°С~150°С ТДж Диги-Рил® 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 18 недель 178 Вт 1 30 В 500В 178 Вт Тс N-канал 1160пФ при 25В 860 мОм при 4,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 9А Тц 24 НК при 10 В 10 В ±30 В
FDMA86108LZ FDMA86108LZ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-fdma86108lz-datasheets-0388.pdf 6-ВДФН Открытая площадка 8 недель 30мг АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 8541.29.00.95 е4 Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) 260 Одинокий НЕ УКАЗАН 2,2А 100В 2,4 Вт Та N-канал 163пФ при 50В 243 мОм при 2,2 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 2,2А Та 3нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sisa01dnt1ge3-datasheets-0170.pdf PowerPAK® 1212-8 1,17 мм 14 недель 1 3,7 Вт 150°С PowerPAK® 1212-8 15 нс 39 нс -22,4А 30 В 3,7 Вт Та 52 Вт Тс 4,1 мОм -30В P-канал 3490пФ при 15 В 4,9 мОм при 15 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 22,4 А Та 60 А Тс 84 НК при 10 В 4,5 В 10 В +16В, -20В
FDS9400A FDS9400A ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2002 г. /files/onsemiconductor-fds9400a-datasheets-0396.pdf -30В -3,4А 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 4,9 мм 1,575 мм 3,9 мм Без свинца 8 8 недель 230,4 мг Нет СВХК 130МОм 8 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ Одинокий 2,5 Вт 1 Другие транзисторы 4,5 нс 12,5 нс 2 нс 11 нс 3,4А 25 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В -1,8 В 2,5 Вт Та -30В P-канал 205пФ при 15В -1,8 В 130 мОм при 1 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 3,4А Та 3,5 НК при 5 В 4,5 В 10 В ±25 В
DMP3015LSS-13 ДМП3015LSS-13 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/diodesincorporated-dmp3015lss13-datasheets-0267.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 5,3 мм 1,5 мм 4,1 мм 8 16 недель 850,995985мг 8 да EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 8 1 Одинокий 40 1 Другие транзисторы 11,2 нс 12,4 нс 61,7 нс 104,9 нс 13А 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 2,5 Вт Та 45А -30В P-канал 2748пФ при 20 В 11 мОм при 13 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 13А Та 60,4 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sisa24dnt1ge3-datasheets-0275.pdf PowerPAK® 1212-8 1,17 мм 14 недель EAR99 НЕ УКАЗАН 1 НЕ УКАЗАН 3,7 Вт 150°С 12 нс 18 нс 38,3А 52 Вт Тс 25 В N-канал 2650пФ при 10 В 1,4 мОм при 15 А, 10 В 2,1 В @ 250 мкА 60А Ц 26 НК при 4,5 В 4,5 В 10 В +20В, -16В
DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmth8012lpsq13-datasheets-0311.pdf 8-PowerTDFN 5 22 недели 8 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Ф5 72А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 80В 2,6 Вт Та 136 Вт Тс 10А 0,017Ом 10,2 мДж N-канал 2051пФ при 40В 17 мОм при 12 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 10А Та 72А Ц 46,8 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
BUK9226-75A,118 БУК9226-75А,118 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/nexperiausainc-buk922675a118-datasheets-0314.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,35 мм 6,35 мм 6,35 мм 2 26 недель 4.535924г Нет СВХК 3 EAR99 Олово Нет е3 ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Одинокий 30 114 Вт 1 Р-ПССО-Г2 24 нс 141 нс 108 нс 142 нс 45А 10 В 75В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,5 В 114 Вт Тс ТО-252АА 0,029 Ом 75В N-канал 3120пФ при 25В 1,5 В 24,6 мОм при 25 А, 10 В 2 В при 1 мА 45А Ц 4,5 В 10 В ±10 В
FDD8876 ФДД8876 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-fdu8876-datasheets-8240.pdf 30 В 73А ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 2 10 недель 260,37 мг 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) КРЫЛО ЧАЙКИ Одинокий 70 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПССО-Г2 8 нс 91нс 37 нс 44 нс 73А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 70 Вт Тс ТО-252АА 95 мДж 30 В N-канал 1700пФ при 15В 8,2 мОм при 35 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 15А Та 73А Ц 47 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
PSMN5R8-40YS,115 ПСМН5Р8-40ИС,115 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/nexperiausainc-psmn5r840ys115-datasheets-0293.pdf СК-100, СОТ-669 Без свинца 4 12 недель 4 Нет е3 Олово (Вс) ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 89 Вт 1 16 нс 12нс 8 нс 25 нс 90А 20 В 40В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 89 Вт Тс МО-235 360А 0,0057Ом 65 мДж 40В N-канал 1703пФ при 20 В 5,7 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 1 мА 90А Ц 28,8 НК при 10 В 10 В ±20 В
RSS060P05FRATB RSS060P05FRATB РОМ Полупроводник 0,83 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж 150°С Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2017 год 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 6 20 недель Неизвестный 8 EAR99 не_совместимо ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Г6 -6А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 45В 45В -2,5 В 2 Вт Та 24А 0,053 Ом P-канал 2700пФ при 10 В 36 мОм при 6 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 6А Та 32,2 НК при 5 В 4В 10В ±20 В
NTMFS5832NLT1G НТМФС5832НЛТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. /files/onsemiconductor-ntmfs5832nlt1g-datasheets-0250.pdf 8-PowerTDFN, 5 выводов 5,1 мм 1,1 мм 6,1 мм Без свинца 5 16 недель Нет СВХК 6,5 МОм 5 АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да EAR99 Олово Нет е3 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 5 Одинокий 3,1 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 13 нс 24 нс 8 нс 27 нс 20А 20 В КРЕМНИЙ 3,1 Вт Та 96 Вт Тс 443А 40В N-канал 2700пФ при 25В 4,2 мОм при 20 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 20А Та 111А Ц 51 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
CSD22204WT CSD22204WT Техасские инструменты
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НексФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 9-УФБГА, ДСБГА 1,75 мм 625 мкм 1,75 мм Без свинца 9 6 недель 9 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да Медь, Серебро, Олово е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ CSD22204 Одинокий 1 58 нс 600 нс 2,29 мкс 3,45 мкс КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,7 Вт Та 80А 0,014 Ом 265 пФ P-канал 1130пФ при 4В 9,9 мОм при 2 А, 4,5 В 950 мВ при 250 мкА 5А Та 24,6 НК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В -6В
PSMN013-80YS,115 ПСМН013-80ИС,115 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Диги-Рил® 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/nexperiausainc-psmn01380ys115-datasheets-0376.pdf СК-100, СОТ-669 6,35 мм 6,35 мм 6,35 мм Без свинца 4 12 недель 4.535924г 4 Нет е3 Олово (Вс) ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 4 106 Вт 1 20 нс 15нс 10 нс 37 нс 60А 20 В 80В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 106 Вт Тс МО-235 233А 0,00129Ом 70 мДж 80В N-канал 2420пФ при 40В 12,9 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 1 мА 60А Ц 37 НК при 10 В 10 В ±20 В
PSMN2R0-25YLDX ПСМН2Р0-25ИЛДКС Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год /files/nexperiausainc-psmn2r025yldx-datasheets-0088.pdf СК-100, СОТ-669 12 недель 5 ЛФПАК56, Мощность-СО8 2,485 нФ 100А 25 В 115 Вт Тс 1,82 мОм N-канал 2485пФ при 12 В 2,09 мОм при 25 А, 10 В 2,2 В при 1 мА 100А Ц 34,1 НК при 10 В Диод Шоттки (корпус) 2,09 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
IRFR9010TRPBF IRFR9010TRPBF Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год /files/vishaysiliconix-irfr9010pbf-datasheets-4325.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,73 мм 2,39 мм 6,22 мм 2 8 недель 1,437803г 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е3 Матовый олово (Sn) КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 1 Одинокий 40 25 Вт 1 Другие транзисторы Р-ПССО-Г2 6,1 нс 47нс 35 нс 13 нс 5,3А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 50В 25 Вт Тс 0,5 Ом -50В P-канал 240пФ при 25В 500 мОм при 2,8 А, 10 В 4 В при 250 мкА 5,3 А Тс 9,1 нк при 10 В 10 В ±20 В
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать CoolMOS™ P7 Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год /files/infineontechnologies-ipd80r2k0p7atma1-datasheets-0162.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 18 недель EAR99 ДА ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 800В 800В 24 Вт Тс ТО-252АА 2Ом 6 мДж N-канал 175пФ при 500В 2 Ом при 940 мА, 10 В 3,5 В @ 50 мкА 3А Тк 9 нк @ 10 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.