Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений | Последовательная длина пакета | Длина очередного пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M24C01-WMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 КБ | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 2мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | M24C01 | 8 | 30 | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C02-WDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | 6,5 В | Без свинца | 8 | 8 | 2 КБ | NRND (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Золото, Олово | Нет | ЦСОП8-АМ | 1 | 1 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | M24C02 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 30 | 3/5 В | 85°С | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1470BV33-167AXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НоБЛ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | 72 Мб | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 450 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,135 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | CY7C1470 | 100 | 3,6 В | 3,135 В | 40 | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,4 нс | 167 МГц | 21б | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M93C46-WMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m93c46wmn6tp-datasheets-8056.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | Нет СВХК | 8 | 1 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | СО8Н-СО-А | 1 | 2мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | М93С46 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 30 | 3/5 В | 85°С | 1Кб 128 х 8 64 х 16 | Энергонезависимый | 400 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 64X16 | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,00001А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C08WI-GT3 | ОН Полупроводник | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c16yigt3-datasheets-8320.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 5В | Без свинца | 8 | 4 недели | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 8 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | Без галогенов | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | КАТ24C08 | 8 | 1,7 В | 40 | 8Кб 1К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДММР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1071DV33-12BAXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductor-cy7c1071dv3312baxi-datasheets-3239.pdf | 48-ТФБГА | 9,5 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 19 недель | 48 | 32 Мб | да | 1 | Нет | 83,3 МГц | 1 | 250 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | CY7C1071 | 48 | 3,6 В | 3В | 40 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | СРАМ | Параллельно | 16 | 12нс | 0,05А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M93C46-WDW6TP | СТМикроэлектроника | 0,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m93c46wmn6tp-datasheets-8056.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | Серийный | 1 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото, Олово | Нет | 1 | 2мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | М93С46 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 30 | 3/5 В | 1Кб 128 х 8 64 х 16 | Энергонезависимый | 200 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 64X16 | 5 мс | 0,00001А | МИКРОПРОВОД | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C08-RDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c08fmn6tp-datasheets-8101.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 6,5 В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 8 КБ | EAR99 | Золото, Олово | Нет | 1 | 800 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | M24C08 | 8 | 5,5 В | 30 | 2/5 В | 8Кб 1К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДММР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C02-RMC6TG | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 600 мкм | 2 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 800 мкА | е4 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | M24C02 | 8 | 5,5 В | 30 | 2/5 В | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C01-RDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 800 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | M24C01 | 8 | 5,5 В | 30 | 2/5 В | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512АЛ-125КБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Масса | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,35 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е1 | ДА | 1,283~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1575 В | 1,425 В | 10 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY62177EV30LL-55ZXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МоБЛ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy62177ev30ll55baxi-datasheets-7745.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 1,2 мм | 12 мм | 3В | Без свинца | 45 мА | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 32 Мб | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,2 В~3,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | CY62177 | 48 | 3,7 В | 2,2 В | 30 | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1245Y-100+ | Максим Интегрированный | $54,59 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1245y120-datasheets-7710.pdf | Модуль 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) | Без свинца | 32 | 6 недель | 32 | да | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8473.30.11.40 | 1 | е3 | ИНН | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | DS1245Y | 32 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | 0,085 мА | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 100 нс | 1048576 бит | 0,0006А | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512АЛ-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,35 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е1 | ДА | 1,283~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1575 В | 1,425 В | 10 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT47H256M8EB-25E ИТ:С | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt47h128m16rt25eitc-datasheets-7288.pdf | 60-ТФБГА | 11,5 мм | 9 мм | 60 | 4 недели | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | МТ47Х256М8 | 60 | 1,9 В | 1,7 В | 30 | 1,8 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15 нс | 2147483648 бит | 0,012А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В27Л20ПФГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $447,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-70v27l20pfgi-datasheets-7782.pdf | 100-LQFP | 13 недель | 3В~3,6В | ИДТ70В27 | 100-ТКФП (14х14) | 512Кб 32К х 16 | Неустойчивый | 20 нс | СРАМ | Параллельно | 20 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C01-RMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 6,5 В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 800 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | M24C01 | 8 | 5,5 В | 30 | 2/5 В | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C02-RDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 800 мкА | е4 | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | M24C02 | 8 | 5,5 В | 30 | 2/5 В | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C02-FDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | 1 | е4 | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 0,65 мм | M24C02 | 5,5 В | 1,7 В | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К316098А-10БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf | 48-ЛФБГА | 6,05 мм | 1,05 мм | 8,05 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 3В~3,6В | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К6416-55БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c641655bin-datasheets-7835.pdf | 48-ЛФБГА | 10 мм | 8 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 55нс | 67108864 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C04-WMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c04wmn6tp-datasheets-7838.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | 4 КБ | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | СО8Н-СО-А | 1 | 1 мА | е4 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | M24C04 | 8 | 40 | 85°С | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1245Y-120+ | Максим Интегрированный | $31,65 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1245y120-datasheets-7710.pdf | Модуль 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) | Без свинца | 32 | 6 недель | 32 | да | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8473.30.11.40 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | DS1245Y | 32 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | 0,085 мА | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 120 нс | 1048576 бит | 0,0006А | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C02-WMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | 13 недель | Нет СВХК | 8 | 2 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | СО8Н-СО-А | 1 | 1 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | M24C02 | 8 | 30 | 85°С | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR4A16BCMA35 | Эверспин Технологии Инк. | $52,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 110 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf | 48-ЛФБГА | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 180 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 1MX16 | 16 | 35 нс | 0,014А | 16б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМ22Л16-55-ТГ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm22l1655tg-datasheets-7863.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 1,05 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | да | EAR99 | Олово | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 18 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | FM22L16 | 44 | 3,6 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | 16б | ФРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 110 нс | 0,00027А | 16б | 110 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В28Л20ПФГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $74,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-70v28l20pfgi-datasheets-7733.pdf | 100-LQFP | 10 недель | 3В~3,6В | ИДТ70В28 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 20 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24C02-FMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24c02fmn6tp-datasheets-7726.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | M24C02 | 5,5 В | 1,7 В | 2Кб 256 х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| THGBMJG8C4LBAU8 | Киоксиа Америка, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | e•MMC™ | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует RoHS | 153-ВФБГА | 12 недель | 256Гб 32Гб х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | eMMC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15B108QN-40SXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, Excelon™-Auto, F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 2,03 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 13 недель | 1 | ДА | 1,8 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,8 В | С-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 1MX8 | 8 | 8388608 бит |
