Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Тип памяти микросхем |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S70GL02GS12FHIV10 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-С | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s70gl02gs11fhi010-datasheets-7383.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 13 недель | 64 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М х 16 | Энергонезависимый | 120 нс | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX16 | 16 | 8 | 0,0002А | ДА | ДА | ДА | 2К | 128 тыс. | ДА | НИЗ/ВЕРХ | ДА | 16/32 слова | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY62167DV30LL-55ZXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МоБЛ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy62167dv30ll55zxi-datasheets-7539.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 1,2 мм | 12 мм | 3В | Без свинца | 30 мА | 48 | 13 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | да | 1 | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 2М Х 8 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | CY62167 | 48 | 3,6 В | 2,2 В | 30 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM25V20A-ДГ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm25v20ag-datasheets-7393.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | СПИ, серийный | 2 Мб | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2В | НЕ УКАЗАН | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 16 нс | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 8 | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT28FW02GBBA1HPC-0AAT | Микрон Технология Инк. | $80,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt28fw02gbba1hpc0aat-datasheets-7548.pdf | 64-ЛБГА | 6 недель | 1,7 В~3,6 В | 64-ЛБГА (11х13) | 2 ГБ 128 М х 16 | Энергонезависимый | 105 нс | ВСПЫШКА | Параллельно | 60нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX66L2G45GXRI00 | Макроникс | $31,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,3 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx66l2g45gxri00-datasheets-7459.pdf | 24-ТБГА, ЦСПБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 10 недель | ТАКЖЕ МОЖЕТ НАСТРОИТЬСЯ КАК 1G X 2 И 2G X 1. | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПБГА-Б24 | 3В | 133 МГц | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | СЕРИАЛ | 4 | ВСПЫШКА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МР2А16АВИС35 | Эверспин Технологии Инк. | 21,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 105 мА | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | Нет СВХК | 44 | 4 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 165 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 35 нс | 0,028А | 16б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR2A08ACYS35 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 50 мА | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a08acma35-datasheets-8425.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 135 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | БАРАН | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 35 нс | 0,02 А | 8б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR2A16ACYS35 | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 105 мА | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 1,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | Нет СВХК | 44 | 4 Мб | да | EAR99 | Нет | MR2A16ACYS35 | 8542.32.00.71 | 1 | 165 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 85°С | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 35 нс | 0,028А | 16б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1225Y-200+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1225y150-datasheets-7360.pdf | Модуль 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 28 | 6 недель | 28 | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 10 ЛЕТ | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | DS1225Y | 28 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | 0,075 мА | Не квалифицирован | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 200 нс | 65536 бит | 0,005А | 200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT40A256M16LY-062E АВТО:F | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К ТС | Масса | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR4 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,14 В~1,26 В | 4 ГБ 256 М х 16 | Неустойчивый | 19нс | 1,6 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ102416БЛЛ-10МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $19,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 3,3 В | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 95 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ204816БЛЛ-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $28,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 10 нс | 33554432 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM25V20A-DGQ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductor-fm25v20adgq-datasheets-3054.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 256КХ8 | 8 | 2097152 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS21ES08G-JCLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is21es08gjcli-datasheets-7489.pdf | 153-ВФБГА | 13 мм | 11,5 мм | 153 | 8 недель | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б153 | 64 ГБ 8 ГБ х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | 8GX8 | 8 | 68719476736 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C1G8MD3L-12BCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 78-ТФБГА | 13,2 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | ДА | 1,283~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 8Гб 1Г х 8 | Неустойчивый | 13,75 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1GX8 | 8 | 8589934592 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B ТР | Микрон Технология Инк. | $28,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | 100-ВБГА | 5 недель | 2,7 В~3,6 В | 16 ГБ 2 ГБ х 8 | Энергонезависимый | 83 МГц | ВСПЫШКА | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1230AB-120+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1230ab120-datasheets-7498.pdf | Модуль 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | Без свинца | 28 | 6 недель | 28 | да | EAR99 | не_совместимо | 8473.30.11.40 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | DS1230AB | 28 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | 0,085 мА | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 120 нс | 262144 бит | 0,0006А | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МР2А16АЙС35 | Эверспин Технологии Инк. | $23,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 105 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr2a16acma35-datasheets-8264.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 155 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 35 нс | 0,028А | 16б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM28V020-ТГ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm28v020tg-datasheets-7309.pdf | 32-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 11,9 мм | 1,02 мм | 8,1 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 26 недель | 32 | 256 КБ | EAR99 | 1 | 8мА | е3 | Олово (Вс) | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | FM28V020 | 32 | 3,6 В | 2В | 40 | СРАМ | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | ФРАМ | Параллельно | 140 нс | 0,00015А | 8б | 140 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ51216БЛЛ-10МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $23,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 95 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA25PFGI | Ренесас Электроникс Америка Инк. | 19,95 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-7130la25pfgi-datasheets-7328.pdf | 64-LQFP | 12 недель | 4,5 В~5,5 В | IDT7130 | 8Кб 1К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 25нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM18W08-SG | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | $5,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm18w08sg-datasheets-7331.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 18,11 мм | 2,67 мм | 7,62 мм | 3,3 В | Без свинца | 28 | 6 недель | Нет СВХК | 28 | 256 КБ | EAR99 | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 12 мА | е3 | Олово (Вс) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM18W08 | 28 | 5,5 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | 3/5 В | 85°С | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 70 нс | ФРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 130 нс | 0,00005А | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY14E256LA-SZ45XI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,54 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy14e256lasz45xi-datasheets-7342.pdf | 32-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20,726 мм | 5В | Без свинца | 32 | 13 недель | Нет СВХК | 32 | 256 КБ | да | EAR99 | Золото, Олово | Нет | 1 | 52 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | CY14*256 | 32 | 30 | СРАМ | 5В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | НВСРАМ | Параллельно | 8 | 45нс | 0,005А | 8б | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT47H256M8EB-25E IT:C TR | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt47h128m16rt25eitc-datasheets-7288.pdf | 60-ТФБГА | 4 недели | 1,7 В~1,9 В | МТ47Х256М8 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR25H40CDF | Эверспин Технологии Инк. | $16,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 6 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | СПИ, серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 42 мА | 600мВт | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 9 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,0004А | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1225Y-150+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 10,668 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1225y150-datasheets-7360.pdf | Модуль 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 38 227 мм | 15,24 мм | 28 | 6 недель | 28 | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 10 ЛЕТ | не_совместимо | 8473.30.11.40 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | DS1225Y | 28 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 150 нс | 65536 бит | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 25 мА | 44 | 8 недель | Нет СВХК | 44 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 100 МГц | 1 | 95 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 10 | 2,5/3,3 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR25H40CDC | Эверспин Технологии Инк. | $25,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 14 недель | 37,393021мг | 8 | СПИ, серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 42 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 9 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 8б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СБ-7ТИН | Альянс Память, Инк. | $21,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sb7tin-datasheets-7280.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 14нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY62167EV30LL-45ZXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МоБЛ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy62167ev30ll45zxi-datasheets-7372.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 1,2 мм | 12 мм | 3В | Без свинца | 30 мА | 48 | 6 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | CY62167 | 48 | 3,6 В | 2,2 В | 30 | 16Мб 2М х 8 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 45нс | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ |
