Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений | Последовательная длина пакета | Длина очередного пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| THGBMJG8C4LBAU8 | Киоксиа Америка, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | e•MMC™ | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует RoHS | 153-ВФБГА | 12 недель | 256Гб 32Гб х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | eMMC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15B108QN-40SXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, Excelon™-Auto, F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 2,03 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 13 недель | 1 | ДА | 1,8 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,8 В | С-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 1MX8 | 8 | 8388608 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM28V100-ТГ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm28v100tgtr-datasheets-8468.pdf | 32-ТФСОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 8 мм | 1,2 мм | 11,8 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 6 недель | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 12 мА | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | FM28V100 | 32 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | СРАМ | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | ФРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 90 нс | 0,00015А | 8б | 105 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005L20PFGI | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $46,81 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-7005l20pfgi-datasheets-7646.pdf | 64-LQFP | 16 недель | 4,5 В~5,5 В | IDT7005 | 64-ТКФП (14х14) | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 20 нс | СРАМ | Параллельно | 20 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ102416БЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,6 мм | 1,05 мм | 12,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 95 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71256L45DB | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $151,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-71256l45db-datasheets-7653.pdf | 28-ЦДИП (0,600, 15,24 мм) | 11 недель | 4,5 В~5,5 В | 28-CerDip | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 45нс | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT25QL02GCBB8E12-0SIT | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt25ql02gcbb8e120sit-datasheets-7559.pdf | 24-ГАТБ | 8 мм | 1,2 мм | 6 мм | 3В | 24 | 6 недель | 24 | 2 ГБ | Медь, Серебро, Олово | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 30 | 85°С | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 256MX8 | 8 | 8 мс, 2,8 мс | СЕРИАЛ | 1 | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX66U2G45GXRI00 | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx66u2g45gxri00-datasheets-7657.pdf | 24-LBGA, CSPBGA | 6 мм | 8 мм | 24 | 10 недель | ТАКЖЕ МОЖЕТ НАСТРОИТЬСЯ КАК 1G X 2 И 2G X 1. | 1 | ДА | 1,65 В~2 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 2В | 1,65 В | Р-ПБГА-Б24 | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 256MX8 | 8 | 60 мкс, 1,5 мс | 2147483648 бит | СЕРИАЛ | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ204816БЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 10 нс | 33554432 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15B104Q-LHXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | СПИ, серийный | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2В | Р-ПДСО-Н8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МР25Х40МДФ | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 6 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | СПИ, серийный | 4 Мб | EAR99 | 1 | 42 мА | 600мВт | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 10 нс | 40 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,0004А | 8б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1230ab120-datasheets-7498.pdf | Модуль 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | Без свинца | 28 | 6 недель | 28 | да | EAR99 | не_совместимо | 8473.30.11.40 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | DS1230Y | 28 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | 0,085 мА | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 120 нс | 262144 бит | 0,0006А | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Максим Интегрированный | $23,10 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1230ab120-datasheets-7498.pdf | Модуль 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | Без свинца | 28 | 6 недель | 28 | да | EAR99 | не_совместимо | 8473.30.11.40 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | DS1230Y | 28 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | 0,085 мА | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 150 нс | 262144 бит | 0,0006А | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1061G30-10ZSXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy7c1061g3010zsxi-datasheets-7677.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22 415 мм | 10,16 мм | Без свинца | 54 | 13 недель | 3A991.B.2.B | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,2 В | Р-ПДСО-Г54 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512БЛ-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $13,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43tr16512bl125kbli-datasheets-7588.pdf | 96-ТФБГА | 14 мм | 10 мм | 96 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 1,283~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-Б96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 8589934592 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М16Д3Л-12БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 96-ТФБГА | 14 мм | 9 мм | Без свинца | 96 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | ДА | 1,283~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 1,35 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 13,75 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | 8589934592 бит | 0,011А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY14B101LA-SP45XI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,794 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy14b101lasp45xi-datasheets-7591.pdf | 48-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15 875 мм | 3В | Без свинца | 48 | 13 недель | Нет СВХК | 48 | 1 Мб | да | EAR99 | Золото, Олово | Нет | 8542.32.00.41 | 1 | 52 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1 Вт | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,635 мм | CY14B101 | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | НВСРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 45нс | 0,005А | 8б | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM22LD16-55-БГ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm22ld1655bg-datasheets-7690.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 9 недель | 48 | 4 Мб | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | 12 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | FM22LD16 | 48 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Энергонезависимый | 16б | ФРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 110 нс | 0,00015А | 16б | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-3829407МХА | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $27,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-59623829407mxa-datasheets-7603.pdf | 28-ЦДИП (0,600, 15,24 мм) | 15 недель | 4,5 В~5,5 В | 5962-3829407 | 28-CerDip | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В05Л20ПФГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $805,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-70v05l20pfgi-datasheets-7702.pdf | 64-LQFP | 10 недель | 3В~3,6В | ИДТ70В05 | 64-ТКФП (14х14) | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 20 нс | СРАМ | Параллельно | 20 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24Л20ПФГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $41,90 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-70v24l20pfgi-datasheets-7607.pdf | 100-LQFP | 16 недель | 3В~3,6В | ИДТ70В24 | 100-ТКФП (14х14) | 64Кб 4К х 16 | Неустойчивый | 20 нс | СРАМ | Параллельно | 20 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR20H40CDF | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr25h40cdf-datasheets-7354.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 6 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 12 недель | 37,393021мг | 8 | СПИ, серийный | 4 Мб | EAR99 | 1 | 600мВт | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 3В | 40 | 0,0465 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 20 нс | 50 МГц | БАРАН | СПИ | 8 | 0,00075А | 8б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15B104Q-SXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 2,03 мм | 5,23 мм | Содержит свинец | 8 | 13 недель | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2В | 85°С | Р-ПДСО-G8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR4A16BCYS35R | Эверспин Технологии Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 16 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 180 мА | е3 | Олово (Вс) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 1MX16 | 16 | 35 нс | 0,014А | 16б | 35 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR4A16BYS35 | Эверспин Технологии Инк. | $21,99 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 110 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everspintechnologiesinc-mr4a16bma35-datasheets-8258.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 8 недель | 54 | 16 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 180 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Энергонезависимый | 16б | БАРАН | Параллельно | 1MX16 | 16 | 35 нс | 0,014А | 16б | 35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М16Д3Л-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 96-ТФБГА | 14 мм | 1,2 мм | 9 мм | Без свинца | 96 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | ДА | 1,283~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 1,35 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 13,75 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | 8589934592 бит | 0,011А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70GL02GS12FHIV10 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-С | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s70gl02gs11fhi010-datasheets-7383.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 13 недель | 64 | 8542.32.00.71 | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М х 16 | Энергонезависимый | 120 нс | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX16 | 16 | 8 | 0,0002А | ДА | ДА | ДА | 2К | 128 тыс. | ДА | НИЗ/ВЕРХ | ДА | 16/32 слова | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY62167DV30LL-55ZXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МоБЛ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy62167dv30ll55zxi-datasheets-7539.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 1,2 мм | 12 мм | 3В | Без свинца | 30 мА | 48 | 13 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | да | 1 | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 2М Х 8 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | CY62167 | 48 | 3,6 В | 2,2 В | 30 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM25V20A-ДГ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm25v20ag-datasheets-7393.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | СПИ, серийный | 2 Мб | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2В | НЕ УКАЗАН | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 16 нс | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 8 | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT28FW02GBBA1HPC-0AAT | Микрон Технология Инк. | $80,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt28fw02gbba1hpc0aat-datasheets-7548.pdf | 64-ЛБГА | 6 недель | 1,7 В~3,6 В | 64-ЛБГА (11х13) | 2 ГБ 128 М х 16 | Энергонезависимый | 105 нс | ВСПЫШКА | Параллельно | 60нс |
