Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС62ВВ6416ДБЛЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 44 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 22 МГц | 1 | 8мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 45нс | 0,000004А | 16б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32320А-25БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 134 | 1 ГБ | да | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16128Б-25ЭБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 13,5 мм | 1,8 В | 84 | 84 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 0,54 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД16640А-3БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 134 | 1 ГБ | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 333 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД16640А-25БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 134 | 1 ГБ | да | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ25616ЕДБЛЛ-10БА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 48 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,05 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 10 нс | 4194304 бит | 0,015А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ010B-JDLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | SPI, серийный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,65 мм | 3,6 В | 2,3 В | Р-ПДСО-Г8 | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1MX1 | 1 | 800 мкс | 1048576 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WQ020-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 1 мс | 2097152 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416DALL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 1,65 В~2,2 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32200М-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 2,3 В~2,7 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32400Г-75БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm32400g75bi-datasheets-4414.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | 90 | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 133 МГц | 8542.32.00.02 | 1 | 70 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 2,7 В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32160С-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm32160c7bli-datasheets-4457.pdf | 90-ЛФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 143 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | 180 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,00004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32400Г-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm32400g75bi-datasheets-4414.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | 90 | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМОБНОВЛЕНИЕ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 2,5 В, 1,8 В. | 166 МГц | 8542.32.00.02 | 1 | 75 мА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 2,7 В | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-3БПЛА25 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | Соответствует ROHS3 | 168-ВФБГА | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV25616DALL-55BI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 48-ТФБГА | 1,65 В~2,2 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DALL-55TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 32 | 1,65 В~2,2 В | 32-ЦОП II | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DBLL-45QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,12 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,495 мм | 11,305 мм | 32 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 32 | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г32 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ8 | 8 | 45нс | 4194304 бит | 0,000007А | 45 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ41М36К-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640АЛ-125ДЖБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16640al125jbla1tr-datasheets-9904.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 96 | 1 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,3 В | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | 1 | е3 | Олово (Sn) | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 10 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 1 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-5БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43r16160f5bi-datasheets-1430.pdf | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К256АЛ-12ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 11,8 мм | 8 мм | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | да | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,55 мм | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 5В | 0,025 мА | Не квалифицирован | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 12нс | 262144 бит | 0,0001А | 12 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Ф-6Б-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,002А | 5,4 нс | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Ф-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г66 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43QR16256A-083RBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR4 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,8 мм | 1,26 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 1,2 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | 4294967296 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД16640С-25БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 14 недель | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б134 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР81280Б-25ЭБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 400 МГц | 1,7 В~1,9 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 8б | 450пс | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP256D-RHLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 8 недель | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 32MX8 | 8 | 800 мкс | 268435456 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Д-6БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | нет | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 512М 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР82560С-3ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $19,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,455 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15 нс | 2147483648 бит | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 |
