Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Входная емкость | Размер памяти | Максимальное выходное напряжение | Минимальное выходное напряжение | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV5128DBLL-45QLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ41М36К-300М3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 8,4 нс | 300 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС29ЛВ032Б-70БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,3 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is29lv032t70bli-datasheets-9993.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 6 мм | 3В | 48 | 32 Мб | НИЖНИЙ БОТИНОК | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ51216БЛЛ-10МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $23,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 95 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ22М36А-250М3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61qdb22m36a250m3i-datasheets-1443.pdf | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | совместимый | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б165 | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP128-JMLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 16 | 8 недель | 16 | SPI, серийный | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 0,014 мА | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,7 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 128MX1 | 1 | 1 мс | 134217728 бит | 1 | 0,000065А | 4-ПРОВОДНОЙ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Ф-6БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 3В~3,6В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160Б-37КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 4,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 84 | 8 недель | 84 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 10 | 1,8 В | 0,26 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 500пс | 266 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР82560Б-25ЭБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 60 | 60 | 2 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR16320B-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $14,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10 мм | 1,8 В | 60 | 14 недель | 60 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 110 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,95 В | 1,7 В | 40 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 12нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР81280Б-3ДБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 60 | 333 МГц | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | АЭК-Q100 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15 нс | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ЭКЛЛ-70БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 33554432 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР81280Б-3ДБИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 60 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15 нс | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ032B-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,16 мм | 3В | 8 | 8 недель | 8 | СПИ | 32 Мб | СОП-8-5280X7900DE | 1 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32MX1 | 1 | 1 мс | СЕРИАЛ | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП51236-200Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ25616АЛ-10ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25616al10tl-datasheets-3928.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,52 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 мА | 44 | 8 недель | Нет СВХК | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 100 МГц | 1 | 100 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | 40 | 6пФ | 4Мб 256К х 16 | 400мВ | 2,4 В | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25672-200Б1И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 209-БГА | 209 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128Б-15ХБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | Нет СВХК | 96 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 1,5 В | 0,286 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | 0,014А | 2 КБ | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПД51236А-250Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС26КС128С-ДПБЛИ00 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ВБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 2 недели | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б24 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 96нс | 1,8 В | 166 МГц | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX8 | 8 | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP032-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 1,8 В | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 7нс | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 32MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512БЛ-107МБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 20,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 14 мм | 10 мм | 96 | 2 недели | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-В96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | 8589934592 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Г-7БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ25616АЛ-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25616al10tl-datasheets-3928.pdf | 48-ТФБГА | 10 мм | 600 мкм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 110 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,63 В | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС102418А-250Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP080D-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 1MX8 | 8 | 800 мкс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Д-6БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 60 | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 512М 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP016D-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | 10 | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 2MX8 | 8 | 800 мкс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД102418А-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ1288ДБЛЛ-45ХЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 8,2 мм | 32 | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | 22 МГц | 1 | 8мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 45нс | 0,000004А | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ |
