Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор упаковки производителя | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LF25618A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 3,3 В | 12 недель | 100 | 4 Мб | 2 | 160 мА | 3,135 В~3,6 В | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Е-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 66 | 8 недель | 66 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 166 МГц | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640БЛ-107МБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 6 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320Е-3ДБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Г-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 8 недель | 90 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,35 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16160Б-3ДБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 10 | 1,8 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 268435456 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Ф-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 36-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 36 | 10 недель | 36 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 10 нс | 2097152 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16320Д-25ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $11,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 512 Мб | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS | Медь, Серебро, Олово | 8542.32.00.28 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,25 мА | Не квалифицирован | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||
| ИС61К256АЛ-12ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 5В | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 40 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,55 мм | 28 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 12нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К256АЛ-25УЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 2,84 мм | Соответствует ROHS3 | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 5В | 30 мА | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 28 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 25нс | 8б | 25 нс | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К64АЛ-10ДЖЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,56 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61c64al10jli-datasheets-7088.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 5В | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 50 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 28 | 40 | 5В | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 13б | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 10 нс | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ1288ФБЛЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 8 мм | 32 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,2 В | Р-ПДСО-Г32 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 45нс | 1048576 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Ф-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $12,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 1,2 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | ТСОП-54-22.22000Х10.16000 | 1 | 110 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Ф-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32160Е-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 120 мА | 90 | 12 недель | 90 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 120 мА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Ф-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 54 | 6 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 3,135 В~3,465 В | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ102416ДБЛЛ-10БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX8 | 8 | 10 нс | 8388608 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS65WV102416DBLL-55CTLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 55нс | 16777216 бит | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128АЛ-15ХБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 255 мА | 96 | 96 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | 0,02 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVP25636A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nvp25636a200tqlitr-datasheets-7600.pdf | 100-LQFP | 100 | 12 недель | 100 | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 2,5 В | 0,635 мм | 2,5 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05 А | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Ф-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $12,10 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 54 | 6 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ12836А-7.5ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlf12836a75tqi-datasheets-7626.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 10 | 2,5/3,33,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,035А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛР16320Б-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 14 недель | 60 | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р32160Д-5БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ЛФБГА | 12 мм | 144 | 8 недель | 144 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,5 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,6 В | 0,8 мм | 144 | 2,7 В | 2,5 В | 40 | 2,6 В | 0,48 мА | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 15 нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416FBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32160Е-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 3,3 В | 120 мА | 12 недель | 90 | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 недель | 48 | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс |
