Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС43ТР16256А-125КБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,5 В | 290 мА | 6 недель | 96 | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256А-107МБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256АЛ-15ХБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,35 В | 240 мА | 6 недель | 96 | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ12816БЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 2 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 3мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-5БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 54 | 6 недель | 54 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,8 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К6416АЛ-12КЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61c6416al12kli-datasheets-8209.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,7 мм | 3,11 мм | 10,29 мм | 5В | Без свинца | 44 | 8 недель | 44 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 44 | 40 | 5В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Г-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 160 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32200М-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS37SML01G1-ЛЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | СИНХРОННЫЙ | 0,85 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 8нс | 3,3 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 128MX8 | 8 | 1073741824 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К25616АЛ-10КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 50 мА | 4,5 В~5,5 В | 44-СОЮ | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К25616АЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,52 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 5В | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 50 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Д-7БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $20,91 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 160 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVF51236B-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | ПОТОК ЧЕРЕЗ | 8542.32.00.41 | 1 | 2,375 В~2,625 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VPS102418B-250TQL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LPS25636A-166TQLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3,5 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512А-125КБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,5 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,6 ГГц | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512АЛ-125КБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,35 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,6 ГГц | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36800-25ЭВБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 288Мб 8М х 36 | Неустойчивый | 15 нс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX36 | 36 | 301989888 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ251236А-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 10 | 1,5/1,81,8 В | 1 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,27 А | 0,45 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДП2Б22М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ42М36А-300М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 12 недель | 165 | 72 Мб | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 750 мА | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 300 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 36 | 36б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49РЛ18320-093БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ЛБГА | 13,5 мм | 1,35 В | 168 | 14 недель | 168 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1,066 ГГц | 8542.32.00.32 | 1 | 1,28 В~1,42 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 1 мм | 168 | 1,42 В | 1,28 В | 2,965 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 1066 МГц | 24б | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF102436B-6.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $79,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДПБ24М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 0,75 мА | Не квалифицирован | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | 0,32 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДП2Б44М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1,15 мА | Не квалифицирован | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | ПРОТОКОВЫЙ | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVP204836B-166TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,625 В | 2,375 В | 10 | 2,5 В | 0,34 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Д-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 8 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Д-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 54 | 6 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF51218B-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит |
