Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Уровень скрининга | Входная емкость | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Количество входов | Выход | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выключения-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Максимальный ток сигнала | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7113DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7113dnt1ge3-datasheets-8522.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 134МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 30 нс | 110 нс | 40 нс | 51 нс | -13,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | 20А | -100В | P-канал | 1480пФ при 50В | 134 мОм при 4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 13,2 А Тс | 55 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ213ДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg213dy-datasheets-7631.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 16 | 1,627801г | 40В | 3В | 60Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 470мВт | 16 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 512/+-15В | 130 нс | 100 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 3В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 200 нс | 3В~40В ±3В~22В | 1:1 | SPST - НО/НЗ | 500пА | 5пФ 5пФ | 130 нс, 100 нс | 1 шт. | 1 Ом | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF820APBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-irf820apbf-datasheets-2338.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3Ом | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | ТО-220АБ | 340пФ | 8,1 нс | 12нс | 13 нс | 16 нс | 2,5 А | 30В | 500В | 4,5 В | 50 Вт Тс | 500 нс | 3Ом | N-канал | 340пФ при 25В | 4,5 В | 3 Ом @ 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 17 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2307DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-dg2307dlt1ge3-datasheets-7701.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1 | СК-70-6 | 250 МГц | 12 Ом | 2:1 | 2В~5,5В | SPDT | 100 нА | 6,5 пФ | 2,6 нс, 2,6 нс | 7 шт. | 320мОм | -58,7 дБ при 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF644СПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irf644spbf-datasheets-3712.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 280МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 1 | Одинокий | 30 | 3,1 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 24 нс | 49 нс | 53 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | 56А | 550 мДж | 250В | N-канал | 1300пФ при 25В | 4 В | 280 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Тс | 68 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2037ДС-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2037dst1-datasheets-7724.pdf | СОТ-23-8 | 1 мкА | 8 | 5,5 В | 1,8 В | 5Ом | 8 | нет | неизвестный | 2 | 20нА | е0 | Оловянный свинец | ДА | 515 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В | 0,635 мм | 8 | 1 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | 2 | Не квалифицирован | 35 нс | 31 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 5Ом | 0,3 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | СПСТ - НЕТ | 1нА | 15пФ 17пФ | 30 нс, 22 нс | 1 шт. | 200 м Ом (макс.) | -67 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3430DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si3430dvt1e3-datasheets-4579.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 170мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 1,14 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 9 нс | 11нс | 11 нс | 16 нс | 1,8 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 2В | 1,14 Вт Та | 100В | N-канал | 2 В | 170 мОм при 2,4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 1,8 А Та | 6,6 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ304ААК/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg304aak883-datasheets-7746.pdf | 14-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 14 | 36В | 13В | 50Ом | 14 | нет | Нет | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 14 | 825 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 38535К/М;38534Х;883Б | 22В | 7В | -15В | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 50Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | СПСТ - НЕТ | ±15 В | 1нА | 14пФ 14пФ | 250 нс, 150 нс | 30 шт. | -74 дБ при 500 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4464DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4464dyt1e3-datasheets-3300.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 240мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 10 нс | 12нс | 15 нс | 15 нс | 1,7 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 1,5 Вт Та | N-канал | 240 мОм при 2,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,7 А Та | 18 нК @ 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ390БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg390bdje3-datasheets-5350.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 15 В | 1 мА | 8 недель | 36В | 13В | 50Ом | 16 | нет | неизвестный | 230 мкА | 470мВт | 16 | 2 | 150 нс | 130 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 50Ом | 50Ом | 2:1 | SPDT | ±15 В | 5нА | 14пФ 14пФ | 150 нс, 130 нс (тип.) | 10 шт. | -74 дБ при 500 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD19P06-60L_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sqd19p0660lge3-datasheets-7043.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 60В | 46 Вт Тс | 46мОм | P-канал | 1490пФ при 25В | 55 мОм при 19 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 41 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ202БДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg201bdyt1e3-datasheets-0360.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 50 мкА | 16 | 8 недель | 665,986997мг | 25 В | 4,5 В | 85Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 1,27 мм | 16 | 1 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 12/+-15 В | 4 | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ850EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sqj850ept1ge3-datasheets-8440.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,267 мм | Без свинца | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 23мОм | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 45 Вт | 1 | 175°С | ПауэрПАК® СО-8 | 1,225 нФ | 21 нс | 15нс | 8 нс | 22 нс | 24А | 20 В | 60В | 2В | 45 Вт Тс | 19мОм | 60В | N-канал | 1225пФ при 30В | 2 В | 23 мОм при 10,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 30 нК при 10 В | 23 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ407ДН-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg406dnt1e3-datasheets-9986.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 15 В | 500 мкА | 28 | 8 недель | 1,182714г | 44В | 7,5 В | 100Ом | 28 | неизвестный | 1 | ДА | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 8 | ДПДТ | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | 600 нс | 300 нс | 20 В | 350 нс | Двойной, Одинарный | 5В | 100Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 0,03 А | 8:1 | 500пА | 8пФ 65пФ | 200 нс, 150 нс | 15 шт. | 5 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR870ADP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | $28,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-sir870adpt1re3-datasheets-3418.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 100В | 104 Вт Тс | 5,5 мОм | N-канал | 2866пФ при 50 В | 6,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 60А Тс | 80 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ411АК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg413dj-datasheets-7502.pdf | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 19,56 мм | 3,94 мм | 7,62 мм | 44В | 1 мкА | 35Ом | 16 | 900мВт | 4 | 16-ЦЕРДИП | 175 нс | 145 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 35Ом | 35Ом | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3493DDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si3493ddvt1ge3-datasheets-1115.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 1,1 мм | 6 | 14 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 1 | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 25 нс | 95 нс | -7,5А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 3,6 Вт Тс | 8А | 0,024 Ом | -20В | P-канал | 1825пФ при 10В | 24 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 8А Тк | 30 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ409ЛАК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | БИКМОС | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 19,305 мм | 16 | 12 недель | 12 В | 3В | 29Ом | 16 | нет | неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 16 | 4 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | НЕ УКАЗАН | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 0,7 мА | 2 | Не квалифицирован | 6В | 5В | 3В | -5В | 8 | 29Ом | 70 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 40 нс | 55нс | 2В~12В ±3В~6В | 0,03 А | 4:1 | СП4Т | 1нА | 7пФ 20пФ | 55 нс, 25 нс | 1 шт. | 1 Ом | -82 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР122ДП-Т1-РЕ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir122dpt1re3-datasheets-3093.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 80В | 5,2 Вт Ta 65,7 Вт Tc | N-канал | 1950пФ при 40В | 7,4 мОм при 10 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 16,7 А Та 59,6 А Тс | 44 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ412ЛДК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | БИКМОС | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5,08 мм | 920 мкм | 4,4 мм | 1 мкА | 16 | 172,98879мг | 12 В | 2,7 В | 17Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 450мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | 16 | Мультиплексор или коммутаторы | 3/12/+-5В | 4 | 280 МГц | 50 нс | 35 нс | 6В | Двойной, Одинарный | 3В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 17Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 85нс | НЕТ | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8413DB-T1-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si8413dbt1e1-datasheets-3663.pdf | 4-XFBGA, CSPBGA | 1,6 мм | 360 мкм | 1,6 мм | 4 | 33 недели | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 4 | 1 | 40 | 1,47 Вт | 1 | Другие транзисторы | 31 нс | 50 нс | 50 нс | 105 нс | -6,5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,47 Вт Та | 0,063Ом | P-канал | 48 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 4,8А Та | 21 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG417LEDY-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg419ledqt1ge3-datasheets-7465.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 19 недель | 1 | 8-СО | 9Ом | 3В~16В ±3В~8В | 1:1 | СПСТ | 10нА | 11пФ 32пФ | 40 нс, 35 нс | 26 шт. | -72 дБ при 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР165ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen III | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir165dpt1ge3-datasheets-3889.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 30В | 69,4 Вт Тс | P-канал | 4930пФ при 15В | 4,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 60А Тс | 138 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2535EDN-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-dg2733edqt1ge3-datasheets-3597.pdf | 10-VFDFN Открытая площадка | 3 мм | 10 | 18 недель | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 5,5 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н10 | 120 МГц | 500мОм | 70 дБ | 0,06 Ом | 60нс | 80нс | 2:1 | 1,65 В~5,5 В | SPDT | 78нс, 58нс | 60 м Ом | -90 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7434ADP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | $22,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТандерФЕТ® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7434adpt1re3-datasheets-4338.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 250В | 5 Вт Та 54,3 Вт Тс | N-канал | 600пФ при 125В | 150 мОм при 3,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,7 А Та 12,3 А Тс | 16,5 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG4053EEN-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg4053eeqt1ge3-datasheets-7535.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 16 | 16 недель | 78Ом | неизвестный | 3 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,4 мм | 1 | НЕ УКАЗАН | 3 | Р-XQCC-N16 | 930 МГц | -5В | 78Ом | 49 дБ | 0,91 Ом | 97нс | 86нс | 3В~16В ±3В~8В | 2:1 | SPDT | 1нА | 2пФ 3,1пФ | 75нс, 88нс | 0,3ПК | 910 м Ом | -105 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9520STRLPBF | Вишай Силиконикс | 2,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9520spbf-datasheets-1890.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 8 недель | 1,437803г | 600мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Д2ПАК | 390пФ | 9,6 нс | 29нс | 25 нс | 21 нс | -6,8А | 20 В | 100В | 100В | 3,7 Вт Та 60 Вт Тс | 600мОм | P-канал | 390пФ при 25В | 4 В | 600 мОм при 4,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,8 А Тс | 18 нК @ 10 В | 600 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9233EDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg9233edyge3-datasheets-1801.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | 8 | 19 недель | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | 5,5 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-G8 | 25Ом | 1:1 | 2,7 В~5,5 В | СПСТ - НЕТ | 100пА | 3,8 пФ | 75 нс, 50 нс | -0,78пКл | 400 м Ом | -108 дБ при 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLU024PBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-irlu024pbf-datasheets-5123.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,39 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 329,988449мг | 3 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | 11 нс | 110 нс | 41 нс | 23 нс | 14А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 56А | 60В | N-канал | 870пФ при 25В | 100 мОм при 8,4 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 14А Тс | 18 нК при 5 В | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG201HSDJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 10 мА | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-dg201hsdqt1e3-datasheets-3678.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 16,5 В | Без свинца | 10 мА | 16 | 12 недель | 1,627801г | 25 В | 13В | 90Ом | 16 | да | Нет | 4 | 4,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 15 В | ДГ201 | 16 | 1 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | СПСТ | 60 нс | 50 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 50Ом | 85 дБ | 0,75 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 10,8 В~16,5 В ±15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 1нА | 5пФ | 60 нс, 50 нс | -5ПК | 1,5 Ом | -100 дБ при 100 кГц |
