Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4925BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si4925bdyt1e3-datasheets-5285.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | да | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4925 | 8 | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт | 5.3А | 0,025 Ом | 2 P-канала (двойной) | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5.3А | 50 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7682DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7682dpt1e3-datasheets-6650.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 9мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 18 нс | 82нс | 10 нс | 18 нс | 17,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт Та 27,5 Вт Тс | 50А | 30 В | N-канал | 1595пФ при 15В | 9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 38 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4286DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4286dyt1ge3-datasheets-5839.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 15 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2,9 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ4286 | 8 | Двойной | 1,9 Вт | 2 | Мощность FET общего назначения | 9 нс | 11нс | 7 нс | 10 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 7А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 375пФ при 20В | 32,5 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,5 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7445DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 2,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7445dpt1ge3-datasheets-6617.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,0038 мм | Без свинца | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | 1 | Одинокий | 1,9 Вт | 1 | PowerPAK® 1212-8 | 40 нс | 45нс | 45 нс | 400 нс | -19А | 8В | -20В | 20 В | -1В | 1,9 Вт Та | 7,7 мОм | P-канал | 7,7 мОм при 19 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12А Та | 140 нК при 5 В | 7,7 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sis990dnt1ge3-datasheets-7450.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 6 | 14 недель | EAR99 | Нет | 25 Вт | С ИЗГИБ | 2 | Двойной | 2 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-С6 | 8 нс | 8нс | 6 нс | 8 нс | 12.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,085Ом | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 50В | 85 мОм при 8 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8 нК @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1307EDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1307edlt1e3-datasheets-7903.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 12 В | 12 В | 290мВт Та | 0,85 А | 0,29 Ом | P-канал | 290 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 850 мА Та | 5нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4943bdyt1e3-datasheets-9089.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 19мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4943 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 11 нс | 10 нс | 10 нс | 94 нс | -8,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6.3А | -20В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 19 мОм при 8,4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6.3А | 25 нК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1400DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1400dlt1e3-datasheets-7906.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 13 недель | 7,512624 мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 30 | 568мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 30 нс | 8 нс | 14 нс | 1,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 20 В | 568мВт Та | N-канал | 150 мОм при 1,7 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 1,6 А Та | 4нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQS966ENW-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqs966enwt1ge3-datasheets-0180.pdf | PowerPAK® 1212-8W двойной | PowerPAK® 1212-8W двойной | 60В | 27,8 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 572пФ при 25 В | 36 мОм при 1,25 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6А Тк | 8,8 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5456DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5456dut1ge3-datasheets-2334.pdf | 8-PowerVDFN | 3 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 30 | 3,1 Вт | 1 | Р-XDSO-N3 | 20 нс | 15нс | 10 нс | 20 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 50А | 0,01 Ом | 20 В | N-канал | 1200пФ при 10В | 10 мОм при 9,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1034cxt1ge3-datasheets-0871.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 14 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 220мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 30 | 220мВт | 2 | Мощность FET общего назначения | 11 нс | 16 нс | 11 нс | 26 нс | 610 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 43пФ при 10 В | 396 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 610 мА Та | 2 нК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7621DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7621dnt1ge3-datasheets-2383.pdf | PowerPAK® 1212-8 | Без свинца | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 30 | 3,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 8 нс | 75нс | 60 нс | 25 нс | 4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 3,1 Вт Ta 12,5 Вт Tc | 4А | 0,09 Ом | P-канал | 300пФ при 10В | 90 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6,2 нК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ912ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sib912dkt1ge3-datasheets-3512.pdf | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 1,6 мм | 750 мкм | 1,6 мм | 6 | 14 недель | 95,991485мг | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | 3,1 Вт | 260 | СИБ912 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 24 нс | 1,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 95пФ при 10 В | 216 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3 нК @ 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIJ458DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $4,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sij458dpt1ge3-datasheets-2581.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 40 | 5 Вт | 1 | Р-ПССО-Г4 | 38 нс | 44нс | 24 нс | 49 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 30 В | 30 В | 1В | 5 Вт Та 69,4 Вт Тс | 35,5А | 0,0022Ом | N-канал | 4810пФ при 15 В | 1 В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 122 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ968EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj968ept1ge3-datasheets-4319.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 12 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 2 | Р-ПССО-Г4 | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 42 Вт Тс | 0,0336Ом | 4 мДж | 2 N-канала (двойной) | 714пФ при 30 В | 33,6 мОм при 4,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 23,5 А Тс | 18,5 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7882DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7882dpt1ge3-datasheets-0309.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 506,605978мг | Нет СВХК | 5,5 мОм | 8 | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 28 нс | 32нс | 32 нс | 82 нс | 13А | 8В | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,4 В | 1,9 Вт Та | 50А | 7,2 мДж | N-канал | 1,4 В | 5,5 мОм при 17 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 13А Та | 30 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB00EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb00ept1ge3-datasheets-5369.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 14 недель | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 48 Вт | 25А | 84А | 0,013Ом | 26,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1700пФ при 25В | 13 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 35 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE854DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie854dft1ge3-datasheets-2529.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | Без свинца | Нет СВХК | 14,2 мОм | 10 | Нет | Одинокий | 5,2 Вт | 1 | 10-ПоларПАК® (Л) | 3,1 нФ | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 30 нс | 13.2А | 20 В | 100 В | 100 В | 2,5 В | 5,2 Вт Ta 125 Вт Tc | 14,2 мОм | 100 В | N-канал | 3100пФ при 50В | 14,2 мОм при 13,2 А, 10 В | 4,4 В @ 250 мкА | 60А Тс | 75 нК при 10 В | 14,2 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5936DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5936dut1ge3-datasheets-6643.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3,08 мм | 850 мкм | 1,98 мм | 6 | 14 недель | 8 | EAR99 | Олово | 2,3 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2,3 Вт | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 15 нс | 65нс | 10 нс | 15 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10,4 Вт | 6А | 0,03 Ом | 2 N-канала (двойной) | 320пФ при 15В | 30 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР406ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir406dpt1ge3-datasheets-3244.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 5 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 22 нс | 20нс | 10 нс | 28 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5 Вт Та 48 Вт Тс | 27А | 70А | 45 мДж | 25 В | N-канал | 2083пФ при 10 В | 3,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 40А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ1922EEH-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sq1922eeht1ge3-datasheets-9023.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 1,5 Вт | 2 | 175°С | Р-ПДСО-Г6 | 10 нс | 15 нс | 840 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,84 А | 0,6 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 350 мОм при 400 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 840 мА Тс | 1,2 нК @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ90Н06-5М5П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sum90n065m5pe3-datasheets-3287.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 1,437803г | Нет СВХК | 5,5 МОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | ТО-263 (Д2Пак) | 4,7 нФ | 16 нс | 10 нс | 8 нс | 25 нс | 90А | 20 В | 60В | 3,75 Вт Та 272 Вт Тс | 5,5 мОм | 60В | N-канал | 4700пФ при 30 В | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 90А Тс | 120 нК при 10 В | 5,5 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП53П06-20-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sup53p0620e3-datasheets-0883.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 19,5 МОм | 3 | EAR99 | Нет | 3 | 1 | Одинокий | 3,1 Вт | Другие транзисторы | 10 нс | 7нс | 40 нс | 70 нс | 9.2А | 20 В | 60В | -1В | 3,1 Вт Ta 104,2 Вт Tc | ТО-220АБ | -60В | P-канал | 3500пФ при 25В | 19,5 мОм при 30 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9,2А Та 53А Тс | 115 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП60Н06-12П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sup60n0612pge3-datasheets-3346.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 6.000006г | 12мОм | 3 | EAR99 | Нет | 3 | 1 | Одинокий | 3,25 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 11 нс | 11нс | 8 нс | 16 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 3,25 Вт Ta 100 Вт Tc | ТО-220АБ | 80А | 80 мДж | N-канал | 1970 пФ при 30 В | 12 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 55 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sq4920eyt1ge3-datasheets-4927.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 17,5 мОм | 8 | Нет | 4,4 Вт | 2 | Двойной | 4,4 Вт | 2 | 8-СО | 1,465 нФ | 7 нс | 10 нс | 8 нс | 25 нс | 8А | 20 В | 30 В | 2В | 4,4 Вт | 14,5 мОм | 2 N-канала (двойной) | 1465пФ при 15В | 14,5 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 30 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 14,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50N04-37P-T4-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0437pt4e3-datasheets-3671.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 37мОм | 8А | 40В | 2 Вт Та 10,8 Вт Тс | N-канал | 640пФ при 20В | 37 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 5,4А Та 8А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj570ept1ge3-datasheets-6239.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 100 В | 27 Вт | N и P-канал | 650пФ при 25В 600пФ при 25В | 45 мОм при 6 А, 10 В, 146 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15 А Тс 9,5 А Тс | 20 нК при 10 В, 15 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1489EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1489edht1ge3-datasheets-8490.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 15 недель | 7,512624 мг | 48мОм | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 1 | Одинокий | 156 Вт | 1 | Другие транзисторы | 90 нс | 170 нс | 630 нс | 690 нс | 2А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | 2,8 Вт Тс | 2А | -8В | P-канал | 48 мОм при 3 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 2А Тк | 16 нК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ2337ES-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sq2337est1ge3-datasheets-7871.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | 3 Вт | 1 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 2.2А | 20 В | 80В | 3 Вт Тк | P-канал | 620пФ при 30 В | 290 мОм при 1 А, 4,5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2,2 А Тс | 18 нК @ 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП70Н03-09БП-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup70n0309bpe3-datasheets-3111.pdf | ТО-220-3 | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 93 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 10 нс | 8нс | 9 нс | 25 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 93 Вт Тс | ТО-220АБ | 70А | 200А | 0,009 Ом | 30 В | N-канал | 1500пФ при 25В | 800 мВ | 9 мОм при 30 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 70А Тс | 19 нК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
